应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法技术

本发明专利技术提供一种应用于FinFET工艺中，利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin)，第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极(GT)，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。

Test structure and method of monitoring EPI in FinFET process

【技术实现步骤摘要】
应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法
本专利技术是关于半导体设计和生产领域，特别涉及应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法。
技术介绍
随着大规模集成电路工艺技术的不断发展，电路的集成度不断提高，当工艺技术节点小于28nm之后，出现了传统平面MOS器件因性能急剧退化而被三维鳍式场效应晶体管(FinFET)逐渐替代的趋势。与平面晶体管相比，FinFET一般包括半导体衬底、氧化层和栅极结构，半导体衬底上形成有凸出结构，氧化层覆盖半导体衬底的表面以及凸出结构侧壁的一部分，凸出结构超出氧化层的部分成为FinFET的鳍(Fin)，栅极结构横跨在鳍上并覆盖鳍的顶部和侧壁，栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极。对于Fin-FET，鳍的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有利于增大驱动电流，改善器件性能。在FinFET工艺中，为了增加载流子的迁移率，必须用到SiGe、SiC、SiP等EPI工艺。EPI是通过选择性生长，在Si上生长出所需大小的EPI，过程中需要严格控制生长温度、气体比例、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，其特征在于，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin)，第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；/n所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极(GT)，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，其特征在于，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin)，第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；
所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极(GT)，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。


2.根据权利要求1所述的一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，其特征在于，设FinFET中N根依次相邻的鳍为：F1、…、Fi-1、Fi、Fi+1、…、FN；M根横跨在所述鳍上依次相邻的栅极为：G1、…、Gj-1、Gj、Gj+1、…、GM；其中，N为不小于2的自然数，i是整数且i∈[1,N]，M为不小于2的偶数，j是整数且j∈[0,M]；
鳍F1上有(M-1)个连接点，依次设为A1、…、Aj-1、Aj、Aj+1、…、AM-1，j是整数且j∈[0,M-1]；连接点Aj在栅极Gj和Gj+1之间；
鳍FN上有(M-1)个连接点，依次设为B1、…、Bj-1、Bj、Bj+1、…、BM-1，j是整数且j∈[0,M-1]；连接点Bj在栅极Gj和Gj+1之间；
连接点A1利用连线(CT)与焊盘A连接，连接点BM-1利用连线与焊盘B连接；且当M＞2时，连接点Ap和Ap+1之间利用连线连接，连接点Bq和Bq+1之间利用连线连接，p为偶数且p∈[2,M-1]，q为奇数且q∈[1,M-1]。


3.根据权利要求1所述的一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，其特征在于，设FinFET中N根依次相邻的鳍为：F1、…、Fi-1、Fi、Fi+1、…、FN；M根横跨在所述鳍上依次相邻的栅极为：G1、…、Gj-1、Gj、Gj+1、…、GM；其中，N为不小于2的自然数，i是整数且i∈...

【专利技术属性】
技术研发人员：张飞虎，陆梅君，杨慎知，
申请(专利权)人：杭州广立微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33