一种TFT用高纯铝蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于：配方由80％的磷酸(H

A high purity etching solution for TFT

The invention discloses a high-purity aluminum etching solution for TFT, which is characterized in that the formula is composed of 80% phosphoric acid (H

【技术实现步骤摘要】
一种TFT用高纯铝蚀刻液
本专利技术属于蚀刻液相关
，具体涉及一种TFT用高纯铝蚀刻液。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor)是薄膜晶体管的缩写。蚀刻液是通过侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体，从理论上讲，凡能氧化钢而生成可溶性铜盐的试剂，都可以用来蚀刻敷铜箔板，但权衡对抗蚀层的破坏情况、蚀刻速度，蚀刻系数、溶铜容量、溶液再生及铜的回收、环境保护及经济效果等方面。现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置技术存在以下问题：现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置在生产制造的过程中多简单的通过将TFT用高纯铝蚀刻液的原料混合搅拌在一起，然后通过生产原料之间的相互反应制造产生蚀刻液，不仅生产工作的效率低而且生产出的蚀刻液蚀刻效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT用高纯铝蚀刻液、生产工艺及其生产装置以解决上述
技术介绍
中提出的生产效率较低且产品工作效率较低的的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于：配方由80％的磷酸(H3PO4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于：配方由80％的磷酸(H

【技术特征摘要】
1.一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于：配方由80％的磷酸(H3PO4)、10％的水(H2O)、5％的硝酸(N2O5)和5％的醋酸(CH3COOH)所组成。


2.根据权利要求1所述的一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于生产工艺如下：
步骤一、选取原料，原料包括磷酸(H3PO4)、水(H2O)、硝酸(N2O5)和醋酸(CH3COOH)，使用者在选取原料时选用高纯度无污染的原料进行生产工作；
步骤二、使用者将不同种类的生产原料通过加料口(2)分别加入四个储料桶(8)内；
步骤三、使用者将生产装置和外部工作电源连接，然后使用者启动生产装置进行生产工作；
步骤四、生产完成后，使用者将混合桶(5)内生产完成的原料通过出料口(53)取出然后转移至外部存储设备内。


3.根据权利要求2所述的一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于采用一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置进行生产，TFT用高纯铝蚀刻液生产装置包括底架板(7)和储料桶(8)，其特征在于：所述底架板(7)的顶部中间左侧位置处设置有储料桶(8)，所述储料桶(8)的顶部位置处设置有传输管(3)，所述传输管(3)的顶部位置处与储料桶(8)相对应的位置处设置有抽取泵(2)，所述传输管(3)的前端中间位置处设置有固定架(1)，所述传输管(3)的另一端位置处设置在混合桶(5)的顶部左侧位置处，所述混合桶(5)的顶部位置处设置有工作电机(4)，所述底架板(7)的底部位置处设置有脚架(6)。


4.根据权利要求3所述的一种TFT用高纯铝蚀刻液，其特征在于所述混合桶(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：戈士勇，何珂，
申请(专利权)人：江阴润玛电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32