一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用全息干涉记录手段进行二次曝光制备小占宽比全息光栅的新方法。其步骤为：用两相干平行光对记录材料进行第一次曝光，然后在不改变记录光束的情况下，用步进电机调整记录材料位置，进行第二次曝光，二次曝光完成后进行显影。该方法比离子刻蚀方法更易实现，只比一般全息光栅的制备过程多一次记录材料的移动和曝光过程，可以利用原有制备一般全息光栅的设备进行二次曝光制备小占宽比全息光栅。与已有的方法比，所增加的曝光工序较简单，不仅对制备材料没有特殊要求，而且不需要额外的设备和特殊元件。这种方法制备过程简单，制备速度快，且制备成本低。

A method of fabricating holographic grating with small occupation ratio by holographic interference recording

【技术实现步骤摘要】
一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法
本专利技术涉及一种采用全息干涉记录手段进行二次曝光制备小占宽比全息光栅的新方法。
技术介绍
与刻划光栅相比，全息光栅具有能消除鬼线，降低杂散光，分辨率高，适用光谱范围宽，生产效率高等优点。全息光栅的占宽比(线宽与周期之比)是全息光栅中一项重要参数，全息光栅占宽比不同，全息光栅的衍射效率等性质也不同。然而采用全息干涉记录手段的方式制备全息光栅，占宽比一般只能控制在0.2～0.6范围之间。原因在于：利用全息干涉记录手段方法在制备全息光栅的过程中，随着曝光时间的增加，全息光栅的占宽比随之减小，这个过程也会导致光栅槽型地不断变化，由于干涉条纹的暗条纹中心和两边的曝光量不同，随着曝光时间的增加，光栅的波峰变得越来越窄(即光栅的线宽越来越小)，光栅周期不变的情况下，光栅的占宽比也就随之越来越小；而当使得占宽比(线宽与周期之比)小于0.2时，全息光栅沟槽将发生坍塌，光栅形貌无法保留。因此传统的全息干涉记录手段方法制备的全息光栅很难得到小于0.2占宽比的全息光栅。目前，为了得到小占宽比的光栅，已有的方法有离子束刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法，其特征在于，包括下述步骤：/nS1：用两入射的相干平行光对记录材料进行第一次曝光，入射角θ由下式确定：2sinθ＝λ/d，其中λ为记录光源的激光波长，d为光栅周期，所述记录材料为可形成浮雕状干涉条纹的记录干版，所述记录光源的波长为记录干版敏感的激光波长；/nS2：在不改变记录光束的前提下，利用步进电机调整记录材料的位置，移动的距离由所需要得到的全息光栅占宽比决定；/nS3：调整完成之后进行第二次曝光；/nS4：两次曝光完成后进行显影，即得到所需的小占宽比全息光栅。/n

【技术特征摘要】
1.一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法，其特征在于，包括下述步骤：
S1：用两入射的相干平行光对记录材料进行第一次曝光，入射角θ由下式确定：2sinθ＝λ/d，其中λ为记录光源的激光波长，d为光栅周期，所述记录材料为可形成浮雕状干涉条纹的记录干版，所述记录光源的波长为记录干版敏感的激光波长；
S2：在不改变记录光束的前提下，利用步进电机调整记录材料的位置，移动的距离由所需要得到的全息光栅占宽比决定；
S3：调整完成之后进行第二次曝光；
S4：两次曝光完成后进行显影，即得到所需的小占宽比全息光栅。


2.根据权利要求1所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述利用步进电机调整记录材料的位置，包括利用步进电机水平移动记录材料的位置或垂直移动记录材料的位置。


3.根据权利要求2所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述利用步进电机水平移动记录材料的位置，所述占宽比与记录材料水平移动距离之间的关系是：其中σ1是第一次...

【专利技术属性】
技术研发人员：任雪畅，刘凯航，王婉秋，炉庆洪，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35