一种射频前端芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频前端芯片，包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路；射频放大IC电路包括第二基板和设置在第二基板上的多个射频放大电路，多个射频放大电路分别对应于不同的主频段，主频段包括多个子频段；开关切换IC电路具有多个射频信号输出端，开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的子频段；射频放大IC电路输出的射频信号经由开关切换IC电路的射频信号输出端输出。

A RF front-end chip

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端芯片
本技术涉及通信技术，尤其涉及一种射频前端芯片。
技术介绍
在电子设备中，射频前端电路是用于实现射频能量和信息传递的电路。射频前端芯片作为射频前端电路中的重要器件，是电子设备中对稳定性和可靠性要求最高的器件之一，其主要包含逻辑控制、射频功率放大器、射频开关几大功能部分，其中射频功率放大器电路还需要设计负载匹配电路。射频前端芯片多属于典型的SiP封装器件(SysteminPackage，系统级封装)。射频前端芯片的内部有多个独立的集成电路晶片和无源器件，这些集成电路晶片设置在共同的衬底基板上，该共同的衬底基板含有多层金属走线，以实现多个集成电路晶片及无源器件之间的相互连接。为了适应电子设备小型化的发展趋势，有必要提出一种集成度更高的射频前端芯片。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供一种集成度更高的射频前端芯片。根据本技术的第一方面，提供了一种射频前端芯片，所述射频前端芯片包括第一基板和设置在所述第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路；所述逻辑控制IC电路被配置为用于控制所述射频放大IC电路和所述开关切换IC电路的工作；所述射频放大IC电路包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个射频放大电路，所述多个射频放大电路分别对应于不同的主频段，所述主频段包括多个子频段；所述开关切换IC电路具有多个射频信号输出端，所述开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的所述子频段；所述射频放大IC电路输出的射频信号经由所述开关切换IC电路的射频信号输出端输出。可选地或优选地，所述逻辑控制IC电路、所述射频放大IC电路、以及所述开关切换IC电路呈“品”字形排布在所述第一基板上。可选地或优选地，所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述射频放大IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。可选地或优选地，所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述开关切换IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。可选地或优选地，所述射频放大IC电路的射频信号输出管脚和所述开关切换IC电路的射频信号输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。可选地或优选地，所述第一基板的金属层的层数为2层。可选地或优选地，所述不同的主频段包括：高频段、中频段、低频段。可选地或优选地，所述低频段的范围包括700MHz-950MHz；所述中频段的范围包括1700MHz-2000MHz；所述高频段的范围包括2300MHz-2700MHz。可选地或优选地，所述多个射频放大电路包括低频段射频放大电路、中频段射频放大电路、以及高频段射频放大电路。可选地或优选地，所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的射频信号传输方向垂直。可选地或优选地，所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向垂直。可选地或优选地，所述芯片还包括与所述多个射频放大电路一一对应的多个射频匹配电路；所述射频匹配电路包括第一电容、第二电容、第一电感、以及第二电感；所述射频匹配电路的第一电容、第二电容、以及第一电感集成在所述射频放大IC电路中；所述射频匹配电路的第二电感设置在所述射频放大IC电路的外部。可选地或优选地，所述第一电容和/或所述第二电容为MIM电容。可选地或优选地，所述第一电感的电感值小于所述第二电感的电感值。可选地或优选地，所述第二电感为设置所述第一基板上的绕线电感或者为设置在所述第一基板上的SMD电感。可选地或优选地，所述第一电感为设置所述第二基板上的并联的多根跳线。可选地或优选地，所述第一电容的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电容的第二端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端与所述开关切换IC电路的射频信号输入端连接；所述第一电感的第一端连接至所述第二电感的第一端，所述第一电感的第二端接地；所述第二电容的第一端连接至所述第二电感的第二端，所述第二电容的第二端接地。可选地或优选地，所述射频匹配电路还包括第三电容，所述第三电容集成在所述射频放大IC电路中；所述第一电感的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端与所述开关切换IC电路的射频信号输入端连接；所述第一电容的第一端连接至所述第二电感的第一端，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端连接至所述第二电感的第二端，所述第二电容的第二端接地。可选地或优选地，所述第三电容为MIM电容。可选地或优选地，所述第一电感的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电感的第二端与所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端与所述开关切换IC电路的射频信号输入端连接；所述第一电容的第一端连接至所述第二电容的第一端，所述第一电容的第二端接地；所述第二电感的第一端连接至所述第二电容的第二端，所述第二电感的第二端接地。可选地或优选地，所述多个射频匹配电路包括低频段射频匹配电路，中频段射频匹配电路，高频段射频匹配电路；所述低频段射频匹配电路、所述中频段射频匹配电路、以及所述高频段射频匹配电路被设置为使得所述低频段射频匹配电路中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频匹配电路中的射频信号传输方向、所述高频段射频匹配电路中的射频信号传输方向垂直。可选地或优选地，所述开关切换IC电路包括第三基板和设置在所述第三基板上的多个开关切换电路，所述多个开关切换电路分别对应于不同的所述主频段。可选地或优选地，所述多个开关切换电路包括低频段开关切换电路、中频段开关切换电路、以及高频段开关切换电路；所述开关切换IC电路还包括第一开关电路和第二开关电路；所述第一开关电路的开关通路连接在所述高频段开关切换电路的射频信号输入端与地之间，所述第二开关电路的开关通路连接在所述中频段开关切换电路的射频信号输入端与地之间，所述第一开关电路和所述第二开关电路被配置为当所述低频段开关切换电路中的任一开关通路被导通时，所述第一开关电路和所述第二开关电路的开关通路被导通。可选地或优选地，所述多个开关切换电路包括低频段开关切换电路、中频段开关切换电路、以及高频段开关切换电路；所述低频段开关切换电路、所述中频段开关切换电路、以及所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频前端芯片，其特征在于，所述射频前端芯片包括第一基板和设置在所述第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路；/n所述逻辑控制IC电路被配置为用于控制所述射频放大IC电路和所述开关切换IC电路的工作；/n所述射频放大IC电路包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个射频放大电路，所述多个射频放大电路分别对应于不同的主频段，所述主频段包括多个子频段；/n所述开关切换IC电路具有多个射频信号输出端，所述开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的所述子频段；所述射频放大IC电路输出的射频信号经由所述开关切换IC电路的射频信号输出端输出。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频前端芯片，其特征在于，所述射频前端芯片包括第一基板和设置在所述第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路；
所述逻辑控制IC电路被配置为用于控制所述射频放大IC电路和所述开关切换IC电路的工作；
所述射频放大IC电路包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个射频放大电路，所述多个射频放大电路分别对应于不同的主频段，所述主频段包括多个子频段；
所述开关切换IC电路具有多个射频信号输出端，所述开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的所述子频段；所述射频放大IC电路输出的射频信号经由所述开关切换IC电路的射频信号输出端输出。


2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述逻辑控制IC电路、所述射频放大IC电路、以及所述开关切换IC电路呈“品”字形排布在所述第一基板上。


3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述射频放大IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。


4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述开关切换IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。


5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述射频放大IC电路的射频信号输出管脚和所述开关切换IC电路的射频信号输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。


6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一基板的金属层的层数为2层。


7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述不同的主频段包括：高频段、中频段、低频段。


8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述低频段的范围包括700MHz-950MHz；所述中频段的范围包括1700MHz-2000MHz；所述高频段的范围包括2300MHz-2700MHz。


9.根据权利要求1-8任一项所述的芯片，其特征在于，所述多个射频放大电路包括低频段射频放大电路、中频段射频放大电路、以及高频段射频放大电路。


10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的射频信号传输方向垂直。


11.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向垂直。


12.根据权利要求1-8任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括与所述多个射频放大电路一一对应的多个射频匹配电路；
所述射频匹配电路包括第一电容、第二电容、第一电感、以及第二电感；
所述射频匹配电路的第一电容、第二电容、以及第一电感集成在所述射频放大IC电路中；
所述射频匹配电路的第二电感设置在所述射频放大IC电路的外部。


13.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于，所述第一电容和/或所述第二电容为MIM电容。


14.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于，所述第一电感的电感值小于所述第二电感的电感值。


15.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于，所述第二电感为设置所述第一基板上的绕线电感...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵卫军，王小保，
申请(专利权)人：上海猎芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31