【技术实现步骤摘要】
辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法。
技术介绍
随着对空间探索的不断延伸，越来越多的电子系统将应用于各种不同的辐射环境中。空间辐射效应对电子器件可造成不同程度的破坏，导致系统发生故障。双极型晶体管较强的抗辐射能力，近年来在空间辐射环境中也表现出极大的应用前景。空间辐射尤其是中子辐射和重离子辐射在半导体材料及器件内部产生大量的位移损伤，增加了载流子散射几率，降低载流子寿命。作为一种少子器件，基区少数载流子寿命的降低将使得基区复合电流增加，降低晶体管电流增益。如何精准评估辐射损伤诱导的双极型晶体管电流增益的退化，是辐射环境下双极型晶体管电路设计的前提与关键。双极型晶体管电流增益分为共射极正向电流增益和共集电极反向电流增益。以NPN型双极型晶体管为例，工作在正向有源模式下时基极电流存在如下三个分量：从基区向发射区注入的空穴电流IB1；BE结空间电荷区及界面处的复合电流IB2；中性基区内的中性基区复合电流IB2。...
【技术保护点】
1.一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：/n步骤1：基于大注入条件发射极电流得到由发射区注入至基区的少数载流子浓度n
【技术特征摘要】
1.一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：
步骤1：基于大注入条件发射极电流得到由发射区注入至基区的少数载流子浓度nE大注入条件下发射区注入至基区的载流子浓度分布远大于中性基区浓度，在设定由发射极注入的载流子满足线性分布的条件下，得到发射区注入至基区的载流子浓度nE；
步骤2：获得基极电流和电流增益的分布
大注入条件下，忽略空间电荷区及界面处的复合电流，基极电流由向集电区反向注入的空穴电流IB1以及在中性...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙亚宾，王昌锋，田明，李小进，石艳玲，廖端泉，曹永峰，
申请(专利权)人：华东师范大学，上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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