一种材料纯化真空装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种材料纯化真空装置，该材料纯化真空装置包括壳体、控温模组和物料容器，所述壳体限定出真空腔，所述控温模组在所述真空腔内，所述物料容器可转动的设在所述真空腔内，所述物料容器可被所述控温模组控温。本实用新型专利技术的材料纯化真空装置，由于物料容器可转动地设在真空腔内，增大了待纯化材料的受热面积，使得待纯化材料受热较为均匀，提升了材料物态转变速度。此外，由于控温模组设在真空腔内，不但简化了材料纯化真空装置的结构，还能使得物料容器的加热速度更快，进一步提高了待纯化材料的物态转变速度，从而提高了纯化效率。

A vacuum device for material purification

【技术实现步骤摘要】
一种材料纯化真空装置
本技术涉及材料纯化设备
，尤其涉及一种材料纯化真空装置。
技术介绍
有机半导体材料已经广泛应用于有机场效应晶体管、有机太阳能电池、有机发光二极管(OLED)等多个领域。尤其是OLED行业发展迅速，OLED具有宽广角、高对比度和更快的响应时间等优点,已经在显示领域得到广泛的应用。高纯度的有机半导体材料是必不可少的。有机材料中的杂质会破坏分子堆砌的规律性，这些缺陷会严重影响OLED器件的效率及寿命，因此提高有机半导体材料的纯度对提高OLED器件性能起着至关重要的作用。目前国内外常用的纯化方法为梯度温区纯化法，通过设置不同温区的温度，在物料承接玻璃管上形成一定的温度梯度，将需要进行纯化的材料放置在高温加热区，使待纯化材料发生从固态直接到气态或者从固态到液态再到气态的转变。气态的材料扩散到低温区内沉积，再直接转变为固态或先转变为液态再至固态。一般情况下，高纯度的目标材料沉积在靠近高温加热区很短的距离内，杂质的沉淀区则远离高温加热区，从而达到了分离杂质的目的。这种方法在加热时，加热区通常只能加热材料接触到物料管底部的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种材料纯化真空装置，其特征在于，包括：/n壳体(1)，所述壳体(1)限定出真空腔(1b)；/n控温模组(15)，所述控温模组(15)在所述真空腔(1b)内；/n物料容器(16)，所述物料容器(16)可转动的设在所述真空腔(1b)内，所述物料容器(16)可被所述控温模组(15)控温。/n

【技术特征摘要】
1.一种材料纯化真空装置，其特征在于，包括：
壳体(1)，所述壳体(1)限定出真空腔(1b)；
控温模组(15)，所述控温模组(15)在所述真空腔(1b)内；
物料容器(16)，所述物料容器(16)可转动的设在所述真空腔(1b)内，所述物料容器(16)可被所述控温模组(15)控温。


2.根据权利要求1所述的材料纯化真空装置，其特征在于，还包括转动驱动装置，所述转动驱动装置用于驱动所述物料容器(16)转动。


3.根据权利要求2所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述转动驱动装置包括驱动机构(14)和磁力传动机构(13)，所述驱动机构(14)通过所述磁力传动机构(13)驱动所述物料容器(16)转动。


4.根据权利要求1所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述物料容器(16)的转速范围为：1r/min-200r/min。


5.根据权利要求1所述的材料纯化真空装置，其特征在于，还包括抽真空装置，所述抽真空装置用于将所述真空腔(1b)抽成真空状态。


6.根据权利要求5所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述抽真空装置包括：真空泵系统和真空阀(6)，所述真空泵系统用于将所述真空腔(1b)抽成真空状态，所述真空阀(6)设在真空泵系统与所述壳体(1)之间。


7.根据权利要求5所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述抽真空装置还包括冷肼(7)，所述冷肼(7)用于吸附杂质。


8.根据权利要求1所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述物料容器(16)由至少两个管状容器串联组成。


9.根据权利要求1所述的材料纯化真空装置，其特征在于，所述壳体(1)还设置有照明灯(4)、观察开口(12)、放气阀(11)和壳体门(1a)。
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【专利技术属性】
技术研发人员：高亮，李希，夏传军，邝志远，庞惠卿，代俊红，
申请(专利权)人：北京夏禾科技有限公司，北京万机汇机电工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11