【技术实现步骤摘要】
焊盘及动态随机存取存储器
本公开涉及半导体
,尤其涉及一种焊盘及具有该焊盘的动态随机存取存储器。
技术介绍
随着DRAM(动态随机存取存储器)的存取速度的提升,为满足快速操作的需求,DRAM制程会采用铜制程,以此能够降低寄生的电阻和电容,从而提高DRAM产品的运行速度。现有DRAM采用铜制程时,其焊盘(PAD)的抗静电能力降低,焊盘在静电释放(Electro-StaticDischarge,ESD)作用下会产生较严重的损伤。
技术实现思路
本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种静电抵抗能力较强的焊盘。本公开的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种具有上述焊盘的动态随机存取存储器。为实现上述目的,本公开采用如下技术方案:根据本公开的一个方面,提供一种焊盘,设于动态随机存取存储器。其中,所述焊盘包括框体、多层金属互连结构以及多个导电结构。多层所述金属互连结构设于所述框体中,每层所述金属互连结构包括多条金属线,不同层的所述金属线在水平面 ...
【技术保护点】
1.一种焊盘,设于动态随机存取存储器,其特征在于,所述焊盘包括:/n框体;/n多层金属互连结构,设于所述框体中,每层所述金属互连结构包括多条金属线,不同层的所述金属线在水平面上的正投影相互交叉而具有多个交叉部位,所述金属线的交叉部位向外延伸形成有扩展结构;以及/n多个导电结构,分别连接于相邻两层所述金属线的多个扩展结构之间,所述导电结构被配置为在相邻两层所述金属线的所述扩展结构之间形成电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种焊盘,设于动态随机存取存储器,其特征在于,所述焊盘包括:
框体;
多层金属互连结构,设于所述框体中,每层所述金属互连结构包括多条金属线,不同层的所述金属线在水平面上的正投影相互交叉而具有多个交叉部位,所述金属线的交叉部位向外延伸形成有扩展结构;以及
多个导电结构,分别连接于相邻两层所述金属线的多个扩展结构之间,所述导电结构被配置为在相邻两层所述金属线的所述扩展结构之间形成电连接。
2.根据权利要求1所述的焊盘,其特征在于,形成于不同层的所述金属线的且上下相对的多个所述扩展结构在水平面上正投影的形状相同。
3.根据权利要求2所述的焊盘,其特征在于,所述导电结构的水平截面与其所连接的所述扩展结构在水平面上正投影的形状相同。
4.根据权利要求2所述的焊盘,其特征在于,形成于同一层的所述金属线的多个所述扩展结构在水平面上的正投影的形状相同。
5.根据权利要求1所述的焊盘,其特征在于,所述扩展结构在水平面上的正投影呈圆形、矩形、菱形或正多边形。
6.根据权利要求1所述的焊盘,其特征在于,所述扩展结构在水平面...
【专利技术属性】
技术研发人员:许杞安,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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