薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置制造方法及图纸

提供使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和采用该薄膜晶体管元件基板的有机EL显示装置，该薄膜晶体管元件基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。薄膜晶体管元件基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3

Thin film transistor element substrate and its manufacturing method, and organic EL display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置本申请是申请号为201510007493.6、申请日为2015年1月7日、专利技术名称为“薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置”的申请的分案申请。
本申请涉及使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和采用使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板的有机EL显示装置。
技术介绍
近年来，在沟道层(channellayer)中使用In-Ga-Zn-O所代表的氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板的研究开发正在盛行。以下，薄膜晶体管元件基板有时被称作TFT基板。使用氧化物半导体的TFT基板的结构一般是与以往的使用非晶硅的TFT基板相同的底部栅极结构。但是，降低栅电极与源电极以及漏电极的寄生电容的更高性能的顶部栅极结构的TFT基板的研究开发也正在盛行(专利文献1以及2)。使用图8对专利文献2所记载的TFT基板进行说明。专利文献2所记载的TFT基板901是顶部栅极结构的TFT基板。TFT基板901具有形成于玻璃基板902上的氧化物半导体层903、形成于氧化物半导体层903的中央本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管元件基板，具备：/n基板；/n氧化物半导体层，其设置在所述基板上的一部分上，沿着所述基板表面具有沟道区域和夹着所述沟道区域的一对接触区域；/n栅电极，其隔着栅极绝缘层设置在所述沟道区域上；/n源电极，其与所述一对接触区域的一方接合；/n漏电极，其与所述一对接触区域的另一方接合；和/n第1水分阻隔层，其被设置为覆盖所述栅极绝缘层以及所述栅电极，并且被设置为覆盖下述区域，所述区域是所述氧化物半导体层的所述一对接触区域上的、除了所述接触区域与所述源电极的接合部分以及所述接触区域与所述漏电极的接合部分之外的区域、和所述基板上的没有设置所述氧化物半导体层的区域，/n所述第1水分阻隔层，...

【技术特征摘要】
20140317 JP 2014-0532331.一种薄膜晶体管元件基板，具备：
基板；
氧化物半导体层，其设置在所述基板上的一部分上，沿着所述基板表面具有沟道区域和夹着所述沟道区域的一对接触区域；
栅电极，其隔着栅极绝缘层设置在所述沟道区域上；
源电极，其与所述一对接触区域的一方接合；
漏电极，其与所述一对接触区域的另一方接合；和
第1水分阻隔层，其被设置为覆盖所述栅极绝缘层以及所述栅电极，并且被设置为覆盖下述区域，所述区域是所述氧化物半导体层的所述一对接触区域上的、除了所述接触区域与所述源电极的接合部分以及所述接触区域与所述漏电极的接合部分之外的区域、和所述基板上的没有设置所述氧化物半导体层的区域，
所述第1水分阻隔层，包含金属氧化物，并且采用原子层沉积法形成，采用所述原子层沉积法形成的第1水分阻隔层与所述一对接触区域接触。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件基板，
所述第1水分阻隔层具有原子水平的层结构。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件基板，
所述基板具有以树脂材料为主成分的树脂基板、和形成于所述树脂基板上的第2水分阻隔层，
所述第2水分阻隔层与所述氧化物半导体层以及所述第1水分阻隔层接触。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管元件基板，
所述第2水分阻隔层是采用化学气相沉积法或原子层沉积法形成的。


5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管元件基板，
所述第1水分阻隔层和所述第2水分阻隔层的构成中的氧化物不同。


6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管元件基板，
所述第1水分阻隔层具有铝(Al)的氧化物，所述第2水分阻隔层具有锆(Zr)的氧化物。


7.一种薄膜晶体管元件基板的制造方法，包括以下步骤：
在以树脂材料为主成分的树脂基板上形成第2水分阻隔层；
在所述第2水分阻隔层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟之江有宣，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP