基于热胀冷缩的光刻方法技术

一种基于热胀冷缩的光刻方法，该方法包括在晶圆上涂覆热敏光刻胶；将涂覆好热敏光刻胶的晶圆升温后光刻；将光刻后的晶圆降温后曝光，即完成所述光刻。本发明专利技术不同于传统光刻依赖波长缩短来提高分辨率，它通过温控来实现分辨率提高，克服了当前传统光刻依赖光源波长缩短而造成的技术困难，为集成电路制造节点的进一步缩小提供了一种新方法；该方法操作简单，所需温度控制设备技术较成熟，成本低，这大大降低了进一步提高光刻分辨率而带来的成本增加。

Photolithography based on thermal expansion and contraction

【技术实现步骤摘要】
基于热胀冷缩的光刻方法
本专利技术属于光刻领域，具体涉及一种基于热胀冷缩的光刻方法。
技术介绍
随着光刻技术的不断发展，集成电路芯片尺寸逐渐微缩。目前，集成电路已经通过193nm波长的浸没式光刻实现7nm节点量产。然而，193nm浸没式光刻是通过多重曝光并经过上千道工序实现7nm节点制程，其过程繁杂，大大增加光刻成本。同时对7nm以下节点浸没式光刻已无能为力。为了降低光刻复杂度、缩减成本，进一步缩小节点尺寸到7nm以下，需要进一步缩短光刻光源的波长且具有足够的功率以满足量产需求，或发展新的光刻技术。研究者提出了极紫外(ExtremeUltraviolet，EUV)光刻技术，它不同于传统的浸没式光刻，整个EUV光刻系统都是以多层膜反射式结构进行光路设计，由于波长为13.5nm，因此具有更高的分辨率，是未来7nm及以下节点工艺的最有潜力技术。该技术流程图1如下所示，在晶圆上涂胶后，利用紫外光进行照射光刻，然后对光刻胶曝光。形成图案。图案大小即为光刻投影图案大小。基于该原理的光刻工艺技术，波长是光刻尺度的决定性因素，即波长越短，光刻图案尺度和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于热膨冷缩的光刻方法，包括：/n在晶圆上涂覆热敏光刻胶；/n将涂覆好热敏光刻胶的晶圆升温后光刻；/n将光刻后的晶圆降温后曝光，即完成所述光刻。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于热膨冷缩的光刻方法，包括：
在晶圆上涂覆热敏光刻胶；
将涂覆好热敏光刻胶的晶圆升温后光刻；
将光刻后的晶圆降温后曝光，即完成所述光刻。


2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，
所述光刻步骤中光刻光源为极紫外光。


3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，
所述热敏光刻胶的热敏温度为20至90℃。


4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，
所述热敏光刻胶的热膨胀位移为10至12纳米。


5.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，
所述降温步骤中升温到...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立拓，周维虎，吴晓斌，王宇，陈晓梅，石俊凯，黎尧，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11