一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法，涉及低熔点金属技术领域。低熔点金属器件的制作方法包括：使用低熔点金属，在基材上形成低熔点金属图案；为低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上；将封装薄膜覆盖于基材上，从封装薄膜和/或基材的一侧开始施加压力，直至封装薄膜与形成有低熔点金属图案的基材复合；将指定区域切割去除，得到低熔点金属器件。本发明专利技术的技术方案能够解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时，低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。

Manufacturing method of a low melting point metal device and solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法
本专利技术涉及低熔点金属
，尤其涉及一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法。
技术介绍
低熔点金属的熔点低于300摄氏度，其具有导电性好、熔点低、导热性好等优势，成为了近年来发展迅速的一种新兴功能材料。在应用低熔点金属的过程中，在基材上制作完成低熔点金属图案后，通常需要对低熔点金属图案进行封装，以对低熔点金属图案进行有效保护，提高低熔点金属器件的稳定性。目前，常用的封装方法包括以下几种：第一种，将未固化的PDMS或硅胶材料填充到形成有低熔点金属图案的基材上，利用高温或者自然固化，使得封装材料凝固。这种方法需要等待较长的时间，封装厚度以及均匀度都很难得到保证。第二种，将未固化的光固化树脂填充到形成有低熔点金属图案的基材上，利用紫外光照射，使得光固化树脂固化。这种方法虽然时间上大幅缩短，但是封装厚度和均匀度依然难以保证。第三种，使用封装薄膜与基材贴合进行封装。这种方法可以很好的解决封装厚度和均匀度的问题，而且封装速度很快。但是，专利技术人发现，第三种封装方法仍然存在一定问题，例如，针对熔点低的低熔点金属，其在室温或者封装过程的高温状态下为液态，封装薄膜与基材的贴合需要加压，压力会导致液态的低熔点金属溢出，从而导致低熔点金属图案的变形或者破坏。
技术实现思路
本专利技术提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法，可以解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时，低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。第一方面，本专利技术提供一种低熔点金属器件的制作方法，采用如下技术方案：所述低熔点金属器件的制作方法包括：步骤S1、提供一基材和一封装薄膜；步骤S2、使用低熔点金属，在所述基材上形成低熔点金属图案，所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度；步骤S3、为所述低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者所述封装薄膜上；步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述低熔点金属图案的所述基材复合，完成对所述低熔点金属图案的封装；步骤S5、将所述指定区域切割去除，得到所述低熔点金属器件。可选地，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案覆盖所述基材的一面，或者，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为所述线条中沿所述第一方向延伸的部分；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。可选地，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为沿所述第一方向延伸的凹槽，且所述凹槽的一端与所述线条的一端连接；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。可选地，所述低熔点金属图案包括多个U形的线条，U形的所述线条的直线部分沿所述第一方向延伸。可选地，所述第一方向与所述基材的边缘平行。可选地，沿所述第一方向，所述凹槽的宽度和/或深度逐渐增加。可选地，所述凹槽的内壁上设置有疏低熔点金属层。可选地，所述指定区域位于所述封装薄膜上。可选地，所述步骤S4中，通过滚动或者滑动的方式从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力。可选地，所述步骤S4中，施加在所述封装薄膜和/或所述基材上的压强为1MPa～30MPa；所述步骤S4还包括对封装过程中的温度进行控制，其中，采用冷压覆膜工艺时，控制所述温度为-30℃～30℃，采用热压覆膜工艺时，控制所述温度为50℃～200℃。第二方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法，采用如下技术方案：所述太阳能电池的制作方法包括：在基材上形成薄膜电池；使用低熔点金属，在形成有所述薄膜电池的所述基材上，形成汇流线，所述低熔点金属的熔点低于室温；为所述汇流线中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述汇流线中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者封装薄膜上；将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述汇流线的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述汇流线的所述基材复合，完成对所述汇流线的封装；将所述指定区域切割去除，得到所述太阳能电池。可选地，所述汇流线包括一个低熔点金属线条，所述低熔点金属线条为任意形状，且所述低熔点金属线条的一端延伸至所述太阳能电池外部；或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均为任意形状，且各所述低熔点金属线条均相互分立，各所述低熔点金属线条的一端均延伸至所述太阳能电池外部；或者，所述汇流线包括多个低熔点金属线条，各所述低熔点金属线条均为任意形状，至少两个所述低熔点金属线条通过一条连接线相互连接，且所述连接线的一端延伸至所述太阳能电池外部。本专利技术提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法，使用该低熔点金属器件的制作方法制作低熔点金属器件的过程如下：先提供一基材和一封装薄膜，然后使用低熔点金属，在基材上形成低熔点金属图案，低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度，然后为低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，引导路径用于在封装过程中将低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，指定区域位于基材上或者封装薄膜上，然后将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上，然后，从封装薄膜和/或基材的一侧开始施加压力，直至封装薄膜与形成有低熔点金属图案的基材复合，完成对低熔点金属图案的封装，最后将指定区域切割去除，得到低熔点金属器件。在封装过程中，如果有低熔点金属流动时，引导路径可以将低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，并将指定区域切割去除，使得低熔点金属不会从低熔点金属图案溢出，不会造成低熔点金属图案的变形或者破坏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的制作方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的制作过程示意图；图3为本专利技术实施例提供的在基材上制作低熔点金属图案的流程图；图4为本专利技术实施例提供的低熔点金属图案的示意图；图5为本专利技术实施例提供的通过滚动的方式对封装薄膜施加压力的示意图；图6为本专利技术实施例提供的汇流线的示意图一；图7为本专利技术实施例提供的汇流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，包括：/n步骤S1、提供一基材和一封装薄膜；/n步骤S2、使用低熔点金属，在所述基材上形成低熔点金属图案，所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度；/n步骤S3、为所述低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者所述封装薄膜上；/n步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述低熔点金属图案的所述基材复合，完成对所述低熔点金属图案的封装；/n步骤S5、将所述指定区域切割去除，得到所述低熔点金属器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一基材和一封装薄膜；
步骤S2、使用低熔点金属，在所述基材上形成低熔点金属图案，所述低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度；
步骤S3、为所述低熔点金属图案中的低熔点金属设置引导路径，所述引导路径用于在封装过程中将所述低熔点金属图案中的流动的低熔点金属引导至指定区域，所述指定区域位于所述基材上或者所述封装薄膜上；
步骤S4、将所述封装薄膜覆盖于所述基材上形成有所述低熔点金属图案的一面上，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始施加压力，直至所述封装薄膜与形成有所述低熔点金属图案的所述基材复合，完成对所述低熔点金属图案的封装；
步骤S5、将所述指定区域切割去除，得到所述低熔点金属器件。


2.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为所述线条中沿所述第一方向延伸的部分；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。


3.根据权利要求1所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述低熔点金属图案覆盖所述基材的一面，或者，所述低熔点金属图案包括至少一个线条，所述线条的主延伸方向为第一方向；所述步骤S3中，所述引导路径为沿所述第一方向延伸的凹槽，且所述凹槽的一端与所述线条的一端连接；所述步骤S4中，从所述封装薄膜和/或所述基材的一侧开始沿所述第一方向施加压力。


4.根据权利要求2或3所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，所述第一方向与所述基材的边缘平行。


5.根据权利要求3所述的低熔点金属器件的制作方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述凹槽的宽度和/或深度逐渐增加。


6.根据权利要求3所述的低熔点金属器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢双豪，梁赟，朱唐，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11