防震荡过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了防震荡过压保护电路，所述过压保护电路用于电源供电部分，所述电源包括输入端口IN_V和输出端口Safety_V，包括一级稳压单元、二级稳压单元、工作单元和控制单元，所述一级稳压单元连接电源输入端口IN_V和二级稳压单元，所述二级稳压单元、工作单元和控制单元依次连接，所述控制单元的输出端连接电源输出端口Safety_V，所述一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值。本实用新型专利技术可以避免在电压临界值时电路输出端不断开关的现象，且电压调低至稳压二极管D2电压值以下后，能自恢复电源供电，对电子器件能够起到较好的保护作用。

Anti vibration and over voltage protection circuit

【技术实现步骤摘要】
防震荡过压保护电路
：本技术属于电源供电保护
，特别涉及防震荡过压保护电路。
技术介绍
：在电子器件使用过程中，电源供电起到至关重要的作用，但由于操作不当或者其他等种种原因可能会造成过压问题，因此需要设计过压保护电路，传统的过压保护电路虽然可以起到电压过高切断电路保护的作用，但是当输入电压在过压保护元器件的临界值时，会出现电源输出端不断开关的震荡现象，从而损坏电子器件。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
：本技术的目的在于提供防震荡过压保护电路，从而克服上述现有技术中的缺陷。为实现上述目的，本技术提供防震荡过压保护电路，所述过压保护电路用于电源供电部分，所述电源包括输入端口IN_V和输出端口Safety_V，包括一级稳压单元、二级稳压单元、工作单元和控制单元，所述一级稳压单元连接电源输入端口IN_V和二级稳压单元，所述二级稳压单元、工作单元和控制单元依次连接，所述控制单元的输出端连接电源输出端口Safety_V，所述一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值。所述一级稳压单元包括电阻R1、电阻R2和稳压二极管D2，所述电阻R1的两端分别与电源输入端口IN_V、稳压二极管D2负极相连，所述稳压二极管D2正极接地。所述二级稳压单元包括电阻R4、电阻R5、电阻R6、稳压二极管D3和三极管Q3，所述电阻R4的一端与电阻R2接通，另一端与三极管Q3集电极c连接，所述电阻R5的一端与三极管Q3基极连接，另一端连接于电阻R6和稳压二极管D3正极之间，所述电阻R6、三极管Q3发射极e接地。所述工作单元包括三极管Q2和稳压二极管D1，所述三极管Q2集电极c与稳压二极管D1正极接通，所述三极管Q2发射极e与电源输入端口IN_V、电阻R1、稳压二极管D1负极均接通。所述控制单元包括一个MOS管和电阻R3，所述MOS管源极S与电源输入端口IN_V、稳压二极管D1负极接通，所述MOS管栅极G与电阻R3连接，所述MOS管漏极D与电源输出端口Safety_V连接，所述电阻R3接地。所述稳压二极管D3的稳压值低于稳压二极管D2的稳压值。所述三极管Q3为NPN型三极管。所述三极管Q2为PNP型三极管。采用本技术的技术方案的一方面具有以下有益效果：本技术的电路设计有一级稳压单元、二级稳压单元，其中一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值，当输入电压瞬间高于一级稳压单元时，电路处于断开的状态，当输入电压在一级稳压单元与二级稳压单元之间波动时，电路仍然处于断开的状态，即在一级稳压单元的临界值时，电路仍然是断开状态，从而避免在电压临界值时电路输出端不断开关的现象；当输入电压调低至二级稳压单元稳压值以下时，电路自恢复供电功能，对电子器件能够起到较好的保护作用。附图说明：图1为本技术的防震荡过压保护电路的示意图；图2为本技术的防震荡过压保护电路工作时的波形示意图；附图标记：1-一级稳压单元、2-二级稳压单元、3-工作单元、4-控制单元。具体实施方式：下面对本实用技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。如图1所示，防震荡过压保护电路，所述过压保护电路用于电源供电部分，所述电源包括输入端口IN_V和输出端口Safety_V，包括一级稳压单元1、二级稳压单元2、工作单元3和控制单元4，所述一级稳压单元1连接电源输入端口IN_V和二级稳压单元2，所述二级稳压单元2、工作单元3和控制单元4依次连接，所述控制单元4的输出端连接电源输出端口Safety_V，所述一级稳压单元1的稳压值大于二级稳压单元2的稳压值。所述一级稳压单元1包括电阻R1、电阻R2和稳压二极管D2，所述电阻R1的两端分别与电源输入端口IN_V、稳压二极管D2负极相连，所述稳压二极管D2正极接地。所述二级稳压单元2包括电阻R4、电阻R5、电阻R6、稳压二极管D3和三极管Q3，所述电阻R4的一端与电阻R2接通，另一端与三极管Q3集电极c连接，所述电阻R5的一端与三极管Q3基极连接，另一端连接于电阻R6和稳压二极管D3正极之间，所述电阻R6、三极管Q3发射极e接地。所述工作单元3包括三极管Q2和稳压二极管D1，所述三极管Q2集电极c与稳压二极管D1正极接通，所述三极管Q2发射极e与电源输入端口IN_V、电阻R1、稳压二极管D1负极均接通。所述控制单元4包括一个MOS管和电阻R3，所述MOS管源极S与电源输入端口IN_V、稳压二极管D1负极接通，所述MOS管栅极G与电阻R3连接，所述MOS管漏极D与电源输出端口Safety_V连接，所述电阻R3接地。所述稳压二极管D3的稳压值低于稳压二极管D2的稳压值。其中所述三极管Q3为NPN型三极管，所述三极管Q2为PNP型三极管。如图2所示，实施时，以稳压二极管D2的稳压值30V、稳压二极管D3的稳压值27V为例，当输入电压大于30V时，如在30V-35V之间波动时，此时输入电压超出稳压二极管D2的稳压值30V，稳压二极管D2被击穿，三极管Q2基极b和发射极e之间产生压差，三极管Q2导通，由于稳压二极管D3的稳压值为27V，稳压二极管D3也被击穿，二级稳压单元2和工作单元3均导通，此时MOS管Q1截流，输出端口Safety_V输出电压为0，开关断开；当输入电压从35V往27V降时，尤其电压在30-27V区间波动时，稳压二极管D2截流，但电阻R2到三极管Q2的线路上瞬间还未截流，三极管Q2导通并击穿稳压二极管D3，稳压二极管D3由电阻R6接地导通，二级稳压单元2导通使得三极管Q2一直拉地处于导通状态，工作单元3也因此导通，此时MOS管Q1截流，输出端口Safety_V输出电压仍然为0，开关断开；当输入电压降到27V以下时，稳压二极管D2、稳压二极管D3均处于截流状态，三极管Q2、三极管Q3均不导通，输出端口Safety_V输出电压等于输入端口IN_V电压；此时再从27V以下如25V往30V上升时，稳压二极管D3、稳压二极管D2仍未导通，三极管Q2、三极管Q3均不导通，输出端口Safety_V输出电压等于输入端口IN_V电压。此外稳压二极管D1的可以有效防止电路反接或短路，在MOS管正常打开工作时有效抑制MOS管源级S与栅极G之间的压差，防止MOS的源级S与栅极G之间压差过大，损坏MOS管。本技术的电路设计有一级稳压单元、二级稳压单元，其中一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值，当输入电压瞬间高于一级稳压单元时，电路处于断开的状态，当输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.防震荡过压保护电路，所述过压保护电路用于电源供电部分，所述电源包括输入端口IN_V和输出端口Safety_V，其特征在于：包括一级稳压单元、二级稳压单元、工作单元和控制单元，所述一级稳压单元连接电源输入端口IN_V和二级稳压单元，所述二级稳压单元、工作单元和控制单元依次连接，所述控制单元的输出端连接电源输出端口Safety_V，所述一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值。/n

【技术特征摘要】
1.防震荡过压保护电路，所述过压保护电路用于电源供电部分，所述电源包括输入端口IN_V和输出端口Safety_V，其特征在于：包括一级稳压单元、二级稳压单元、工作单元和控制单元，所述一级稳压单元连接电源输入端口IN_V和二级稳压单元，所述二级稳压单元、工作单元和控制单元依次连接，所述控制单元的输出端连接电源输出端口Safety_V，所述一级稳压单元的稳压值大于二级稳压单元的稳压值。


2.根据权利要求1所述的防震荡过压保护电路，其特征在于：所述一级稳压单元包括电阻R1、电阻R2和稳压二极管D2，所述电阻R1的两端分别与电源输入端口IN_V、稳压二极管D2负极相连，所述稳压二极管D2正极接地。


3.根据权利要求2所述的防震荡过压保护电路，其特征在于：所述二级稳压单元包括电阻R4、电阻R5、电阻R6、稳压二极管D3和三极管Q3，所述电阻R4的一端与电阻R2接通，另一端与三极管Q3集电极c连接，所述电阻R5的一端与三极管Q3基极连接，另一端连接于电阻R6和稳压二极管D3正极之间，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海芳，罗志怡，赵先锋，张永刚，
申请(专利权)人：无锡盛景电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32