一种高压直流母线快速放电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压直流母线快速放电电路，包括电源V1、电阻R1、三极管Q1、控制端和光电耦合器U1，所述电源V1的正极与所述电阻R1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述电源V1的一端与所述三极管Q1的集电极电性连接，所述三极管Q1的基极和控制端电性连接，所述三极管Q1的发射极与所述光电耦合器U1的阳极电性连接，所述光电耦合器U1的阴极接地，直流母线的一端与电容C3电性连接，所述电容C3的另一端接地。本实用新型专利技术公开的一种高压直流母线快速放电电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高压直流母线快速放电电路
本技术属于市电供电的电源
，具体涉及一种高压直流母线快速放电电路。
技术介绍
随着电源的安规标准升级加严，各国对于安全问题越来越重视。绝大多数产品市电供电，小功率的电路还可以在X电容两端用并联电阻的方式在断电时候实现快速放电。但大功率的电路、尤其几十千瓦的电源，前级的电容都是mF级别，普通的电阻无法放置，即使放置也存在一定的安全隐患。所以需要设计一种多重控制的放电电路，满足日益增长的技术需求。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高压直流母线快速放电电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。本技术的另一目的在于提供一种高压直流母线快速放电电路，其通过光电耦合器U1，将高压电和低压电隔离。为达到以上目的，本技术公开一种高压直流母线快速放电电路，包括：电源V1、电阻R1、三极管Q1、控制端和光电耦合器U1，所述电源V1的正极与所述电阻R1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述电源V1的一端与所述三极管Q1的集电极电性连接，所述三极管Q1的基极和控制端电性连接，所述三极管Q1的发射极与所述光电耦合器U1的阳极电性连接，所述光电耦合器U1的阴极接地；直流母线，所述直流母线的一端与电容C3电性连接，所述电容C3的另一端接地。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R2、二极管D1，所述直流母线靠近电容C3的一端还与所述电阻R2的一端电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端与所述光电耦合器U1的集电极电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述二极管D1的阴极电性连接，所述二极管D1的阳极和所述光电耦合器U1的发射极接地。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和IGBT管M1，所述直流母线靠近电容C3的一端还依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述电阻R5与所述IGBT管M1的漏极电性连接，所述IGBT管M1的源极接地。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R6、电阻R7、二极管D2、电容C1，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与电阻R6的一端电性连接，所述电阻R6远离所述电阻R2的一端与所述二极管D2的阴极电性连接，所述二极管D2的阳极通过所述电阻R7与所述电阻R2远离所述电容C3的一端电性连接，所述二极管D2的阳极还通过所述电容C1接地。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R8、二极管D3和电阻R9，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述电阻R2的一端与所述二极管D3的阴极电性连接，所述二极管D3的阳极通过所述电阻R9接地。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R10、二极管D4、三极管Q2和电容C2，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述电阻R10的一端电性连接，所述电阻R10远离所述电阻R2的一端与所述三极管Q2的集电极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述电阻R2和所述电阻R10的共接端与所述二极管D4的阴极电性连接，所述二极管D4的阳极通过所述电容C2接地，所述三极管Q2的集电极与所述二极管D4的阳极电性连接，所述三极管Q2的集电极还与所述IGBT管M1的栅极电性连接。附图说明图1是本技术的高压直流母线快速放电电路图。具体实施方式以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。本技术公开了一种高压直流母线快速放电电路，下面结合优选实施例，对技术的具体实施例作进一步描述。参见附图的图1，图1是本技术的高压直流母线快速放电电路图。在本技术的施例中，本领域技术人员注意，本技术涉及的电源、二极管等可被视为现有技术。优选实施例。本技术公开了一种高压直流母线快速放电电路，包括：电源V1、电阻R1、三极管Q1、控制端POWER_OFF和光电耦合器U1，所述电源V1的正极与所述电阻R1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述电源V1的一端与所述三极管Q1的集电极电性连接，所述三极管Q1的基极和控制端电性连接，所述三极管Q1的发射极与所述光电耦合器U1的阳极电性连接，所述光电耦合器U1的阴极接地；直流母线DC_BUS，所述直流母线DC_BUS的一端与电容C3电性连接，所述电容C3的另一端接地。具体的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R2、二极管D1，所述直流母线靠近电容C3的一端还与所述电阻R2的一端电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端与所述光电耦合器U1的集电极电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述二极管D1的阴极电性连接，所述二极管D1的阳极和所述光电耦合器U1的发射极接地。更具体的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和IGBT管M1，所述直流母线DC_BUS靠近电容C3的一端还依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述电阻R5与所述IGBT管M1的漏极电性连接，所述IGBT管M1的源极接地。进一步的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R6、电阻R7、二极管D2、电容C1，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与电阻R6的一端电性连接，所述电阻R6远离所述电阻R2的一端与所述二极管D2的阴极电性连接，所述二极管D2的阳极通过所述电阻R7与所述电阻R2远离所述电容C3的一端电性连接，所述二极管D2的阳极还通过所述电容C1接地。更进一步的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R8、二极管D3和电阻R9，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述电阻R2的一端与所述二极管D3的阴极电性连接，所述二极管D3的阳极通过所述电阻R9接地。优选地，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R10、二极管D4、三极管Q2和电容C2，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述电阻R10的一端电性连接，所述电阻R10远离所述电阻R2的一端与所述三极管Q2的集电极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述电阻R2和所述电阻R10的共接端与所述二极管D4的阴极电性连接，所述二极管D4的阳极通过所述电容C2接地，所述三极管Q2的集电极与所述二极管D4的阳极电性连接，所述三极管Q2的集电极还与所述IGBT管M1的栅极电性连接。本技术的工作原理及优点为：当产品上电时，POWER_OFF高电平，让光电耦合器U1的原边正常导通，同时光电耦合器U1的副边也导通，IGBT管M1无法工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压直流母线快速放电电路，其特征在于，包括：/n电源V1、电阻R1、三极管Q1、控制端和光电耦合器U1，所述电源V1的正极与所述电阻R1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述电源V1的一端与所述三极管Q1的集电极电性连接，所述三极管Q1的基极和控制端电性连接，所述三极管Q1的发射极与所述光电耦合器U1的阳极电性连接，所述光电耦合器U1的阴极接地；/n直流母线，所述直流母线的一端与电容C3电性连接，所述电容C3的另一端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压直流母线快速放电电路，其特征在于，包括：
电源V1、电阻R1、三极管Q1、控制端和光电耦合器U1，所述电源V1的正极与所述电阻R1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述电源V1的一端与所述三极管Q1的集电极电性连接，所述三极管Q1的基极和控制端电性连接，所述三极管Q1的发射极与所述光电耦合器U1的阳极电性连接，所述光电耦合器U1的阴极接地；
直流母线，所述直流母线的一端与电容C3电性连接，所述电容C3的另一端接地。


2.根据权利要求1所述的一种高压直流母线快速放电电路，其特征在于，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R2、二极管D1，所述直流母线靠近电容C3的一端还与所述电阻R2的一端电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端与所述光电耦合器U1的集电极电性连接，所述电阻R2远离所述电容C3的一端还与所述二极管D1的阴极电性连接，所述二极管D1的阳极和所述光电耦合器U1的发射极接地。


3.根据权利要求1所述的一种高压直流母线快速放电电路，其特征在于，高压直流母线快速放电电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和IGBT管M1，所述直流母线靠近电容C3的一端还依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述电阻R5与所述IGBT管M1的漏极电性连接，所述IGBT管M1的源极接地。


4.根据权利要求2所述的一种高压直流母线快速放电电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景超，方洁苗，龙利权，汪潺，
申请(专利权)人：浙江榆阳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33