一种量子点电致发光器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种量子点电致发光器件，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。

A quantum dot electroluminescent device

【技术实现步骤摘要】
一种量子点电致发光器件
本技术涉及宽禁带半导体光电器件领域，具体涉及一种量子点电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
目前主流的固态照明方法是用蓝光的LED芯片与传统的黄色钇铝石榴石(yttriumaluminumgarnet,YAG:Ce)荧光粉组合而获得白光LED。这种黄色荧光粉的发射光谱主要含有黄绿光，其红光成分相对不足，这就造成了此类白光LED的显色指数较低(一般不大于80)，甚至不及传统的白炽灯等光源。而稀土荧光粉的颗粒一般较大(微米量级)存在严重的光散射问题，易造成白光LED的效率降低，另外其制备条件也相对苛刻，一般需要高温。因此，要获得高显色性的、高效率的白光LED必须要具备性能优异的发光材料。量子点作为发光材料，相较于传统的荧光粉而言，具有颗粒尺寸小、发光峰位可调、色彩饱和度高、量子产率高等诸多优点，有望成为下一代显示和照明的主导者。量子点发光二极管(quantumdotlightemittingdiodes,QLED)电致发光器件主要有两种。一种是直接载流子注入复合，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层直接注入到量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料，所述氮化镓材料包括非掺杂或掺杂的N型氮化镓单晶层或多层，所掺杂的原子包括Si，Ge。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料，所述氮化镓材料包括非掺杂或掺杂的N型氮化镓单晶层或多层，所掺杂的原子包括Si，Ge。


2.根据权利要求1项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，还包括在阴极层和量子点发光层之间依次层叠的电子注入层和电子传输层，其中所述氮化镓材料既作为阴极又为电子注入层。


3.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述透明衬底为蓝宝石衬底、氮化镓自支撑衬底或者两者的结合。


4.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伟，刘南柳，彭俊彪，王琦，张国义，
申请(专利权)人：华南理工大学，北京大学东莞光电研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44