一种TFT-LCD铝蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种TFT‑LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：无机酸60‑70份，无极强酸5‑10份，调节剂10‑15份，缓蚀剂0.1‑1份，络合剂0.1‑1份。本发明专利技术的有益效果：该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5%降至2~3%，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120~150nm。

A TFT-LCD aluminum etching solution

【技术实现步骤摘要】
一种TFT-LCD铝蚀刻液
本专利技术涉及蚀刻液
，具体为一种TFT-LCD铝蚀刻液。
技术介绍
传统铝蚀刻液多为磷硝醋体系，但是因蚀刻出的铝离子化合物易在蚀刻表面造成蚀刻现象，蚀刻良率较低，而且传统铝蚀刻液侧蚀较严重，侧蚀达到200nm。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT-LCD铝蚀刻液，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：优选的，所述无机酸为60份到70份的磷酸。优选的，所述无极强酸为5份到10份的硝酸。优选的，所述调节剂为10份到15份的冰醋酸。优选的，所述缓蚀剂为0.1份到1份的羟基磷酸盐缓蚀剂。优选的，所述络合剂为0.1份到1份的新型酰胺类络合剂。有益效果该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5％降至2～3％，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120～150nm。具体实施方式以下是本专利技术的具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于这些实施例。实施例1一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：实施例2一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：实施例3r>一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：实施例4一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：实施例5一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：实施例6一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术性的保护范围之内的
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：





2.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述无机酸为60份到70份的磷酸。


3.根据权利要求1所述的TFT-LCD铝蚀刻液配方，其特征在于：所述无极强酸为5份到10份的硝酸。


4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王润杰，卢洪庆，陈浩，严増源，
申请(专利权)人：苏州博洋化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32