一种电动汽车电机控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电动汽车电机控制器，SiC MOSFET功率模块固定在箱体底板上一侧，薄膜电容固定在箱体底板上另一侧，驱动板固定于SiC MOSFET功率模块上方，叠层母排固定于SiC MOSFET功率模块以及薄膜电容上方，霍尔板固定于驱动板上方，三相铜柱穿过霍尔板固定于SiC MOSFET功率模块上方；控制板固定于隔离板上方，隔离板固定于盖板下方，水道盖板安装于箱体外部下方，盖板安装于箱体外部上方，三相连接器固定于箱体外部侧边，母线连接器固定于箱体外部与三相连接器相对的一侧，水嘴固定于箱体外部与三相连接器相邻的一侧，低压连接器固定于箱体外部与水嘴相同一侧。本实用新型专利技术各功能性零部件紧凑集成在一起，体积小、集成度高、功率密度大。

An electric vehicle motor controller

【技术实现步骤摘要】
一种电动汽车电机控制器
本技术涉及电机控制器领域，特别是涉及一种电动汽车电机控制器。
技术介绍
众所周知，电机控制器是一种将电动汽车电池输出的直流电转换成三相交流电，用与驱动电动汽车电机运行的重要部件，也是电动汽车的核心零部件之一，因此为了让电动汽车能够稳定运行，电机控制器持续、长时间正常运行时的安全可靠性尤为重要。同时在改善电动汽车整车的电磁兼容性能的发展领域中，电机控制器作为核心电子零部件，改善电机控制器的电磁兼容性能对整车的运行也十分重要。目前，传统电动汽车电机控制器种类繁多，但结构布局大同小异，普遍存在问题有体积大、集成度低、内部空间利用率低、结构复杂、装配维修麻烦、电磁兼容性差等等。因此，亟需一种体积小、集成度高、功率密度大、结构简单、易安装维修、电磁兼容性好的电动汽车电机控制器。
技术实现思路
为解决现有技术存在的上述问题，本技术提供一种体积小、集成度高、功率密度大、结构简单、易安装维修、电磁兼容性好的电动汽车电机控制器。本技术采用的技术方案如下：一种电动汽车电机控制器，包括安装在箱体里面的SiCMOSFET功率模块、薄膜电容、驱动板、叠层母排、三相铜柱、霍尔板、隔离板、控制板；还包括在主箱体外部固定有水道盖板、盖板、三相连接器、母线连接器、水嘴、低压连接器，所述箱体内部底板上一侧突起，一侧下沉，所述的SiCMOSFET功率模块固定在箱体底板上突起一侧；薄膜电容固定在箱体底板上下沉一侧，并与SiCMOSFET功率模块相平齐；突起侧设置有连通的用于冷却所述SiCMOSFET功率模块的水道；驱动板固定连接于SiCMOSFET功率模块上方；叠层母排固定连接于SiCMOSFET功率模块以及薄膜电容上方；霍尔板固定连接于驱动板上方；三相铜柱穿过霍尔板固定连接于SiCMOSFET功率模块上方；控制板固定连接于隔离板上方；隔离板固定连接于盖板下方；所述水道盖板安装于箱体外部下方，并与箱体固定密封连接；盖板安装于箱体外部上方，并与箱体固定密封连接；三相连接器固定于箱体外部侧边，与箱体固定密封连接，同时与箱体内部三相铜柱相连；母线连接器固定于箱体外部与三相连接器相对的一侧，与箱体固定密封连接，同时与箱体内部叠层母排相连；水嘴固定于箱体外部与三相连接器相邻的一侧，与箱体固定密封连接；低压连接器固定于箱体外部与水嘴相同一侧，与箱体固定密封连接同时与箱体内部控制板相连。进一步地，所述叠层母排安装平铺固定在SiCMOSFET功率模块上方正、负极输出连接部以及薄膜电容上方正、负极连接柱上。进一步地，所述驱动板上与SiCMOSFET功率模块上方正、负极输出连接部对应位置设有镂空缺口，驱动板镂空缺口穿过SiCMOSFET功率模块上方正、负极输出连接部镶嵌在SiCMOSFET功率模块上，SiCMOSFET功率模块上的驱动引脚穿过驱动板上的连接孔位并焊接相连。进一步地，所述霍尔板安装固定于SiCMOSFET功率模块输出连接部上方，三相铜柱穿过霍尔板上的电流检测元件固定在SiCMOSFET功率模块上方的输出连接部上。进一步地，所述母线连接器安装固定于与叠层母排输入连接孔最近的箱体侧面；三相连接器安装固定于与三相铜柱连接输出孔最近的箱体侧面，母线连接器与叠层母排通过2个相关型号紧固螺母连接固定导通，三相连接器与三相铜柱通过3个相关型号紧固螺钉连接固定导通。进一步地，所述控制板固定连接于隔离板上方，隔离板固定连接于盖板下方，低压连接器的低压线束与所述控制板连接。本技术的电动汽车电机控制器，通过采用上述技术方案，具有以下有益效果：1）本技术提供的电动汽车电机控制器将SiCMOSFET功率模块、薄膜电容、驱动板、叠层母排、三相铜柱、霍尔板、隔离板、控制板、水道盖板、盖板、三相连接器、母线连接器、水嘴、低压连接器按照特定的空间布局集成于箱体上，大幅度缩小了电机控制器的体积、零部件与零部件之间高度集成，避免了箱体内部有限空间的浪费、提高了电机控制器的功率密度；2）本技术提供的电动汽车电机控制器将驱动板中间镂空镶嵌在SiCMOSFET功率模块上，同时SiCMOSFET功率模块上的驱动引脚穿过驱动板上的连接孔位焊接相连，省去了驱动引线，减少了驱动回路的寄生电感，降低电机控制器整体高度的同时，改善了电机控制器的电磁兼容性能；3）本技术提供的电动汽车电机控制器的叠层母排表面采用绝缘处理，在保证电气绝缘的同时，大大减小了装配空间，减小了铜排的寄生电感；同时叠层铜排安装在驱动板与直流高压输入和交流高压输出之间，将高、低压之间有效屏蔽隔开，降低了高低压之间的电磁干扰；4）本技术提供的电动汽车电机控制器的高压连接部分采用直线型连接方式，直流电流通过母线连接器，通过相连的叠层母排流经薄膜电容进入SiCMOSFET功率模块，通过SiCMOSFET功率模块整流转换成交流电，通过三相铜柱，流出三相连接器给外部电机供电；整个结构避免了高压导通部分结构的迂回，有效的节省了导电材料的使用，减小了高压回路对内部低压信号的电磁干扰，同时方便安装且易维修；5）本技术提供的电动汽车电机控制器的控制板下方采用隔离板将其与下方的直流高压输入和交流高压输出有效隔开，大大降低直流高压输入和交流高压输出对控制板产生的电磁干扰。附图说明图1是本技术实施例的剖视示意图；图2是本技术实施例的爆炸示意图；图3是本技术实施例的箱体组件正面示意图（除盖板、控制板、隔离板外）；图4是本技术实施例的箱体组件正面示意图（除盖板、控制板、隔离板、叠层母排外）；图5是本技术实施例的单独箱体结构示意图；图中：1、箱体，2、水道盖板，3、盖板，4、隔离板，5、三相铜柱，6、三相连接器，7、霍尔板，8、驱动板，9、SiCMOSFET功率模块，10、薄膜电容、11、叠层母排，12、母线连接器，13、控制板，14、水嘴，15、低压连接器。具体实施方式为了便于理解本技术，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本技术作更全面、细致地描述，但本技术的保护范围并不限于以下具体的实施例。如图1-图5所示，该实施例公开了一种电动汽车电机控制器，包括箱体1和安装在箱体1里面的SiCMOSFET功率模块9、薄膜电容10、驱动板8、叠层母排11、三相铜柱5、霍尔板7、隔离板4、控制板13；还包括在主箱体外部固定有水道盖板2、盖板3、三相连接器6、母线连接器12、水嘴14、低压连接器15。所述的SiCMOSFET功率模块9固定在箱体1底板上一侧；薄膜电容10固定在箱体1底板上另一侧，并与SiCMOSFET功率模块9相平齐；驱动板8固定连接于SiCMOSFET功率模块9上方；叠层母排11固定连接于SiCMOSFET功率模块9以及薄膜电容10上方；霍尔板7固定连接于驱动板8上方；三相铜柱5穿过霍尔板7固定连接于SiCMOSFET功率模块9上方；控制板13固定连接于隔离板4上方；隔离板4固定连接于盖板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电动汽车电机控制器，包括安装在箱体（1）里面的SiC MOSFET功率模块（9）、薄膜电容（10）、驱动板（8）、叠层母排（11）、三相铜柱（5）、霍尔板（7）、隔离板（4）、控制板（13）；还包括在主箱体外部固定有水道盖板（2）、盖板（3）、三相连接器（6）、母线连接器（12）、水嘴（14）、低压连接器（15），其特征在于：所述箱体（1）内部底板上一侧突起，一侧下沉，所述的SiC MOSFET功率模块（9）固定在箱体（1）底板上突起一侧；薄膜电容（10）固定在箱体（1）底板上下沉一侧，并与SiC MOSFET功率模块（9）相平齐；突起侧设置有连通的用于冷却所述SiC MOSFET功率模块（9）的水道；驱动板（8）固定连接于SiC MOSFET功率模块（9）上方；叠层母排（11）固定连接于SiC MOSFET功率模块（9）以及薄膜电容（10）上方；霍尔板（7）固定连接于驱动板（8）上方；三相铜柱（5）穿过霍尔板（7）固定连接于SiC MOSFET功率模块（9）上方；控制板（13）固定连接于隔离板（4）上方；隔离板（4）固定连接于盖板（3）下方；所述水道盖板（2）安装于箱体（1）外部下方，并与箱体（1）固定密封连接；盖板（3）安装于箱体（1）外部上方，并与箱体（1）固定密封连接；三相连接器（6）固定于箱体（1）外部侧边，与箱体（1）固定密封连接，同时与箱体（1）内部三相铜柱（5）相连；母线连接器（12）固定于箱体（1）外部与三相连接器（6）相对的一侧，与箱体（1）固定密封连接，同时与箱体（1）内部叠层母排（11）相连；水嘴（14）固定于箱体（1）外部与三相连接器（6）相邻的一侧，与箱体（1）固定密封连接；低压连接器（15）固定于箱体（1）外部与水嘴（14）相同一侧，与箱体（1）固定密封连接同时与箱体（1）内部控制板（13）相连。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电动汽车电机控制器，包括安装在箱体（1）里面的SiCMOSFET功率模块（9）、薄膜电容（10）、驱动板（8）、叠层母排（11）、三相铜柱（5）、霍尔板（7）、隔离板（4）、控制板（13）；还包括在主箱体外部固定有水道盖板（2）、盖板（3）、三相连接器（6）、母线连接器（12）、水嘴（14）、低压连接器（15），其特征在于：所述箱体（1）内部底板上一侧突起，一侧下沉，所述的SiCMOSFET功率模块（9）固定在箱体（1）底板上突起一侧；薄膜电容（10）固定在箱体（1）底板上下沉一侧，并与SiCMOSFET功率模块（9）相平齐；突起侧设置有连通的用于冷却所述SiCMOSFET功率模块（9）的水道；驱动板（8）固定连接于SiCMOSFET功率模块（9）上方；叠层母排（11）固定连接于SiCMOSFET功率模块（9）以及薄膜电容（10）上方；霍尔板（7）固定连接于驱动板（8）上方；三相铜柱（5）穿过霍尔板（7）固定连接于SiCMOSFET功率模块（9）上方；控制板（13）固定连接于隔离板（4）上方；隔离板（4）固定连接于盖板（3）下方；所述水道盖板（2）安装于箱体（1）外部下方，并与箱体（1）固定密封连接；盖板（3）安装于箱体（1）外部上方，并与箱体（1）固定密封连接；三相连接器（6）固定于箱体（1）外部侧边，与箱体（1）固定密封连接，同时与箱体（1）内部三相铜柱（5）相连；母线连接器（12）固定于箱体（1）外部与三相连接器（6）相对的一侧，与箱体（1）固定密封连接，同时与箱体（1）内部叠层母排（11）相连；水嘴（14）固定于箱体（1）外部与三相连接器（6）相邻的一侧，与箱体（1）固定密封连接；低压连接器（15）固定于箱体（1）外部与水嘴（14）相同一侧，与箱体...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟进，刘平，王育军，尹书虎，周振，
申请(专利权)人：湖南沃森电气科技有限公司，湖南大学，
类型：新型
国别省市：湖南;43