一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，首先设置了压环单元，其包括压环工位和压环机构，压环单元的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道连接有膜壳输送机构，第二通道连接有圆环输送机构，膜壳在膜壳输送机构的驱动下进入压环工位，圆环在圆环输送机构的驱动下进入压环工位，圆环在压环机构的作用下压紧于膜壳内，圆环和膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体，移送单元的入料口连接于第三通道，移送单元上设置有多个测试工位且一侧皆设置有降料机构，移送单元的出料口一侧设置有装料盘且装料盘位于高压测试机构内。本发明专利技术相较于现有技术提高了绝缘栅双极型晶体管的静态测试效率。

A static testing device of insulated gate bipolar transistor

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置
本专利技术涉及绝缘栅双极型晶体管的静态测试，具体而言，涉及一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。绝缘栅双极型晶体管综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。绝缘栅双极型晶体管在生产完成后需要进行一系列的静态测试以确保其各种性能达标，由于测试的种类多导致工作人员测试效率低下，因此需要一种适用于绝缘栅双极型晶体管的辅助测试装置以提高测试效率。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，相较于现有技术提高了绝缘栅双极型晶体管的静态测试效率。为此，本专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，首先设置了压环单元，其包括压环工位和压环机构，压环单元的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道连接有膜壳输送机构，第二通道连接有圆环输送机构，膜壳在膜壳输送机构的驱动下进入压环工位，圆环在圆环输送机构的驱动下进入压环工位，圆环在压环机构的作用下压紧于膜壳内，圆环和膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体，移送单元的入料口连接于第三通道，移送单元上设置有电性测试工位、CCD测试工位和高压测试工位，且电性测试工位、CCD测试工位和高压测试工位的一侧皆设置有一个降料机构，移送单元的出料口一侧设置有装料盘且装料盘位于高压测试机构内。进一步地，压环机构包括第一安装架、压环气缸、定位气缸和定位板，压环气缸安装于第一安装架的顶部，定位气缸安装于第一安装架的底部，定位板固定安装于第一安装架内且位于压环气缸和定位气缸之间。进一步地，压环气缸的底部安装有朝向绝缘栅双极型晶体管本体延伸的取环杆，定位气缸的位置对应取环杆的位置。进一步地，膜壳输送机构包括膜壳入料盘、出料口、推板和推杆，膜壳入料盘内矩阵排列有多个膜壳，推板位于膜壳入料盘的长度方向一端，推杆和出料口位于膜壳入料盘的长度方向另一端，推板在第一气缸的推动下顶紧于膜壳上并带动膜壳沿着膜壳入料盘的长度方向移动，推杆在第二气缸的驱动下将膜壳推向出料口。进一步地，圆环输送机构为送料振动盘。进一步地，降料机构包括第二安装架、第三气缸、导轨和机械手，导轨安装于第二安装架上，第三气缸安装于导轨上，机械手安装于第三气缸上，且机械手在第三气缸的驱动下抓取绝缘栅双极型晶体管本体并沿着导轨的长度方向移动。进一步地，降料机构一侧设置有降料盒，绝缘栅双极型晶体管本体在机械手的带动下落入降料盒内。进一步地，高压测试机构包括第三安装架、紧固板、测试电极、第四气缸和第五气缸，装料盘固定安装于第三安装架的底部，紧固板在第四气缸的驱动下压实装料盘内的多个绝缘栅双极型晶体管本体，第五气缸安装于第三安装架的顶部，测试电极在第五气缸的驱动下朝向或远离装料盘。本专利技术所提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，主要包括压环单元、膜壳输送机构、圆环输送机构、移送单元、降料机构和高压测试机构，膜壳、圆环分别通过膜壳输送机构和圆环输送机构输送至压环单元中，并在压环单元内组装成绝缘栅双极型晶体管本体，然后绝缘栅双极型晶体管本体在移送单元上移动，移送单元上依次设置有电性测试工位、CCD测试工位和高压测试工位，绝缘栅双极型晶体管本体依次经过这三个工位并完成测试，测试结果不合格的绝缘栅双极型晶体管本体通过工位一侧的降料机构剔除，测试合格的绝缘栅双极型晶体管本体放置于装料盘内，然后在高压测试机构内完成第二次高压测试以提高质量安全。因而，本专利技术相较于现有技术提高了绝缘栅双极型晶体管的静态测试效率。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置的结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。实施例一：参见图1至图5，本实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，首先设置了压环单元1，其包括压环工位11和压环机构12，压环单元1的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道连接有膜壳输送机构2，第二通道连接有圆环输送机构3，膜壳在膜壳输送机构2的驱动下进入压环工位11，圆环在圆环输送机构3的驱动下进入压环工位11，圆环在压环机构12的作用下压紧于膜壳内，圆环和膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体4，移送单元5的入料口51连接于第三通道，移送单元5上设置有电性测试工位52、CCD测试工位53和高压测试工位54，且电性测试工位52、CCD测试工位53和高压测试工位54的一侧皆设置有一个降料机构6，移送单元5的出料口56一侧设置有装料盘55且装料盘55位于高压测试机构7内。继续参见图1至图5，压环机构12包括第一安装架121、压环气缸122、定位气缸123和定位板124，压环气缸122安装于第一安装架121的顶部，定位气缸123安装于第一安装架121的底部，定位板124固定安装于第一安装架121内且位于压环气缸122和定位气缸123之间，压环气缸122的底部安装有朝向绝缘栅双极型晶体管本体4延伸的取环杆125，定位气缸123的位置对应取环杆125的位置，膜壳输送机构2包括膜壳入料盘21、出料口22、推板23和推杆24，膜壳入料盘21内矩阵排列有多个膜壳，推板23位于膜壳入料盘21的长度方向一端，推杆24和出料口22位于膜壳入料盘21的长度方向另一端，推板23在第一气缸231的推动下顶紧于膜壳上并带动膜壳沿着膜壳入料盘21的长度方向移动，推杆24在第二气缸241的驱动下将膜壳推向出料口22，圆环输送机构3为送料振动盘。继续参见图1至图5，降料机构6包括第二安装架61、第三气缸62、导轨63和机械手64，导轨63安装于第二安装架61上，第三气缸62安装于导轨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，其特征在于，包括：/n压环单元(1)，其包括压环工位(11)和压环机构(12)，所述压环单元(1)的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道，所述第一通道连接有膜壳输送机构(2)，所述第二通道连接有圆环输送机构(3)，膜壳在所述膜壳输送机构(2)的驱动下进入所述压环工位(11)，圆环在所述圆环输送机构(3)的驱动下进入所述压环工位(11)，所述圆环在所述压环机构(12)的作用下压紧于所述膜壳内，所述圆环和所述膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体(4)；/n移送单元(5)，其入料口(51)连接于所述第三通道，所述移送单元(5)上设置有电性测试工位(52)、CCD测试工位(53)和高压测试工位(54)，且所述电性测试工位(52)、所述CCD测试工位(53)和所述高压测试工位(54)的一侧皆设置有一个降料机构(6)，所述移送单元(5)的出料口(56)一侧设置有装料盘(55)且所述装料盘(55)位于高压测试机构(7)内。/n

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，其特征在于，包括：
压环单元(1)，其包括压环工位(11)和压环机构(12)，所述压环单元(1)的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道，所述第一通道连接有膜壳输送机构(2)，所述第二通道连接有圆环输送机构(3)，膜壳在所述膜壳输送机构(2)的驱动下进入所述压环工位(11)，圆环在所述圆环输送机构(3)的驱动下进入所述压环工位(11)，所述圆环在所述压环机构(12)的作用下压紧于所述膜壳内，所述圆环和所述膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体(4)；
移送单元(5)，其入料口(51)连接于所述第三通道，所述移送单元(5)上设置有电性测试工位(52)、CCD测试工位(53)和高压测试工位(54)，且所述电性测试工位(52)、所述CCD测试工位(53)和所述高压测试工位(54)的一侧皆设置有一个降料机构(6)，所述移送单元(5)的出料口(56)一侧设置有装料盘(55)且所述装料盘(55)位于高压测试机构(7)内。


2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，其特征在于，所述压环机构(12)包括第一安装架(121)、压环气缸(122)、定位气缸(123)和定位板(124)，所述压环气缸(122)安装于所述第一安装架(121)的顶部，所述定位气缸(123)安装于所述第一安装架(121)的底部，所述定位板(124)固定安装于所述第一安装架(121)内且位于所述压环气缸(122)和所述定位气缸(123)之间。


3.根据权利要求2所述的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，其特征在于，所述压环气缸(122)的底部安装有朝向所述绝缘栅双极型晶体管本体(4)延伸的取环杆(125)，所述定位气缸(123)的位置对应所述取环杆(125)的位置。


4.根据权利要求1-3所述的一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置，其特征在于，所述膜壳输送机构(2)包括膜壳入料盘(21)、出料口(22)、推板(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈向辉，
申请(专利权)人：太仓市晨启电子精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32