本发明专利技术提供一种有机电致发光器件用化合物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术提供的化合物，通过在结构中引入两个苯并噁唑和/或苯并噻唑基团，使其具有高折射率，折射率可达到2.00，作为覆盖层材料，可以改善半透射电极的透过率，调节出光方向和提高出光效率。此外，本发明专利技术提供的化合物，通过引入特定的取代基对结构进行优化，提高了玻璃化转变温度，具有优异的稳定性，用作有机电致发光器件的覆盖层材料时，可以有效的提高器件的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件用化合物及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种有机电致发光器件用化合物及其有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)是一种全固态的发光器件，具有高亮度、高对比度、高清晰度、宽视角、宽色域、超薄、超轻、低功耗、宽温度、自发光、发光效率高、反应时间短、透明、柔性等优点，已经在手机、电视、微型显示等领域得到商用，被业内人士称为“梦幻般的显示器”，将成为未来最具发展潜力的新型显示技术。由于在有机发光二极管的ITO薄膜和玻璃衬底的界面或者玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射，所以只能利用发出的光的20％，其余80％的光都限制在器件内部转化为热，这会对器件产生不利影响。在顶发射器件中，通常会在半透明电极的外侧设置高折射率的覆盖层，以调节光学干涉距离，减少器件的全反射效应，提高光取出效率。但是，目前覆盖层材料的种类较为单一，所以开发新型的覆盖层材料，具有很重要的实际应用价值。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供一种有机电致发光器件用化合物及其有机电致发光器件。本专利技术提供了一种有机电致发光器件用化合物，具有如下式(I)所示结构：L选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基；X为O或S；Ar1～Ar4独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1、Ar2与所在N原子键合成环、所述Ar3、Ar4与所在N原子键合成环；m、n独立的选自0、1、2或3；R1、R2独立的选自H、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R1基团键合形成环结构，或者相邻的两个R2基团键合形成环结构；当m大于1时，每个R1相同或者不同，当n大于1时，每个R2相同或者不同本专利技术还提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括覆盖层、阴极、有机物层、阳极和基板，所述覆盖层含有所述的有机电致发光器件用化合物。本专利技术的有益效果：本专利技术首先提供一种有机电致发光器件用化合物，通过在结构中引入两个苯并噁唑和/或苯并噻唑基团，使其具有高折射率，折射率可达到2.00，作为覆盖层材料，可以改善半透射电极的透过率，调节出光方向和提高出光效率。此外，本专利技术提供的化合物，通过引入特定的取代基对结构进行优化，提高了玻璃化转变温度，具有优异的稳定性，用作有机电致发光器件的覆盖层材料时，可以有效的提高器件的使用寿命。本专利技术还提供一种机电致发光器件，具有高的发光效率和优异的寿命表现。附图说明图1为本专利技术实施例1制备得到化合物的1HNMR图。图2为本专利技术实施例2制备得到化合物的1HNMR图。图3为本专利技术实施例4制备得到化合物的1HNMR图。图4为本专利技术实施例6制备得到化合物的1HNMR图。图5为本专利技术实施例7制备得到化合物的1HNMR图。图6为本专利技术实施例9制备得到化合物的1HNMR图。图7为本专利技术实施例11制备得到化合物的1HNMR图。具体实施方式下面将结合本专利技术具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术首先提供一种有机电致发光器件用化合物，具有如下式(I)所示结构：L选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基；X为O或S；Ar1～Ar4独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1、Ar2与所在N原子键合成环、所述Ar3、Ar4与所在N原子键合成环；m、n独立的选自0、1、2或3；R1、R2独立的选自H、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R1基团键合形成环结构，或者相邻的两个R2基团键合形成环结构；当m大于1时，每个R1相同或者不同，当n大于1时，每个R2相同或者不同。本专利技术中所述“取代或未取代的”中，所述取代基独立的选自氘原子、氰基、硝基、卤素原子、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C1～C10的烷硫基、C6～C30的芳基、C6～C30的芳氧基、C6～C30的芳硫基、C3～C30的杂芳基，C1～C30的硅烷基、C2～C10的烷胺基、C6～C30的芳胺基，或上述基团的组合等，例如：氘原子、氰基、硝基、卤素、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、甲氧基、甲硫基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、芴基、9,9-二甲基芴基、苯甲基、苯氧基、苯硫基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、三苯基硅基、三甲基硅基、三氟甲基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、吡啶基、吡嗪基、三嗪基、嘧啶基等，但不限于此，只要可以达到本专利技术的技术效果，则所述取代基可以为除了上述列举之外的取代基。所述取代基可以为一个或者多个，当所述取代基为多个时，多个取代基之间相同或者不同。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基或环烷基，优选具有1至15个碳原子，更优选1至10个碳原子，特别优选1至4个碳原子。实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述烷氧基是指烷基与氧原子连结后的基团，即“烷基-O-”基团，其中烷基定义如上。实例可包括甲氧基、乙氧基、2-丙氧基、2-环己氧基等，但不限于此。本专利技术所述烷硫基是指烷基与硫原子连结后的基团，即“烷基-S-”基团，其中烷基定义如上。本专利技术所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选6至18个碳原子，特别优选6至14个碳原子。实例可包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、螺二芴基等，但不限于此。本专利技术所述芳氧基是指芳基与氧原子连结后的基团，即“芳基-O-”基团，其中芳基定义如上。本专利技术所述芳硫基是指芳基与硫原子连结后的基团，即“芳基-S-”基团，其中芳基定义如上。本专利技术所述杂芳基是指芳基中一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或硅原子，优选具有1至25个碳原子，更优选2至20个碳原子，特别优选3至15个碳原子。所述杂芳基可以为单环、多环或稠环，实例可包括呋喃基、噻吩基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩恶嗪基、苯并嘧啶基、咔唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、二苯并噻吩、二苯并呋喃、吖啶基等，但不限于此。本专利技术所述硅烷基可列举三甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，具有如下式(I)所示结构：/n
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，具有如下式(I)所示结构：
L选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基；
X为O或S；
Ar1～Ar4独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1、Ar2与所在N原子键合成环、所述Ar3、Ar4与所在N原子键合成环；
m、n独立的选自0、1、2或3；
R1、R2独立的选自H、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R1基团键合形成环结构，或者相邻的两个R2基团键合形成环结构；
当m大于1时，每个R1相同或者不同，当n大于1时，每个R2相同或者不同。
2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，L选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基中的任一种。
3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，L选自单键或如下基团中的任一种：
4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，Ar1～Ar4独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基中的任一种，或者所述Ar1、Ar2与所在N原子键合成环、所述Ar3、Ar4与所在N原子键合成环。
5.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，Ar1～Ar4独立的选自如下基团中的任一种，或者所述Ar1、Ar2与所在N原子键合成环、所述Ar3、Ar4与所在N原子键合成环：
6.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件用化合物，其特征在于，选自如下所示化合物中的任意一种：
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【专利技术属性】
技术研发人员：杜明珠，刘辉，赵倩，王英雪，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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