一种高可靠性的浪涌吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高可靠性的浪涌吸收电路，包括整流桥BD1、电解电容EC1、电阻R3和电容CBB，所述整流桥BD1的1管脚与所述电解电容EC1的正极电性连接，所述整流桥BD1的4管脚与所述电解电容EC1的负极电性连接，所述整流桥BD1的1管脚还依次通过所述电容CBB和所述电阻R3与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。本实用新型专利技术公开的一种高可靠性的浪涌吸收电路，其能抑制开关电源在开机时浪涌电流过大的现象。

A high reliability surge absorbing circuit

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性的浪涌吸收电路
本技术属于浪涌电流
，具体涉及一种高可靠性的浪涌吸收电路。
技术介绍
开关电源具有环保、效率高、寿命长、高可靠性等优点，开关电源技术最近几十年发展的非常迅速，在家用、商用、工业领域已经广泛应用。传统的线性电源不环保、效率低、不节能。随着开关电源的使用增加，在一个供电系统中，如果同时开启用电设备，会出现输入浪涌电流大，从而发生供电设备损坏，打火等现象，如果浪涌电流过大，还可能会引起火灾等一些列不安全问题，因此需要一种开机浪涌抑制电路。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高可靠性浪涌吸收电路，其能抑制开关电源在开机时浪涌电流过大的现象。本技术的另一目的在于提供一种高可靠性浪涌吸收电路，其能解决多台开关电源并联使用、同时开启时，输入浪涌电流过大的问题，保证用户用电安全。为达到以上目的，本技术提供一种高可靠性浪涌吸收电路，包括：整流桥BD1、电解电容EC1、电阻R3和电容CBB，所述整流桥BD1的1管脚与所述电解电容EC1的正极电性连接，所述整流桥BD1的4管脚与所述电解电容EC1的负极电性连接，所述整流桥BD1的1管脚还依次通过所述电容CBB和所述电阻R3与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高可靠性的浪涌吸收电路还包括瞬态二极管TVS，所述瞬态二极管TVS与所述电阻R3并联，所述瞬态二极管TVS的一端与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述瞬态二极管TVS的另一端与所述电容CBB远离所述整流桥BD1的一端电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高可靠性的浪涌吸收电路还包括MOS管Q1、电容C2、二极管ZD1，所述MOS管Q1的源极与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的漏极与所述整流桥BD1的1管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极通过所述电容C2与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极还通过所述二极管ZD1与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高可靠性的浪涌吸收电路还包括电阻R9、三极管Q2、电容C1和电阻R7，所述电阻R9的一端与所述二极管ZD1的阴极电性连接，所述电阻R9远离所述二极管ZD1的一端与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的集电极与所述二极管ZD1的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q2的集电极之间并接有所述电容C1和所述电阻R7。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高可靠性的浪涌吸收电路还包括电阻R8、二极管D1、电阻R6、电阻R5和电阻R4，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述三极管Q2的发射极的一端通过所述二极管D1与所述三极管Q2的基极电性连接，所述二极管D1的阳极依次通过所述电阻R6、所述电阻R5和所述电阻R4与所述整流桥BD1的1管脚电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高可靠性的浪涌吸收电路还包括输入端，所述输入端包括ACL、ACN、PE。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，输入端与所述整流桥BD1之间连接有EMI滤波器，所述EMI滤波器的一端与所述整流桥BD1的2管脚电性连接，所述EMI滤波器的另一端与所述整流桥BD1的3管脚电性连接。附图说明图1是本技术的高可靠性的浪涌吸收电路图。具体实施方式以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。本技术公开了一种高可靠性的浪涌吸收电路，下面结合优选实施例，对技术的具体实施例作进一步描述。参见附图的图1，图1是本技术的高可靠性的浪涌吸收电路图。在本技术的施例中，本领域技术人员注意，本技术涉及的EMI滤波器、整流桥等可被视为现有技术。优选实施例。本技术公开一种高可靠性的浪涌吸收电路，包括：整流桥BD1、电解电容EC1、电阻R3和电容CBB，所述整流桥BD1的1管脚与所述电解电容EC1的正极电性连接，所述整流桥BD1的4管脚与所述电解电容EC1的负极电性连接，所述整流桥BD1的1管脚还依次通过所述电容CBB和所述电阻R3与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。具体的是，高可靠性的浪涌吸收电路还包括瞬态二极管TVS，所述瞬态二极管TVS与所述电阻R3并联，所述瞬态二极管TVS的一端与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述瞬态二极管TVS的另一端与所述电容CBB远离所述整流桥BD1的一端电性连接。更具体的是，高可靠性的浪涌吸收电路还包括MOS管Q1、电容C2、二极管ZD1，所述MOS管Q1的源极与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的漏极与所述整流桥BD1的1管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极通过所述电容C2与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极还通过所述二极管ZD1与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。进一步的是，高可靠性的浪涌吸收电路还包括电阻R9、三极管Q2、电容C1和电阻R7，所述电阻R9的一端与所述二极管ZD1的阴极电性连接，所述电阻R9远离所述二极管ZD1的一端与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的集电极与所述二极管ZD1的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q2的集电极之间并接有所述电容C1和所述电阻R7。更进一步的是，高可靠性的浪涌吸收电路还包括电阻R8、二极管D1、电阻R6、电阻R5和电阻R4，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述三极管Q2的发射极的一端通过所述二极管D1与所述三极管Q2的基极电性连接，所述二极管D1的阳极依次通过所述电阻R6、所述电阻R5和所述电阻R4与所述整流桥BD1的1管脚电性连接。值得一提的是，高可靠性的浪涌吸收电路还包括输入端，所述输入端包括ACL(交流火线)、ACN(交流零线)、PE(接地)。优选地，输入端与所述整流桥BD1之间连接有EMI滤波器，所述EMI滤波器的一端与所述整流桥BD1的2管脚电性连接，所述EMI滤波器的另一端与所述整流桥BD1的3管脚电性连接。本技术的原理为：开启开关电源，交流电经过整流桥DB1后，整流为直流电，直流电先给电解电容EC1充电，随后经过电阻R3到达整流桥DB1。由于电阻R3阻值比较大，所以能抑制开机浪涌电流。随着电解电容EC1持续充电，二极管D1的阳极电位增加，电容C2的电压也随之增加，MOS管Q1由关闭变为导通，大部分电流流过MOS管Q1。由于此时MOS管Q1的内阻非常小，从而在启动完成后，电源的效率不受电阻R3的影响，保证开关电流的效率高的特性。瞬态二极管TVS并联本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高可靠性的浪涌吸收电路，其特征在于，包括：/n整流桥BD1、电解电容EC1、电阻R3和电容CBB，所述整流桥BD1的1管脚与所述电解电容EC1的正极电性连接，所述整流桥BD1的4管脚与所述电解电容EC1的负极电性连接，所述整流桥BD1的1管脚还依次通过所述电容CBB和所述电阻R3与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性的浪涌吸收电路，其特征在于，包括：
整流桥BD1、电解电容EC1、电阻R3和电容CBB，所述整流桥BD1的1管脚与所述电解电容EC1的正极电性连接，所述整流桥BD1的4管脚与所述电解电容EC1的负极电性连接，所述整流桥BD1的1管脚还依次通过所述电容CBB和所述电阻R3与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种高可靠性的浪涌吸收电路，其特征在于，高可靠性的浪涌吸收电路还包括瞬态二极管TVS，所述瞬态二极管TVS与所述电阻R3并联，所述瞬态二极管TVS的一端与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述瞬态二极管TVS的另一端与所述电容CBB远离所述整流桥BD1的一端电性连接。


3.根据权利要求2所述的一种高可靠性的浪涌吸收电路，其特征在于，高可靠性的浪涌吸收电路还包括MOS管Q1、电容C2、二极管ZD1，所述MOS管Q1的源极与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的漏极与所述整流桥BD1的1管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极通过所述电容C2与所述整流桥BD1的4管脚电性连接，所述MOS管Q1的栅极还通过所述二极管ZD1与所述整流桥BD1的4管脚电性连接。


4.根据权利要求3所述的一种高可靠性的浪涌吸收电路，其特征在于，高...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙利权，方洁苗，汪潺，
申请(专利权)人：浙江榆阳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33