一种扩散炉推拉舟改善方法技术

本发明专利技术公开了一种扩散炉推拉舟改善方法，包括以下步骤：A、首先在炉口处安装过渡平台，且过渡平台的台面与炉口内腔底壁处于同一水平面；B、拉出晶舟后，使晶舟底部支撑在过渡平台台面上；C、冷却一段时间后，继续向外拉出晶舟，晶舟底部始终支撑在过渡平台台面上，直至完全拉出晶舟，本发明专利技术采用的方法操作简单，原有的扩散工艺原进出炉时间评估为1小时，且需要人员手动托舟，在使用进出炉支架后可缩短进出炉时间时间至20分钟，完全省去操作人员手动托舟的风险，有进出炉支架取代，从而完全避免人员进出炉步骤时的摔舟碎片风险。

【技术实现步骤摘要】
一种扩散炉推拉舟改善方法
本专利技术涉及晶圆扩散
，具体为一种扩散炉推拉舟改善方法。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％。晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98％的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扩散炉推拉舟改善方法，其特征在于：包括以下步骤：/nA、首先在炉口处安装过渡平台，且过渡平台的台面与炉口内腔底壁处于同一水平面；/nB、拉出晶舟后，使晶舟底部支撑在过渡平台台面上；/nC、冷却一段时间后，继续向外拉出晶舟，晶舟底部始终支撑在过渡平台台面上，直至完全拉出晶舟。/n

【技术特征摘要】
1.一种扩散炉推拉舟改善方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、首先在炉口处安装过渡平台，且过渡平台的台面与炉口内腔底壁处于同一水平面；
B、拉出晶舟后，使晶舟底部支撑在过渡平台台面上；
C、冷却一段时间后，继续向外拉出晶舟，晶舟底部始终支撑在过渡平台台面上，直至完全拉出晶舟。


2.根据权利要求1所述的一种扩散炉推拉舟改善方法，其特征在于：所述步骤A中过渡平台包括台面(1)、底部支撑架(2)和安装板(3)，所述安装板(3)通过螺丝安装在底部支撑架(2)一侧，且所述安装板(3)安装在炉体外壁，所述台面(1)焊接在底部支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔文荣，
申请(专利权)人：江苏晟驰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32