片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法技术

本发明专利技术涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明专利技术增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。

Chip tantalum capacitor and quality control method of cathode manganese dioxide layer

【技术实现步骤摘要】
片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法
本专利技术涉及片式钽电容器质量可靠性检测
，一种片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法。
技术介绍
钽电容器是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，在航空、航天和兵器等领域内均被广泛应用，典型应用于电源电路，实现滤波、旁路、去耦、和储能的作用。片式钽电容器是使用最为广泛的钽电容器，包括钽芯11、正极12、钽丝13、负极14、二氧化锰层15、石墨16、银浆17、模压包封料18及正负极引出，如图1所示。钽电容器由于钽芯表面介质氧化膜具有单向导电特性和整流特性，当对钽电容器施加过载反向电压，氧化膜介质不会像半导体器件的PN结一样立即会击穿失效，但其氧化膜介质会受到伤害，该质量隐患有一定的潜伏期，因此钽电容器的质量与可靠性是由生产厂商的产品设计、生产、检验、筛选和使用方的验收、补充筛选、储运、发放、装调及应用等全过程共同构成。因此在工程应用中，钽电容器装机后失效通常具有偶发性的特点，故障产品击穿位置也较随机，因此故障原因查找较为困难，归零复查难度很高。二氧化锰作为片式钽电容器的阴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.片式钽电容器阴极二氧化锰层质量控制方法，其特征在于，对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；/n剖面制样：将样品制成纵向剖面，该剖面剖切至发现拒收缺陷或至阳极钽丝点焊点为止；/n剖面镜检：对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：/na)阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；/nb)对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；/nc)对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。/n

【技术特征摘要】
1.片式钽电容器阴极二氧化锰层质量控制方法，其特征在于，对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；
剖面制样：将样品制成纵向剖面，该剖面剖切至发现拒收缺陷或至阳极钽丝点焊点为止；
剖面镜检：对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：
a)阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；
b)对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；
c)对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。


2.如权利要求1所述的片式钽电容器阴极二氧化锰层质量控制方法，其特征在于，所述剖面镜检还包括对钽芯内部结构、阳极点焊质量和阴极引出端质量进行检查，检查是否存在GJB4027A《军用电子元器件破坏性物理分析方法》工作项目0208方法中2.3条中规定的缺陷。


3.如权利要求1所述的片式钽电容器阴极二氧化锰层质量控制方法，其特征在于，所述剖面制样中，采用手工研磨时研磨方向应顺着样品轴向方向进行，以最大限度避免因研磨机械应力引起的分层；研磨原则为先粗磨后细磨，越接近观察点研磨砂纸应越细，粗磨砂纸选择600目～800目，细磨砂纸选择1000目～2000目，转速为300～500转/min。

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟，李春，朱敏尉，刘楠，张辉，孔泽斌，张超，罗宇华，祝伟明，江芸，楼建设，
申请(专利权)人：上海精密计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31