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本发明提供一种应用于FinFET工艺中，利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin)，第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极(...
该专利属于杭州广立微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州广立微电子有限公司授权不得商用。

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