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一种基于热胀冷缩的光刻方法，该方法包括在晶圆上涂覆热敏光刻胶；将涂覆好热敏光刻胶的晶圆升温后光刻；将光刻后的晶圆降温后曝光，即完成所述光刻。本发明不同于传统光刻依赖波长缩短来提高分辨率，它通过温控来实现分辨率提高，克服了当前传统光刻依赖光源...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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