一种热处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种热处理装置，包括：上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。本实用新型专利技术通过分别在上下腔室设置进气口和出气口，能够平衡上下腔室之间的气压，避免损坏上下腔室之间的石英板。

A heat treatment device

【技术实现步骤摘要】
一种热处理装置
本技术涉及加热设备领域，更具体地，涉及用于半导体制造的热处理装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，热处理是必要的。例如，快速热处理(RTP，rapidthermalprocessing)是半导体制造中的一道工艺，可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。快速热处理升温速度非常快保温时间很短，一般升温速率能达到10～100摄氏度每秒。通常采用红外卤素灯或者电阻棒加热，加热时电流很大，功率很大。快速热处理能大量节省热处理时间和降低生产成本，是热处理上的一次革新。常用的热处理装置有立式炉、卧式炉等。现有的一些热处理装置为了防止加热照射时扬起颗粒，进而污染晶圆，将热处理装置内分为两个腔室，晶圆和加热装置分别位于不同的腔室，两个腔室之间通过石英板分隔开。但是在实热际处理过程中，容易出现两个腔室之间压力不平衡，为此有些热处理装置在石英板上开孔，但是石英板比较脆，开孔容易导致石英板应力集中出现破裂，而且直接在石英板上开孔，也容易导致腔室内沉积的颗粒通过开孔污染晶圆。因此，期待一种改进的热处理装置，能够平衡腔室之间的压力，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括：/n上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；/n加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；/n上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；/n下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；/n抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。/n

【技术特征摘要】
1.一种热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括：
上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；
加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；
上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；
下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；
抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。


2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述导热板为石英板，以密封方式分隔所述上腔室和所述下腔室。


3.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括抽气泵，设置于所述抽气口的出口管道上。


4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括过滤装置，所述过滤装置设置于所述上腔室进气口或所述下腔室进气口的前端。


5.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述上腔室进气口设置在上腔室一侧壁的下部，所述上腔室出气口设置在上腔室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周思源，
申请(专利权)人：量伙半导体设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31