基准电压电路及电源接通复位电路制造技术

基准电压电路具备：耗尽型的第一MOS晶体管，其漏极与电源电压连接，栅极接地；第一降压电路，其一端与第一MOS晶体管的源极连接，另一端与输出第一基准电压的第一输出端子连接；以及耗尽型的第二MOS晶体管，其漏极与第一输出端子连接，栅极及源极接地。

Reference voltage circuit and power on reset circuit

【技术实现步骤摘要】
基准电压电路及电源接通复位电路
本专利技术涉及基准电压电路及电源接通复位电路。
技术介绍
在半导体集成电路中有时采用基准电压电路。基准电压电路的特性是决定半导体集成电路的性能的要素之一。图3是采用了现有的基准电压电路110的电源接通复位电路100的结构。电源接通复位电路100的结构例如记载于日本特开2013－179561号公报中。电源接通复位电路100由输出基准电压的基准电压电路110、和基于从基准电压电路110输出的基准电压输出复位信号的复位信号输出电路120构成。基准电压电路110由耗尽型N沟道MOS晶体管（以下，DNMOS）111和增强型N沟道MOS晶体管（以下，ENMOS）112构成。在电源电压VDD投入到电源端子101之后，具有该电源电压VDD的电压上升的过渡状态。在该过渡状态中，电源电压VDD低于预先设定的既定电压即解除复位的电压的情况下，复位信号输出电路120被构成为输出复位信号。复位信号，是使与输出端子103连接的其他电路（未图示）转变到复位状态的信号或转变到解除复位状态的复位解除状态的信号。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压电路，其特征在于，具备：/n耗尽型的第一MOS晶体管，其漏极与电源端子连接，栅极接地；/n第一降压电路，其一端与所述第一MOS晶体管的源极连接，另一端与输出第一基准电压的第一输出端子连接；以及/n耗尽型的第二MOS晶体管，其漏极与所述第一输出端子连接，栅极及源极接地。/n

【技术特征摘要】
20181024 JP 2018-1997271.一种基准电压电路，其特征在于，具备：
耗尽型的第一MOS晶体管，其漏极与电源端子连接，栅极接地；
第一降压电路，其一端与所述第一MOS晶体管的源极连接，另一端与输出第一基准电压的第一输出端子连接；以及
耗尽型的第二MOS晶体管，其漏极与所述第一输出端子连接，栅极及源极接地。


2.如权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于：
所述第一降压电路为耗尽型的第三MOS晶体管，
该耗尽型的第三MOS晶体管，其漏极及栅极与所述第一MOS晶体管的源极连接，且源极与所述第一输出端子连接。


3.如权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于，还具备：
耗尽...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边考太郎，S辛格，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP