本发明专利技术提供了一镀膜设备，其中所述镀膜设备包括一反应腔体、一气体供给部、一真空抽气装置、一脉冲电源以及一射频电源，其中所述反应腔体具有一反应腔，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体，其中所述真空抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，其中多个该镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源和所述射频电源被接通，所述反应腔体内的气体在射频电场和脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该待镀膜工件的表面沉积。
Coating Equipment
【技术实现步骤摘要】
镀膜设备
本专利技术涉及到镀膜领域，尤其涉及到镀膜设备。
技术介绍
镀膜技术是一种能够提升材料表面性能的有效手段，其通过采用在待镀膜工件表面形成膜层的方式来增强待镀膜工件表面的强度、防刮、耐磨性、散热性、防水性、耐腐蚀性或者是低摩擦性等性能。从目前市场需求来看，镀膜技术在电子产品防护领域的应用受到越来越高的关注。待镀膜的电子产品各式各样，如PCB电路板、电子器件、手机、键盘、电脑等。其中每年手机的全球出货量达到15亿台以上，镀膜技术在手机PCB主板、PCB副板、充电口、TF卡口、耳机孔、屏幕等组件防护获得了广泛的应用。一般来说，手机不仅要求镀于其上的膜层具有增强手机表面的耐磨度和强度的功能，还对膜层的透光性有较高的要求。膜层的功能特性很大程度上是由镀膜设备、工艺技术等因素决定的。目前镀膜技术主要采用的是真空气相沉积方法，其又可分为物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)。物理气相沉积法主要可分为真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜；化学气相沉积法可根据原料激活的方式分为热CVD、等离子体CVD、激光CVD、紫外线CVD等。等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀膜技术具有沉积温度低、沉积速率较高等诸多特点，是制备镀膜的另一常用技术手段。等离子增强化学气相沉积镀膜技术利用等离子体中的高能电子激活气体分子，促进自由基化和离子化，产生化学活性较强的高能粒子、原子或者分子态离子和电子等大量活性粒子，活性粒子化学反应生成反应产物。由于高能电子为源物质粒子提供了能量，因此不需要提供较多的外界热能就可以发生化学气相沉积，从而降低反应温度，这使得本来难以发生或者是反应速度很慢的化学反应成为可能。在专利CN203411606U中揭露了一种镀膜设备，利用了等离子增强化学气相沉积镀膜技术进行镀膜，其被设置有多个腔体，至少一个腔体用于镀膜前缓冲，至少一个腔体用于镀膜，至少一个腔体用于镀膜后冷却缓冲。显然，这样的镀膜设备结构较为复杂，比如说独立的腔体之间需要被设置有控制阀门，还需要额外设置在多个腔体之间传送待镀膜工件的装置。在生产过程中一旦产生故障，维修的难度和成本也可能由于多个腔体的存在而增加。因此，如何提供一种结构简单、适于大批量制备膜层的镀膜设备，是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备适于工业化应用。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于较多数量的待镀膜工件同时进行镀膜。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于待镀膜工件表面进行刻蚀和活化，以有利于在待镀膜工件表面制备膜层。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够给待镀膜工件镀上有机膜。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够给待镀膜工件镀上无机膜。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于不同类型的待镀膜工件进行镀膜。本专利技术的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够在低温环境下给待镀膜工件进行镀膜以避免对于待镀膜工件的损伤。根据本专利技术的一方面，本专利技术提供了一镀膜设备，供至少一待镀膜工件镀膜，其中所述镀膜设备包括：一反应腔体，其中所述反应腔体具有一反应腔；一气体供给部，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体；一抽气装置，其中所述抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体；以及一脉冲电源，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中多个该待镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源被连通，所述反应腔体内的气体在脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该镀膜工件的表面沉积。根据本专利技术的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一射频电源，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，当所述射频电源被接通，等离子体在脉冲电场和射频电场的作用下朝向该待镀膜工件的表面沉积。根据本专利技术的至少一实施例，至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的另一侧以形成所述脉冲电场。根据本专利技术的至少一实施例，至少一所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置在所述反应腔体。根据本专利技术的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，所述支撑件被保持预设间隔地保持于所述反应腔，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中作为所述脉冲电源的阴极的所述电极被设置于至少一所述支撑件。根据本专利技术的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中至少一个所述支撑件作为所述脉冲电源的阴极。根据本专利技术的至少一实施例，至少一个所述电极作为所述射频电源的电极被设置于所述支撑件。根据本专利技术的至少一实施例，至少一个所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置于所述支撑件。根据本专利技术的至少一实施例，作为所述射频电源的电极位于该待镀膜工件的上方并且该待镀膜工件被支撑于作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件。根据本专利技术的至少一实施例根据本专利技术的至少一实施例，作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阳极的所述支撑件被交替布置。根据本专利技术的至少一实施例，所述射频电场被电离的等离子体中的正离子自上而下朝向该镀膜工件的运动并且沉积在该镀膜工件的表面。根据本专利技术的至少一实施例，所述多层支架的至少一层被作为所述气体供给部，并且作为所述气体供给部的所述支撑件位于该待镀膜工件的上方。根据本专利技术的至少一实施例，作为所述气体供给部所述支撑件包括一顶板和一底板，其中所述顶板和所述底板之间预留空间供气体暂存，所述底板形成至少一出气口，以使得气体自该待镀膜工件的上方位置逸出。根据本专利技术的至少一实施例，作为所述气体供给部的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件被交替布置。根据本专利技术的至少一实施例，所述出气口被均匀地布置在该镀膜工件的上方。根据本专利技术的至少一实施例，作为所述气体供给部的所述支撑件被可导通地连接于所述射频电源。根据本专利技术的至少一实施例，所述支架被可整个取出地放置于所述反应腔体，所述支架进一步包括至少二根立柱，其中每一所述支撑件被保持预设间隔地设置于所述立柱。根据本专利技术的至少一实施例，所述支架进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述立柱的底端以隔绝所述支架和所述反应腔体。根据本专利技术的至少一实施例，所述支架被可拆卸地支撑于所述反应腔体。根据本专利技术的至少一实施例，每一所述支撑件被相互平行地被架设于所述反应腔体。根据本专利技术的至少一实施例，所述脉冲电源的镀膜电压被控制为-300V～-3500V，所述脉冲电源的频率为20KHz～360KHz。根据本专利技术的至少一实施例，所述脉冲电源的占空比被设置为5％～100％。根据本专利技术的至少一实施例，所述镀膜设备在镀膜前的真空度被控制为不大本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一镀膜设备，供至少一待镀膜工件镀膜，其特征在于，包括：/n一反应腔体，其中所述反应腔体具有一反应腔；/n一气体供给部，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体；/n一抽气装置，其中所述抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体，所述抽气装置用于抽取所述反应腔内的气体以控制真空度；以及/n一脉冲电源，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中多个该待镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源被连通，所述反应腔体内的气体在脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该镀膜工件的表面沉积。/n
【技术特征摘要】
1.一镀膜设备，供至少一待镀膜工件镀膜，其特征在于，包括：
一反应腔体，其中所述反应腔体具有一反应腔；
一气体供给部，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体；
一抽气装置，其中所述抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体，所述抽气装置用于抽取所述反应腔内的气体以控制真空度；以及
一脉冲电源，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中多个该待镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源被连通，所述反应腔体内的气体在脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该镀膜工件的表面沉积。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，进一步包括一射频电源，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，当所述射频电源被接通，等离子体在脉冲电场和射频电场的作用下朝向该待镀膜工件的表面沉积。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜设备，进一步包括至少一电极，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的一侧以使等离子体中的正离子加速朝向该镀膜工件运动。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的另一侧以形成所述脉冲电场。
5.根据权利要求3所述的镀膜设备，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置在所述反应腔体。
6.根据权利要求2所述的镀膜设备，进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，所述支撑件被保持预设间隔地保持于所述反应腔，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中作为所述脉冲电源的阴极的所述电极被设置于至少一所述支撑件。
7.根据权利要求2所述的镀膜设备，进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中至少一个所述支撑件作为所述脉冲电源的阴极。
8.根据权利要求6或7所述的镀膜设备，其中至少一个所述支撑件作为所述射频电源的电极。
9.根据权利要求6或7所述的镀膜设备，其中至少一个所述支撑件作为所述脉冲电源的阳极。
10.根据权利要求8所述的镀膜设备，其中作为所述射频电源的电极位于该待镀膜工件的上方并且该待镀膜工件被支撑于作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件。
11.根据权利要求9所述的镀膜设备，其中作为所述脉冲电源的阳极的所述支...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，兰竹瑶，单伟，
申请(专利权)人：江苏菲沃泰纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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