一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备技术

本发明专利技术公开了一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备，属于磁片加工技术领域，包括将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在承载膜上加工对折线，包边结构和磁片本体的形状相同，且包边结构的面积大于磁片本体的面积；将承载膜沿对对折线对折，以使包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜沿对折线对折，使得包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体，能够提高包边结构和磁片本体的贴合精度。

A preparation method and equipment of amorphous nanocrystalline magnetic sheet

【技术实现步骤摘要】
一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备
本专利技术涉及磁片加工
，尤其涉及一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备。
技术介绍
非晶纳米晶磁片作为新型无线充电软磁材料，具有柔性，易加工，厚度薄，导磁率高、损耗低，充电品质因数高等优势，现已广泛应用于无线充电行业，例如手机，可穿戴设备等电子产品。随着电子产品的体积不断缩小，磁片的设计也越来越精密，为了解决磁片的边缘存在毛刺、颗粒掉落等问题，通常在磁片上贴附一层包边材料，但是在非晶纳米晶磁片的加工过程中，通常是先对磁片进行模切加工，随后将包边材料与磁片贴合，然后再次对包边材料进行模切，容易在对包边材料进行模切时损伤磁片，加工效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备，以解决现有技术中存在的在对包边材料进行模切时损伤磁片，加工效率较低的技术问题。如上构思，本专利技术所采用的技术方案是：一种非晶纳米晶磁片制备方法，包括：将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜上，所述包边材料为绝缘膜、散热膜、或金属箔；同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在所述承载膜上加工对折线，所述包边结构和所述磁片本体的形状相同，且所述包边结构的面积大于所述磁片本体的面积；将所述承载膜沿所述对折线对折，以使所述包边结构贴合并完全覆盖于所述磁片本体。进一步地，所述承载膜为PET塑料膜。为实现上述目的，本专利技术还提出一种非晶纳米晶磁片制备设备，实施上述所述的非晶纳米晶磁片制备方法。进一步地，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括模切装置，所述模切装置包括分别用于对所述包边材料和所述磁片材料进行图形化处理的第一模具和第二模具，以及用于在所述承载膜上加工形成所述对折线的第三模具。进一步地，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括用于将所述承载膜对折的对折装置，所述对折装置包括依次设置的用于对承载膜进行输送的输料结构、用于对所述承载膜进行对折的对折结构、用于对对折后的承载膜进行辊压的辊压结构以及用于对对折后的承载膜进行卷收的收料结构。进一步地，所述承载膜沿所述对折线分为第一部分和第二部分，所述对折结构包括：工作台，沿第一方向水平设置，所述第一部分位于所述工作台上，所述第一方向为所述承载膜的输送方向；导向组件，沿所述第一方向设置，所述导向组件被配置为将所述第二部分沿所述对折线翻折，以使所述第二部分能够贴合于所述第一部分。进一步地，所述导向组件包括沿所述第一方向间隔设置的第一导向件和第二导向件，所述第一导向件能够将所述第二部分或沿所述对折线由水平状态导引至竖直状态，所述第二导向件能够将所述第二部分沿所述对折线由竖直状态导引至水平状态。进一步地，所述第一导向件包括至少两个间隔设置的第一导向结构，每个第一导向结构均包括能够与所述第二部分或第一部分抵接的第一导向轮；所述第二导向件包括至少两个间隔设置的第二导向结构，每个所述第二导向结构均包括能够与所述第二部分或第一部分抵接的第二导向轮。进一步地，所述对折结构还包括两个滚筒，两个所述滚筒分别设置于所述工作台在所述第一方向上的两端，其中一个所述滚筒被配置为滚压对折后的所述承载膜，另一个所述滚筒被配置为滚压对折前的所述承载膜。进一步地，所述对折结构还包括压板，所述压板和所述工作台之间形成供所述第一部分或所述第二部分穿过的通道，所述压板位于两个所述滚筒之间。本专利技术的有益效果为：本专利技术提出的非晶纳米晶磁片制备方法，通过将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在承载膜上加工对折线，包边结构和磁片本体的形状相同，且包边结构的面积大于磁片本体的面积；将承载膜沿对对折线对折，以使包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜沿对折线对折，使得包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体，能够提高包边结构和磁片本体的贴合精度。本专利技术提出的非晶纳米晶磁片制备设备，能够实施上述非晶纳米晶磁片制备方法，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。附图说明图1是本专利技术提供的非晶纳米晶磁片制备方法的流程图；图2是本专利技术提供的承载膜对折前的示意图；图3是本专利技术提供的对折装置的结构示意图；图4是本专利技术提供的对折结构第一视角的结构示意图；图5是本专利技术提供的对折结构第二视角的结构示意图。图中：1、输料结构；11、放料轴；12、输料辊；2、对折结构；21、工作台；22、导向组件；221、第一导向台；222、第一导向轮；223、第二导向台；224、第二导向轮；23、滚筒；24、压板；3、辊压结构；31、辊压辊；4、收料结构；41、收料轴；5、分离收卷结构；51、收卷轴；10、承载膜；101、对折线；102、第一部分；103、第二部分；20、包边结构；30、磁片本体。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。如图1所示，本实施例提供一种非晶纳米晶磁片制备方法，该非晶纳米晶磁片制备方法包括如下步骤：将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜10上，包边材料为绝缘膜、散热膜或金属箔；同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶纳米晶磁片制备方法，其特征在于，包括：/n将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜(10)上，所述包边材料为绝缘膜、散热膜、或金属箔；/n同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构(20)和磁片本体(30)，并在所述承载膜(10)上加工对折线(101)，所述包边结构(20)和所述磁片本体(30)的形状相同，且所述包边结构(20)的面积大于所述磁片本体(30)的面积；/n将所述承载膜(10)沿所述对折线(101)对折，以使所述包边结构(20)贴合并完全覆盖于所述磁片本体(30)。/n

【技术特征摘要】
1.一种非晶纳米晶磁片制备方法，其特征在于，包括：
将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜(10)上，所述包边材料为绝缘膜、散热膜、或金属箔；
同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构(20)和磁片本体(30)，并在所述承载膜(10)上加工对折线(101)，所述包边结构(20)和所述磁片本体(30)的形状相同，且所述包边结构(20)的面积大于所述磁片本体(30)的面积；
将所述承载膜(10)沿所述对折线(101)对折，以使所述包边结构(20)贴合并完全覆盖于所述磁片本体(30)。


2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备方法，其特征在于，所述承载膜(10)为PET塑料膜。


3.一种非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，实施如权利要求1－2任一项所述的非晶纳米晶磁片制备方法。


4.根据权利要求3所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括模切装置，所述模切装置包括分别用于对所述包边材料和所述磁片材料进行图形化处理的第一模具和第二模具，以及用于在所述承载膜(10)上加工形成所述对折线(101)的第三模具。


5.根据权利要求3所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括用于将所述承载膜(10)对折的对折装置，所述对折装置包括依次设置的用于对承载膜(10)进行输送的输料结构(1)、用于对所述承载膜(10)进行对折的对折结构(2)、用于对对折后的承载膜(10)进行辊压的辊压结构(3)以及用于对对折后的承载膜(10)进行卷收的收料结构(4)。


6.根据权利要求5所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述承载膜(10)沿所述对折线(101)分为第一部分(102)和第二部分(103)，所述对...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵俊，朱权，顾小建，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33