字线驱动器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种字线驱动器及其制备方法，所述方法包括：提供一基底，在基底内形成有源区，且基底包含用于形成NMOS的第一区域与用于形成PMOS的第二区域，形成凹槽在第一区域的基底内，凹槽呈闭合环形，填充金属材料层在凹槽内，刻蚀金属材料层，至剩余部分金属材料层在凹槽内，以形成NMOS栅极，形成第一介质层，第一介质层覆盖基底并填满所述凹槽，去除第二区域的第一介质层，在第二区域的基底上形成PMOS栅极。本发明专利技术提供的字线驱动器中的NMOS栅极为埋入式栅极，能够缩小字线驱动器的面积，减小单个chip面积，提高单片基底上的chip数量，降低成本；同时，NMOS栅极呈环形，可省去NMOS栅极互连线，并增大栅极接触的面积，增大制程窗口。

Word line driver and its preparation

【技术实现步骤摘要】
字线驱动器及其制备方法
本专利技术涉及集成电路设计与制造领域，特别涉及一种字线驱动器及其制备方法。
技术介绍
DRAM(动态随机存取存储器)的字线驱动器使用平面MOS制作，每个字线驱动器由2个NMOS和1个PMOS组成，每两个Array区(存储阵列区)之间设置有一个字线驱动器。每个字线驱动器控制两侧2个Array区各一半的字线，相当于每一个Array区都需要搭配一个字线驱动器，因此字线驱动器在单个chip(芯片)中占有很大的面积比例。随着半导体制作工艺集成度的不断增加，如何缩小字线驱动面积来减小单个chip面积，提高单片硅片上的chip数量已成为一种趋势。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种字线驱动器及其制备方法，缩小字线驱动器的面积，减小单个chip面积，提高单片基底上的chip数量，降低成本。为实现上述目的，本专利技术提供一种字线驱动器的制备方法，包括：提供一基底，在所述基底内形成有源区，且所述基底包含用于形成NMOS的第一区域与用于形成PMOS的第二区域；形成凹槽在所述第一区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种字线驱动器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，在所述基底内形成有源区，且所述基底包含用于形成NMOS的第一区域与用于形成PMOS的第二区域；/n形成凹槽在所述第一区域的所述基底内，所述凹槽呈闭合环形；/n填充金属材料层在所述凹槽内；/n刻蚀所述金属材料层，至剩余部分所述金属材料层在所述凹槽内，以形成NMOS栅极；/n形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述基底并填满所述凹槽；/n去除所述第二区域的所述第一介质层，在所述第二区域的所述基底上形成PMOS栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种字线驱动器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底，在所述基底内形成有源区，且所述基底包含用于形成NMOS的第一区域与用于形成PMOS的第二区域；
形成凹槽在所述第一区域的所述基底内，所述凹槽呈闭合环形；
填充金属材料层在所述凹槽内；
刻蚀所述金属材料层，至剩余部分所述金属材料层在所述凹槽内，以形成NMOS栅极；
形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述基底并填满所述凹槽；
去除所述第二区域的所述第一介质层，在所述第二区域的所述基底上形成PMOS栅极。


2.如权利要求1所述的字线驱动器的制备方法，其特征在于，形成凹槽在所述第一区域的所述基底内的步骤包括：
依次形成第二介质层、图案传递层以及图案化的光刻胶层在所述基底上；
形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述图案化的光刻胶层与所述图案传递层；
刻蚀所述第一掩膜层与所述图案化的光刻胶层，至剩余所述图案化的光刻胶层的侧壁上的所述第一掩膜层；
以剩余的所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述图案传递层，并去除剩余的所述第一掩膜层；
形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第二介质层并包围剩余的所述图案传递层的侧壁；
以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀剩余的所述图案传递层以及其下方的所述第二介质层与部分所述基底，以形成凹槽。


3.如权利要求2所述的字线驱动器的制备方法，其特征在于，形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第二介质层并包围剩余的所述图案传递层的侧壁的步骤包括：
形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第二介质层与剩余的所述图案传递层；
平坦化所述第二掩膜层，至暴露出剩余的所述图案传递层。


4.如权利要求1所述的字线驱动器的制备方法，其特征在于，形成所述凹槽之后，填充所述金属材料层之前，还包括：
依次形成栅介质层与阻挡层在所述凹槽的侧壁及底部。


5.如权利要求1所述的字线驱动器的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度介于100nm～...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34