一种带遮板的电浆蚀刻反应室制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板、陶瓷板，机壳内部形成一容室，机壳内壁上设有绝缘板；基座设于容室的下方，第二电极设于该基座上；铝基板设置在第二电极上用于承载晶圆；机壳上方开有一通孔，陶瓷板封盖该通孔，第一电极设于该陶瓷板上方；还包括有遮板，遮板设置在陶瓷板下方，并且该遮板靠近陶瓷板一端的末端设有一导角，该导角与陶瓷板之间形成间隙；遮板及导角由绝缘材料制成。本实用新型专利技术的导角设计，使得溅镀覆盖在陶瓷板和遮板上的金属不导通，克服高密度电浆无法形成的问题；而且可以减少反应室的维护工作量及次数。另外，本实用新型专利技术使用平板陶瓷即可满足要求，设备成本降低。

A plasma etching reaction chamber with shutter

【技术实现步骤摘要】
一种带遮板的电浆蚀刻反应室
本技术涉及电浆蚀刻
，尤其涉及一种带遮板的电浆蚀刻反应室。
技术介绍
电浆蚀刻制程中，会产生很多的副产物，如二氧化硅、氮化硅等微粒，以及其它污染气体，这些微粒如果不能有效的黏附在容室的遮板上，并悬浮在容室的空间当中，造成二次污染，并最终导致产品合格率下降。现有技术中，防止这个副产物二次污染的做法是，在固定的周期将蚀刻的基板换成金属材质，铝金属尤佳，使用氩气粒子去轰击铝基板，将铝基板上的铝金属溅镀到容室的遮板上，将微粒黏着在容室的遮板上。同样的，如果将铝基板上的铝金属溅渡出来，会与容室当中的污染气体反应，且这溅镀出来的铝金属黏附在容室遮板上，也可将遮板上吸附的污染气体盖住，使得这些污染气体无法造成二次污染。但是这种做法的一个缺陷，现有技术中通常采用陶瓷板将第一电极隔离在容室外，而溅镀铝金属会使得陶瓷板和容室内绝缘板的表面被铝金属覆盖住并形成导通，导致容室内无法形成高密度电浆，影响电浆蚀刻的效率。现在克服该问题的方式是用侧向线圈搭配陶瓷拱顶，并使用金属笼将金属遮蔽住，从而减少金属溅镀在陶瓷拱顶上来维持高密度电浆的产生，这种操作复杂，而且陶瓷拱顶相比与平板陶瓷，制作过程麻烦且需要较多的时间，价格也更昂贵，使用成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种带遮板的电浆蚀刻反应室，可以解决陶瓷板与容室内绝缘板被溅镀金属覆盖后导通而导致强室内无法形成高密度电浆的问题，以及解决使用陶瓷拱顶导致的成本高的问题。为实现上述技术目的，本技术公开了一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板、陶瓷板，机壳内部形成一容室，机壳内壁上设有绝缘板；所述基座设于所述容室的下方，所述第二电极设于该基座上；铝基板设置在第二电极上用于承载晶圆；所述机壳上方开有一通孔，所述陶瓷板封盖该通孔，所述第一电极设于该陶瓷板上方；本技术还包括遮板，所述遮板设置在所述陶瓷板下方，并且该遮板靠近陶瓷板一端的末端设有一导角，该导角与陶瓷板之间形成间隙；所述遮板及导角由绝缘材料制成。优选地，所述陶瓷板为平直板。优选地，所述导角与所述陶瓷板平行。优选地，所述遮板可拆卸连接在所述容室内壁上。优选地，所述陶瓷板与所述机壳上的通孔通过密封圈密封。优选地，述机壳上设有用于镶嵌固定所述密封圈的嵌槽。优选地，述第一电极和所述第二电极平行。本技术具有以下有益效果：本技术通过设置遮板并对遮板靠近陶瓷板一端的末端设置一导角，导角与陶瓷板之间形成间隙，在溅镀过程中，导角的挡板效应，使得溅镀覆盖在陶瓷板和遮板上的金属不形成导通，从而克服无法形成高密度电浆的问题；而且，这个间隙被溅镀金属连通需要时间很长，相应地，就可以减少反应室的维护工作量及次数，变相地提高了生产效率。另外，本技术不再需要陶瓷拱顶，使用平板陶瓷即可满足要求，成本降低；而且在平板陶瓷上布置降低容室温度的水路更加容易，便于维护。附图说明图1为本技术的示意图。图2为本技术的效果图。主要部件符号说明：1：外壳，11：容室，12：嵌槽，13：绝缘板，2：基座，3：第一电极，4：第二电极，5：陶瓷板，6：遮板，61：导角，7：密封圈，8：铝基板，9：晶圆，10：溅镀金属。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。如图1所示，本技术公开了一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括外壳1、基座2、第一电极3、第二电极4、陶瓷板5、遮板6、密封圈7、铝基板8。外壳1内部形成一容室11，容室11内壁设有绝缘板13；机壳上方开有一通孔，该通孔被平直型陶瓷板5盖住，并通过密封圈7封堵；在通孔的周边开有一圈嵌槽12，密封圈7放置固定在该嵌槽12中。遮板6设于陶瓷板5下方，并可拆卸的固定在外壳1上，遮板6末端设有一导角61，该导角61与陶瓷板5平行并形成间隙，并且该导角61遮挡住陶瓷板5边缘。第一电极3设置在陶瓷板5的上方并与外部电源连接；基座2可伸缩地设在容室11的下方，第二电极4则设置在基座2上，铝基板8设于第二电极4上方并用于承载晶圆9，第二电极4的供电线经由基座2内部延伸至机壳外部与电源连接。如图2所示，本技术进行电浆蚀刻时，外部的机械手将晶圆9送入容室11内并放置在铝基板8上，往容室11中通入氩气至使该容室11内的气压升高到电浆可工作的压力。蚀刻开始后，电浆轰击晶圆9表面会产生副产物，同时电浆也轰击到铝基板8上溅射出铝金属，铝金属和这些副产物结合或反应后溅镀到容室11四周，陶瓷板5、遮板6以及绝缘板13上的表面都会覆盖这样一层溅镀金属10。这时，由于导角61的挡板6效应，加上陶瓷板5和导角61之间间隙的存在，覆盖在陶瓷板5上的金属和覆盖在遮板6以及导角61上的金属被该间隙阻断；溅镀金属10都是薄薄的一层，要使这个间隙被一层层金属叠加至连通，无疑需要长久的时间；此外，经过试验验证，导角61与陶瓷板5平行设计为最佳设计，相比于导角61与陶瓷板5延伸线形成角度来说，被金属连通需要时间最长。如此一来，反应室维护周期就可以相应地放宽，提高了生产效率；另外，维护时，在不影响蚀刻作业的前提下，仅需将陶瓷板5和导角61之间间隙中的溅镀金属10剔除即可，方便快捷。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板和陶瓷板，机壳内部形成一容室，机壳内壁上设有绝缘板；所述基座设于所述容室的下方，所述第二电极设于该基座上；铝基板设置在第二电极上用于承载晶圆；所述机壳上方开有一通孔，所述陶瓷板封盖该通孔，所述第一电极设于该陶瓷板上方；其特征在于，还包括遮板，所述遮板设置在所述陶瓷板下方，并且该遮板靠近陶瓷板一端的末端设有一导角，该导角与陶瓷板之间形成间隙；所述遮板及导角由绝缘材料制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板和陶瓷板，机壳内部形成一容室，机壳内壁上设有绝缘板；所述基座设于所述容室的下方，所述第二电极设于该基座上；铝基板设置在第二电极上用于承载晶圆；所述机壳上方开有一通孔，所述陶瓷板封盖该通孔，所述第一电极设于该陶瓷板上方；其特征在于，还包括遮板，所述遮板设置在所述陶瓷板下方，并且该遮板靠近陶瓷板一端的末端设有一导角，该导角与陶瓷板之间形成间隙；所述遮板及导角由绝缘材料制成。


2.根据权利要求1所述的带遮板的电浆蚀刻反应室，其特征在于，所述陶瓷板为平直板。


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【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郑耀璿，陈英信，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35