一种射频芯片制造技术

本公开提供了射频芯片。射频芯片的封装结构上设有天线公共端口、通信端口以及射频信号输入端口，射频信号输入端口与主频段一一对应；射频芯片包括第一基板和在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、第一开关IC电路、第二开关IC电路、多个射频信号滤波电路；射频放大IC电路中包括与主频段一一对应的射频放大电路，射频放大电路的输入端与对应主频段的射频信号输入端口连接；逻辑控制IC电路分别与通信端口、第一开关IC电路的控制端和第二开关IC电路的控制端连接；第一开关IC电路连接在射频放大电路的输出端和射频信号滤波电路之间，第二开关IC电路连接在射频信号滤波电路和天线公共端口之间。本公开实现了一种集成度更高的射频芯片。高的射频芯片。高的射频芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种射频芯片


[0001]本公开涉及通信技术，尤其涉及一种射频芯片。

技术介绍

[0002]射频芯片多属于典型的SiP封装器件(System in Package，系统级封装)，内部主要包括射频放大电路和相应的射频匹配电路以及其它器件。为了适应电子设备小型化的发展趋势，有必要提出一种集成度更高的射频芯片。

技术实现思路

[0003]本公开的一个目的是提供一种集成度更高的射频芯片。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种射频芯片。所述射频芯片的封装结构上设有天线公共端口、通信端口以及N个射频信号输入端口，所述N 个射频信号输入端口与N个主频段一一对应，所述主频段包括至少一个子频段，所述N为正整数；所述射频芯片包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、第一开关IC电路、第二开关IC 电路、多个射频信号滤波电路；所述射频放大IC电路中包括与N个主频段一一对应的N个射频放大电路，所述射频放大电路的输入端与对应主频段的所述射频信号输入端口连接；所述逻辑控制IC电路分别与所述通信端口、所述第一开关IC电路的控制端和所述第二开关IC电路的控制端连接；所述第一开关IC电路连接在所述射频放大电路的输出端和所述射频信号滤波电路之间，所述第二开关IC电路连接在所述射频信号滤波电路和所述天线公共端口之间。
[0005]可选地，所述逻辑控制IC电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第一开关IC电路和所述第二开关IC电路的工作，以使得所述射频放大电路输出的第一射频信号经过所述第一开关IC电路输入至第一目标子频段对应的所述射频信号滤波电路进行滤波，滤波后的所述第一射频信号经过所述第二开关IC电路输出至所述天线公共端口以通过天线进行发射，所述第一目标子频段是所述第一射频信号所属的子频段。
[0006]可选地，所述射频芯片的封装结构上还设有与K个子频段一一对应的 K个射频信号输出端口，所述K为正整数；所述射频信号输出端口与所述第二开关IC电路连接或者与所述射频信号滤波电路连接。
[0007]可选地，所述逻辑控制IC电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第二开关IC电路的工作，以使得所述天线接收的第二射频信号经过所述第二开关IC电路输出至第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口，通过第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口对外输出，所述第二目标子频段是所述第二射频信号所属的子频段。
[0008]可选地，所述射频芯片的封装结构上还设有备用射频信号传输端口；所述第二开关IC电路提供备用射频信号传输通路，所述备用射频信号传输通路的一端与所述天线公共端口连接，另一端与所述备用射频信号传输端口连接；所述逻辑控制IC电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述备用射频信号传输通路导通/截止。
[0009]可选地，所述第一开关IC电路包括与N个主频段一一对应的N个第一子开关，所述第二开关IC电路包括与N个主频段一一对应的N个第二子开关；所述第一子开关为P选一开关，所述P为所述第一子开关对应的主频段所含有的子频段的个数；所述第二子开关为Q选一开关，所述Q为所述第二子开关对应的主频段所含有的子频段的个数。
[0010]可选地，所述第一开关IC电路和所述第二开关IC电路使用同样的开关电路芯片实现。
[0011]可选地，所述逻辑控制IC电路使用同一组控制信号控制所述第一开关IC电路和所述第二开关IC电路的工作。
[0012]可选地，采用时分双工工作制式的子频段对应的所述射频信号滤波电路为低通滤波电路。
[0013]可选地，所述射频信号滤波电路中包括电感和电容串联到地形成的谐振电路。
[0014]可选地，所述射频芯片的封装结构中，至少一边的端口全部为接地端口。
[0015]可选地，所述射频芯片的封装结构中，多个电源端口配置在所述射频芯片的同一边的相邻位置。
[0016]可选地，所述第二开关IC电路设置在所述第一基板的第一区域，所述射频放大IC电路和所述第一开关IC电路设置在所述第一基板的第二区域，所述逻辑控制IC电路设置在所述第一区域和所述第二区域之间；所述第一区域是邻接所述射频芯片的第一边的区域，所述第二区域是邻接所述射频芯片的第二边的区域，所述第一边是所述天线公共端口所在的边，所述第二边是与所述第一边相对的边。
[0017]本公开实施例提供的射频芯片，通过在芯片内部设置第一开关IC电路和第二开关IC电路为不同子频段的射频信号提供不同的射频信号发射通路，并且将射频信号滤波电路集成到射频芯片中，从而实现了一种集成度更高的射频芯片。
[0018]通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0019]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且连同其说明一起用于解释本公开的原理。
[0020]图1是本公开实施例提供的射频芯片的封装示意图；
[0021]图2是本公开实施例提供的射频芯片的内部电路结构示意图；
[0022]图3是本公开实施例提供的第一开关IC电路的示意图；
[0023]图4是本公开实施例提供的第二开关IC电路的示意图；
[0024]图5是本公开实施例提供的第一开关IC电路、射频信号滤波电路、第二开关IC电路的连接示意图；
[0025]图6(a)
‑
(c)是本公开实施例的射频信号滤波电路的示意图。
具体实施方式
[0026]现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本
公开的范围。
[0027]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。
[0028]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0029]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0031]对于例如手机的通信设备来说，多模多频已经成为大趋势。多模多频手机是指可以在不同技术标准的网络之间使用的手机，顾名思义就是一部手机可以同时支持多种网络制式和支持多个网络频段。例如，在一部手机上可以同时支持GSM、TD
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SCDMA、WCDMA、TDD
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LTE、FDD
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LTE甚至更多的网络制式及相应的多种频段。
[0032]为了实现不同国家和地区以及各个电信运营商的兼容性，现代全球3GPP通信协议标准制定的4G/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上设有天线公共端口、通信端口以及N个射频信号输入端口，所述N个射频信号输入端口与N个主频段一一对应，所述主频段包括至少一个子频段，所述N为正整数；所述射频芯片包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、第一开关IC电路、第二开关IC电路、多个射频信号滤波电路；所述射频放大IC电路中包括与N个主频段一一对应的N个射频放大电路，所述射频放大电路的输入端与对应主频段的所述射频信号输入端口连接；所述逻辑控制IC电路分别与所述通信端口、所述第一开关IC电路的控制端和所述第二开关IC电路的控制端连接；所述第一开关IC电路连接在所述射频放大电路的输出端和所述射频信号滤波电路之间，所述第二开关IC电路连接在所述射频信号滤波电路和所述天线公共端口之间。2.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述逻辑控制IC电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第一开关IC电路和所述第二开关IC电路的工作，以使得所述射频放大电路输出的第一射频信号经过所述第一开关IC电路输入至第一目标子频段对应的所述射频信号滤波电路进行滤波，滤波后的所述第一射频信号经过所述第二开关IC电路输出至所述天线公共端口以通过天线进行发射，所述第一目标子频段是所述第一射频信号所属的子频段。3.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上还设有与K个子频段一一对应的K个射频信号输出端口，所述K为正整数；所述射频信号输出端口与所述第二开关IC电路连接或者与所述射频信号滤波电路连接。4.根据权利要求3所述的射频芯片，其特征在于，所述逻辑控制IC电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第二开关IC电路的工作，以使得所述天线接收的第二射频信号经过所述第二开关IC电路输出至第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口，通过第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口对外输出，所述第二目标子频段是所述第二射频信号所属的子频段。5.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上还设有备用射频信号传输端口；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵卫军，王小保，
申请(专利权)人：上海猎芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：