一种离子刻蚀系统技术方案

技术编号:23817251 阅读:32 留言:0更新日期:2020-04-16 08:28
本实用新型专利技术提出一种离子刻蚀系统,包括真空刻蚀腔体和真空泵,所述真空刻蚀腔体与真空泵的吸气口通过一连通管道相接;所述连通管道内设置有筒型过滤件和设置在筒型过滤件内的强磁铁吸附件;所述筒型过滤件由侧壁滤网和位于侧壁滤网下端的底部滤网组成;所述侧壁滤网的下端朝向真空泵;所述侧壁滤网的上端朝向真空刻蚀腔体,且与连通管道的内壁密封连接。本实用新型专利技术的随抽真空气流流动的金属颗粒受强磁铁吸附件的吸附,气流则通过筒型过滤件进一步过滤后进入真空泵内部。当设备工艺运行了一段时间之后,对强磁铁吸附件及筒型过滤件进行清洗或者更换。本实用新型专利技术有效保护了真空泵,且维护高效简便,维护成本低,改善了设备的维护周期及成本消耗。

An ion etching system

【技术实现步骤摘要】
一种离子刻蚀系统
本技术涉及半导体刻蚀领域,具体涉及一种离子刻蚀系统。
技术介绍
在半导体器件及芯片等的制造工艺中,刻蚀工艺是众多工艺中最频繁被采用和出现的,使用的设备包括离子束刻蚀系统和等离子体刻蚀机。离子刻蚀系统中的离子束刻蚀系统在工作过程中,由离子源发散出来的离子束轰击刻蚀材料或挡板,会产生颗粒的沉积遍布反应腔室内的各个地方。在使用真空泵对腔室进行抽真空的过程中,大部分的金属颗粒会随着抽真空气流进入真空泵内部,会造成真空泵内部堵转,影响设备的工作效率,甚至造成真空泵内部部件损坏,真空泵无法工作。离子束刻蚀系统的真空泵一般选用分子泵,价格昂贵,且修理起来较为复杂,因此该种问题的出现造成了设备成本升高,维护频率高且复杂。等离子体刻蚀机的问题与上述类似,从腔体上方空间形成的等离子体经过偏压射频源的加速到达晶圆表面,晶圆表面及腔体内部零件表面会被溅射出诸多颗粒,且大部分为金属颗粒,遍布在反应腔室的内部,最后被真空泵抽离,经过一段时间的工作,真空泵内部堵塞,造成损坏。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提出一种离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子刻蚀系统,包括真空刻蚀腔体和真空泵,所述真空刻蚀腔体与真空泵的吸气口通过一连通管道相接;其特征在于:所述连通管道内设置有筒型过滤件和设置在筒型过滤件内的强磁铁吸附件;所述筒型过滤件由侧壁滤网和位于侧壁滤网下端的底部滤网组成;所述侧壁滤网的下端朝向真空泵;所述侧壁滤网的上端朝向真空刻蚀腔体,且与连通管道的内壁密封连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子刻蚀系统,包括真空刻蚀腔体和真空泵,所述真空刻蚀腔体与真空泵的吸气口通过一连通管道相接;其特征在于:所述连通管道内设置有筒型过滤件和设置在筒型过滤件内的强磁铁吸附件;所述筒型过滤件由侧壁滤网和位于侧壁滤网下端的底部滤网组成;所述侧壁滤网的下端朝向真空泵;所述侧壁滤网的上端朝向真空刻蚀腔体,且与连通管道的内壁密封连接。


2.根据权利要求1所述的离子刻蚀系统,其特征在于:所述筒型过滤件为圆台形,且上端截面积大于下端截面积。


3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李娜刘海洋胡冬冬程实然侯永刚王铖熠郭颂许开东
申请(专利权)人:江苏鲁汶仪器有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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