等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；等离子体发生部，在腔室的内部发生等离子体；气体供给部，向腔室的内部供给气体；放置部，位于发生等离子体的区域的下方，放置处理物；减压部，位于放置部的下方，对腔室的内部进行减压；及支撑部，在腔室的内部空间中支撑放置部。支撑部具有：安装部，位于放置部的下方，设置放置部；及梁，在腔室的内部从腔室的侧面朝着腔室的中心轴延伸，一端连接于安装部的侧面，在内部具有连接于腔室的外部空间的空间。

Plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术的实施方式涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在用于干刻、化学汽相沉积(CVD(ChemicalVaporDeposition))、物理汽相沉积(PVD(PhysicalVaporDeposition))等的等离子体处理装置中，要求提高等离子体处理性能。因此，在对腔室的内部进行排气时，优选以有效排气速度较大且未发生偏离的轴对称的方式进行排气。另外，如果进行等离子体处理时产生的副产物残留于腔室的内部，则等离子体处理性能会发生变动。因此，需要进行定期地清洗腔室的内部或者更换附着有副产物的零件的维护。此时，如果将放置处理物的放置部固定于腔室的底面，则难以将放置部取出到腔室的外部，难以维护等离子体处理装置。于是，提出了如下等离子体处理装置，梁从腔室的侧面向腔室的内部突出，具备：在梁的顶端侧设置有放置部的单支撑结构的模块；及设置在放置部的正下方的涡轮分子泵(例如，参照专利文献1)。这样，由于能够在腔室的内部空间中设置放置部，因此能够将减压部配置在放置部的正下方。如果减压部配置在放置部的正下方，则容易以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，具备：/n腔室，可维持比大气压更被减压的环境；/n等离子体发生部，在所述腔室的内部发生等离子体；/n气体供给部，向所述腔室的内部供给气体；/n放置部，位于发生所述等离子体的区域的下方，放置处理物；/n减压部，位于所述放置部的下方，对所述腔室的内部进行减压；/n及支撑部，在所述腔室的内部空间中支撑所述放置部，其特征为，/n所述支撑部具有：安装部，位于所述放置部的下方，设置所述放置部；/n及梁，在所述腔室的内部从所述腔室的侧面朝着所述腔室的中心轴延伸，一端连接于所述安装部的侧面，在内部具有连接于所述腔室的外部空间的空间，/n在所述梁的侧部中，当将所述放置部侧的侧部的厚度作...

【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1834651.一种等离子体处理装置，具备：
腔室，可维持比大气压更被减压的环境；
等离子体发生部，在所述腔室的内部发生等离子体；
气体供给部，向所述腔室的内部供给气体；
放置部，位于发生所述等离子体的区域的下方，放置处理物；
减压部，位于所述放置部的下方，对所述腔室的内部进行减压；
及支撑部，在所述腔室的内部空间中支撑所述放置部，其特征为，
所述支撑部具有：安装部，位于所述放置部的下方，设置所述放置部；
及梁，在所述腔室的内部从所述腔室的侧面朝着所述腔室的中心轴延伸，一端连接于所述安装部的侧面，在内部具有连接于所述腔室的外部空间的空间，
在所述梁的侧部中，当将所述放置部侧的侧部的厚度作为t1、将所述梁的所述放置部侧的相反侧的侧部的厚度作为t2时，满足以下的式t1＞t2。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：东野秀史，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP