功率半导体模块制造技术

本发明专利技术提供一种功率半导体模块，即使在为了实现功率半导体模块的大容量化且保证高绝缘可靠性而扩大绝缘基板上的表面电极的面积，使沿面距离缩小的情况下，也能够防止因沿面放电引起的短路击穿。功率半导体模块(100)的特征在于，具有：绝缘基板(2)，其在表背面上设有第一电极(7‑1)和第二电极(7‑2)；功率半导体芯片(1)，其与第一电极(7‑1)接合；金属基座(3)，其与第二电极(7‑2)接合；绝缘壳体(5)；以及硅凝胶(6)，其配置于由金属基座(3)和绝缘壳体(5)形成的空间内且密封绝缘基板(2)和功率半导体芯片(1)，绝缘基板(2)的互相对置的侧面彼此或与绝缘基板(2)对置的绝缘壳体(5)的侧面和绝缘基板(2)的侧面通过硬质树脂(8)接合，硬质树脂(8)覆盖缘基板(2)从第一电极(7‑1)露出的部分的一部分及绝缘基板(2)的侧面的一部分。

Power semiconductor module

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块
本专利技术涉及一种要求高绝缘可靠性的高耐电压的功率半导体模块。
技术介绍
搭载功率半导体模块的电力变换器(转换器或逆变器)广泛用于铁路、汽车、工业以及电力、社会基础设施等各领域。以往，作为用于提高特别是在高温下动作的半导体装置的树脂密封的可靠性的技术，具有以下技术：将形成有表面电极图案、背面电极图案的绝缘基板和与表面电极图案接合的半导体元件利用含有环氧树脂等的第一密封树脂密封，并且将未形成表面电极图案或背面电极图案的绝缘基板的部分和第一密封树脂用弹性率比第一密封树脂小的含有硅树脂等的第二密封树脂覆盖，构成半导体装置，从而在高温动作时，利用弹性率小的第二密封树脂缓和应力，并且想要缓和第一密封树脂的端部的应力集中(例如，参照专利文献1)。另外，以往，作为提高树脂密封型逆变器模块的绝缘可靠性的技术，具有以下技术：将在基座金属板上所接合的无机基板(绝缘基板)、以使该无机基板的周缘部露出的方式形成于无机基板上的导体箔(电极)以及搭载于该导体箔上的半导体元件用硅凝胶密封，并且将导体箔的外周侧面部及无机基板的周缘部用具有比硅凝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，其具有：/n至少一张绝缘基板；/n第一电极及第二电极，其分别固定于上述绝缘基板的第一面以及作为上述第一面的相反侧的面的第二面；/n功率半导体芯片，其与上述绝缘基板的上述第一电极接合；/n金属基座，其与上述绝缘基板的上述第二电极接合；/n绝缘壳体，其同时容纳上述绝缘基板、上述第一电极、上述第二电极以及上述功率半导体芯片；以及/n硅凝胶，其配置于由上述金属基座和上述绝缘壳体形成的空间的内部，且同时密封上述绝缘基板、上述第一电极、上述第二电极以及上述功率半导体芯片，/n上述率半导体模块的特征在于，/n上述绝缘基板的互相对置的侧面彼此之间以及与上述绝缘基板对置的上述绝缘壳体的侧...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170830 JP 2017-1649971.一种功率半导体模块，其具有：
至少一张绝缘基板；
第一电极及第二电极，其分别固定于上述绝缘基板的第一面以及作为上述第一面的相反侧的面的第二面；
功率半导体芯片，其与上述绝缘基板的上述第一电极接合；
金属基座，其与上述绝缘基板的上述第二电极接合；
绝缘壳体，其同时容纳上述绝缘基板、上述第一电极、上述第二电极以及上述功率半导体芯片；以及
硅凝胶，其配置于由上述金属基座和上述绝缘壳体形成的空间的内部，且同时密封上述绝缘基板、上述第一电极、上述第二电极以及上述功率半导体芯片，
上述率半导体模块的特征在于，
上述绝缘基板的互相对置的侧面彼此之间以及与上述绝缘基板对置的上述绝缘壳体的侧面和上述绝缘基板的侧面之间的至少任意一方通过硬质树脂互相接合，
上述硬质树脂覆盖上述绝缘基板的上述第一面的从上述第一电极露出的部分的一部分以及上述绝缘基板的上述第二面的从上述第二电极露出的部分的一部分的任意一方和上述绝缘基板的侧面的一部分。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，
上述绝缘基板的上述第一面的从上述第一电极露出的部分以及上述绝缘基板的侧面的一部分由上述硅凝胶覆盖，
上述绝缘基板的上述第二面的从上述第二电极露出的部分以及上述绝缘基板的侧面的其它部分由上述硬质树脂覆盖，
在将上述绝缘基板的上述第一面设为上方，将上述第二面设为下方的情况下，上述硬质树脂的上方与上述硅凝胶相接，上述硬质树脂的下方与上述金属基座相接。


3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，
上述绝缘基板的互相对置的侧面彼此之间通过上述硬质树脂互相接合，
就上述绝缘基板的互相对置的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：川村大地，增田彻，楠川顺平，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：日本;JP