电源电路及用电设备制造技术

本发明专利技术公开了一种电源电路及用电设备。其中，电源电路包括：电流复制电路，包括电流输入电路和电流输出电路，电流输入电路用于产生第一基准电流，电流输出电路用于复制并输出第二基准电流；其中，第二基准电流与第一基准电流成比例；两个可调电阻电路，每一可调电阻电路包括电阻电路和控制电路，控制电路被设置为根据输入的电压差调节电阻电路的阻值，以使输入的电压差在预设范围之内；第一可调电阻电路的电阻电路与电流输入电路串联连接在第一供电端与接地端之间；第二可调电阻电路的电阻电路连接在电流输出电路与电源电路的输出端之间。

Power circuit and electric equipment

【技术实现步骤摘要】
电源电路及用电设备
本专利技术涉及电源
，尤其涉及一种电源电路和一种用电设备。
技术介绍
随着科学技术的发展，用电设备被普遍的应用到各种领域，例如日常生活，或者科研等。同时，为用电设备提供电源的电源电路也随之被广泛的使用。目前，一种常用的电源电路如图1所示。该电源电路的工作原理为：利用放大器的反馈环路，将带隙基准电压源输出的带隙基准电压Vbg作用于一个基准电阻R，以产生基准电流。再通过MOS型电流镜电路或者BJT型电流镜电路复制该基准电流(图1中以MOS型电流镜电路示出)，得到输出给负载的输出电流Iout。但是，由于MOS型电流镜电路中晶体管的沟道长度调制效应，或者BJT型电流镜电路中晶体管的基区宽度调制效应，导致输出电流会受到负载以及为电流镜电路提供电源的电源电压的影响，即导致输出电流精度降低。同时输出电压的摆幅受到限制。例如，在一种极端情况下，当负载短路时，输出电流有数十倍的变化。因此，一种能够抑制MOS型电流镜电路中晶体管的沟道长度调制效应或者BJT型电流镜电路中晶体管的基区宽度调制效应的电源电路亟待被提出。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源电路，其特征在于，包括：/n电流复制电路，包括电流输入电路和电流输出电路，所述电流输入电路用于产生第一基准电流，所述电流输出电路用于复制并输出第二基准电流；其中，所述第二基准电流与所述第一基准电流成比例；/n两个可调电阻电路，每一可调电阻电路包括电阻电路和控制电路，所述控制电路被设置为根据输入的电压差调节所述电阻电路的阻值，以使所述输入的电压差在预设的范围之内；/n第一所述可调电阻电路的电阻电路与所述电流输入电路串联连接在第一供电端与接地端之间，对应所述第一所述可调电阻电路的所述输入的电压差为：所述电流输入电路的产生所述第一基准电流的节点的电压与预设的偏置电压之间的电压差；/n第二...

【技术特征摘要】
1.一种电源电路，其特征在于，包括：
电流复制电路，包括电流输入电路和电流输出电路，所述电流输入电路用于产生第一基准电流，所述电流输出电路用于复制并输出第二基准电流；其中，所述第二基准电流与所述第一基准电流成比例；
两个可调电阻电路，每一可调电阻电路包括电阻电路和控制电路，所述控制电路被设置为根据输入的电压差调节所述电阻电路的阻值，以使所述输入的电压差在预设的范围之内；
第一所述可调电阻电路的电阻电路与所述电流输入电路串联连接在第一供电端与接地端之间，对应所述第一所述可调电阻电路的所述输入的电压差为：所述电流输入电路的产生所述第一基准电流的节点的电压与预设的偏置电压之间的电压差；
第二所述可调电阻电路的电阻电路与所述电流输出电路串联在所述第一供电端与所述电源电路的输出端之间，对应所述第二可调电阻电路的所述输入的电压差为：所述电流输出电路的输出所述第二基准电流的节点的电压与所述偏置电压之间的电压差。


2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述电源电路还包括电流采样电路、用于提供基准电压的基准电压源及第一放大器；
所述电流采样电路与所述电流输入电路和第一所述可调电阻电路的电阻电路串联连接，所述电流采样电路被设置为采集所述第一基准电流，并将所述第一基准电流转换为反馈电压；
所述第一放大器的反相输入端接入所述基准电压，所述第一放大器的同相输入端接入所述反馈电压，所述第一放大器的输出端与所述电流输入电路的控制端连接，所述第一放大器被设置为根据所述基准电压与所述反馈电压之间的电压差，控制所述电流输入电路调节所产生的第一基准电流。


3.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述控制电路为第二放大器；
所述第二放大器的同相输入端接入所述偏置电压，所述第二放大器的输出端与所述电阻电路的控制端连接；
在第一所述可调电阻电路中，所述第二放大器的反相输入端接入所述电流输入电路的产生所述第一基准电流的节点的电压；
在第二所述可调电阻电路中，所述第二放大器的反相输入端接入所述电流输出电路的输出所述第二基准电流的节点的电压。


4.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述控制电路包括第一PMOS管和偏置电流源；
所述第一PMOS管的源极接入所述偏置电压，所述第一PMOS管的漏极分别与所述偏置电流源的正极、所述电阻电路的控制端连接，所述偏置电流源的负极接地；
在第一所述可调电阻电路中，所述第一PMOS管的栅极接入所述电流输入电路的产生所述第一基准电流的节点的电压；
在第二所述可调电阻电路中，所述第一PMOS管的栅极接入所述电流输出电路的输出所述第二基准电流的节点的电压。


5.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述电阻电路为第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极被设置为所述电阻电路的控制端；
在第一所述可调电阻电路中，所述第二PMOS管的源极与所述电流输入电路的产生所述第一基准电流的节点连接；所述第二PMOS管的漏极与所述电流采样电路连接；
在第二所述可调电阻电路中，所述第二PMOS管的源极与所述电流输出电路的输出所述第二基准电流的节点连接，所述第二PMOS管的漏极作为所述电源电路的输出端。


6.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述可调电阻电路还包括提供所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小保，赵卫军，余冰，杨红祥，牟加伟，
申请(专利权)人：上海猎芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31