一种液晶显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术揭露一种液晶显示面板及其制备方法，通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的共享电极相连，实现像素间的子区分压设计；仅保留TFT区的黑矩阵以对共享电极进行遮光，在去除黑矩阵的区域均采用DBS公共电极走线，并在由于共享电极的共享设计而采用的ITO导线处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS公共电极走线跨线连至相邻的直连的DBS公共电极走线上，形成有效导通实现DBS的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板及其制备方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示面板及其制备方法。
技术介绍
现有的液晶显示面板一般包括TFT(薄膜晶体管)阵列基板、与TFT阵列基板相对贴合设置的CF(彩色滤光片)基板及设于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶层。在液晶显示面板制造中，主要有M1/M2/ITO(第一金属层/第二金属层/氧化铟锡层)用作图形化电极层。随着高规格显示器的逐步推广，各大面板厂商争相布局高解析度、低色偏等关键显示技术，3T/3T+&8domain(畴)设计凭借其优异的色偏表现获得广泛关注，同时为降低生产成本，4mask(掩膜板)工艺也被广泛采用。由于4mask工艺集成了a-Si(非晶硅有源层)与M2为一道掩膜板，受到制程工艺的限制，a-Si层会略宽于M2层，从而限制了M2层的布局影响开口率。同时，M2层中的Sharebar(共享电极)与a-Si层直接接触，在光照情况下将产生光生载流子，从而影响sharebar的稳定性并对像素(pixel)正常显示产生不良影响。现有设计条件下，通过保留略宽于sharebar与a-Si层的M1以进行遮光，从而避免光生载流子的产生以提升sharebar稳定性。尽管通过保留sharebar下M1层的设计能够改善其光学稳定性，但M1层的物理遮光性质也导致了开口率的进一步降低，从而严重限制了穿透率。参考图1，现有液晶显示面板结构的俯视示意图，从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图1中略去基板，主要显示液晶显示面板结构中与sharebar设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。如图1所示，液晶显示面板主要包括：位于TFT阵列基板侧由栅极线和数据线(未图示)交叉限定的多个像素区域11和多个TFT区域12，以及位于CF基板侧的BM(黑矩阵)13。在所述像素区域11内设有像素电极110，所述像素区域11包括主(main)区111以及子(sub)区112。所述TFT区域12设置于所述主区111与所述子区112之间，在所述TFT区域12内设有TFT结构及sharebar(未图示)；所述主区111的像素电极和所述子区112的像素电极分别通过第一开孔121与相应的TFT结构相连，通过第二开孔122利用ITO导线123将三列相邻像素的sharebar相连，从而实现像素间sharebar共享，进而实现像素间的sub区分压设计；例如，通过开孔设计利用ITO导线将相邻R/G/B像素中R/G像素的sharebar连接至B像素的sharebar，从而实现RGB的sub区分压设计。所述BM13设置于CF基板上，并对应于所述数据线以及TFT区域12，即，且所述BM13(为方便显示其他结构，图中TFT区域12的BM13以虚线表示)在所述TFT阵列基板上的投影覆盖像素区域11之间的数据线以及sharebar，从而实现遮光效果。但是，由于BM位于CF基板上，很容易在TFT阵列基板与CF基板对组时发生偏移，影响遮光效果，特别是对数据线的遮光效果；同时在曲面屏设计中，位于CF基板上的BM更加容易在面板扭曲时发生相对偏移，从而导致实际遮光效果恶化，对比度/色偏等重要指标都会恶化。因此，亟需在保留现有sharebar共享设计的基础上进行合适的遮光设计，来降低对组偏移风险，以实现液晶显示面板在高规格显示产品特别是曲面屏产品上的广泛使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种液晶显示面板及其制备方法，可以实现像素间sharebar共享，实现遮光的同时降低对组偏移风险。为实现上述目的，本专利技术提供了一种液晶显示面板，包括：像素区域，由栅极线和数据线交叉限定，所述像素区域包括主区和子区，在所述主区和所述子区内均设有像素电极；设置于所述主区与所述子区之间的TFT区域，在所述TFT区域内设有TFT结构及共享电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连，同一行的三个相邻的所述共享电极通过第二开孔采用ITO导线相连；DBS公共电极走线，设置于所述液晶显示面板的阵列基板侧并与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及黑矩阵，用于对所述TFT区域进行遮蔽。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种液晶显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一基板，所述基板包括像素区域和TFT区域，所述像素区域包括主区和子区，所述TFT区域位于所述主区与所述子区之间；在所述基板上制备数据线以及栅极线，并在对应所述TFT区域制备TFT结构及共享电极；沉积绝缘保护层；在所述绝缘保护层上对应所述像素区域制备像素电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连；在所述绝缘保护层上对应所述TFT区域制备ITO导线，采用ITO导线通过第二开孔将同一行的三个相邻的所述共享电极相连；在所述绝缘保护层上制备DBS公共电极走线，所述DBS公共电极走线与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及在对应所述TFT区域制备黑矩阵，以对所述TFT区域进行遮蔽。本专利技术的优点在于：本专利技术通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的共享电极相连，从而实现像素间共享电极共享，进而实现像素间的子区分压设计；去除了像素的主区之间、子区之间的黑矩阵，仅保留TFT区的黑矩阵以对共享电极进行遮光，避免光生载流子的产生以提升共享电极的稳定性；在去除黑矩阵的区域均采用DBS公共电极走线，并在由于共享电极的共享设计而采用的ITO导线处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS公共电极走线跨线连至相邻的直连的DBS公共电极走线上，形成有效导通实现DBS的功能。本专利技术DBS公共电极走线集成于TFT阵列基板侧，可以避免TFT阵列基板与CF基板对组误差导致的漏光现象，实现优异的遮光性能，可广泛用于高规格显示产品特别是曲面屏产品。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1，现有液晶显示面板结构的俯视示意图；图2，本专利技术液晶显示面板结构的俯视示意图；图3，本专利技术液晶显示面板的制备方法的流程示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本专利技术所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。本专利技术的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：/n像素区域，由栅极线和数据线交叉限定，所述像素区域包括主区和子区，在所述主区和所述子区内均设有像素电极；/n设置于所述主区与所述子区之间的TFT区域，在所述TFT区域内设有TFT结构及共享电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连，同一行的三个相邻的所述共享电极通过第二开孔采用ITO导线相连；/nDBS公共电极走线，设置于所述液晶显示面板的阵列基板侧并与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及/n黑矩阵，用于对所述TFT区域进行遮蔽。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
像素区域，由栅极线和数据线交叉限定，所述像素区域包括主区和子区，在所述主区和所述子区内均设有像素电极；
设置于所述主区与所述子区之间的TFT区域，在所述TFT区域内设有TFT结构及共享电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连，同一行的三个相邻的所述共享电极通过第二开孔采用ITO导线相连；
DBS公共电极走线，设置于所述液晶显示面板的阵列基板侧并与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及
黑矩阵，用于对所述TFT区域进行遮蔽。


2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述DBS公共电极走线、所述ITO导线与所述像素电极由同一ITO层制作而成。


3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述DBS公共电极走线包括：
一第一子DBS公共电极走线，与第一数据线平行设置，并在所述TFT区域处断开；
一第二子DBS公共电极走线，与第二数据线平行设置，并贯穿所述TFT区域；
一DBS连接线，设置于所述TFT区域内，所述DBS连接线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔，并连接相邻的所述第一子DBS公共电极走线与所述第二子DBS公共电极走线。


4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述DBS连接线自所述第二子DBS公共电极走线引出，在临近所述第二开孔处分成两条分支连接线，一条所述分支连接线绕过所述第一开孔/所述第二开孔连接至所述主区侧的第一子DBS公共电极走线，另一条所述分支连接线绕过所述第二开孔/所述第一开孔连接至所述子区侧的第一子DBS公共电极走线。


5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述黑矩阵设置于所述液晶显示面板的阵列基板一侧，或者设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。


6.一种液晶显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：张银峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44