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本发明公开了一种采用全息干涉记录手段进行二次曝光制备小占宽比全息光栅的新方法。其步骤为：用两相干平行光对记录材料进行第一次曝光，然后在不改变记录光束的情况下，用步进电机调整记录材料位置，进行第二次曝光，二次曝光完成后进行显影。该方法比离子刻...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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