一种AiP缝隙天线封装结构及其制备方法技术

技术编号:23607687 阅读:82 留言:0更新日期:2020-03-28 08:06
本发明专利技术公开了一种AiP缝隙天线封装结构,包括:第一塑封层;第一金属层,所述第一金属层覆盖所述第一塑封层的上表面;天线缝隙,所述天线缝隙设置在所述第一金属层中;第二金属层,所述第二金属层设置在所述第一塑封层的下表面,且所述第二金属层连接并接地;波导信号馈入口,所述波导信号馈入口设置在所述第二金属层上;第二塑封层,所述第二塑封层设置在所述第二金属层的下方;芯片,所述芯片被所述第二塑封层包覆,且芯片正面引脚从所述第二塑封层的底面漏出;波导信号馈入结构,所述波导信号馈入结构贯穿所述第二塑封层,与所述波导信号馈入口相耦合;重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述第二塑封层的下方,电连接至所述波导信号馈入结构和所述芯片的引脚;外接焊球,所述外接焊球设置在所述第二重新布局布线层下方,且电连接至所述第二重新布局布线层。

An AIP slot antenna package structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种AiP缝隙天线封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
,尤其涉及射频通讯技术的一种封装天线AiP(Antenna-in-Package)缝隙天线封装结构及其制备方法。
技术介绍
天线是无线系统中的重要部件,有分离和集成两种形式。分离天线司空见惯,集成天线也已悄悄地进入到我们的视线。集成天线包括片上天线(AoC)和封装天线(AiP)两大类型。AiP是基于封装材料与工艺将天线与芯片集成在封装内实现系统级无线功能的一门技术。AiP技术顺应了硅基半导体工艺集成度提高的潮流,为系统级无线芯片提供了良好的天线解决方案,因而深受广大芯片及封装制造商的青睐。AiP技术很好地兼顾了天线性能、成本及体积,代表着近年来天线技术的重要成就。另外,AiP技术将天线触角伸向集成电路、封装、材料与工艺等领域,倡导多学科协同设计与系统级优化。SiP技术可以提升系统性能、降低系统功耗,但是现有的Aip天线的功能模块和封装制作采用不同的材料和工艺,会导致系统的可靠性降低和系统成本增加等问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AiP缝隙天线封装结构,包括:/n第一塑封层;/n第一金属层,所述第一金属层覆盖所述第一塑封层的上表面;/n天线缝隙,所述天线缝隙设置在所述第一金属层中;/n第二金属层,所述第二金属层设置在所述第一塑封层的下表面,且所述第二金属层连接并接地;/n波导信号馈入口,所述波导信号馈入口设置在所述第二金属层上;/n第二塑封层,所述第二塑封层设置在所述第二金属层的下方;/n芯片,所述芯片被所述第二塑封层包覆,且芯片正面引脚从所述第二塑封层的底面漏出;/n波导信号馈入结构,所述波导信号馈入结构贯穿所述第二塑封层,与所述波导信号馈入口相耦合;/n重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述第二塑封层...

【技术特征摘要】
1.一种AiP缝隙天线封装结构,包括:
第一塑封层;
第一金属层,所述第一金属层覆盖所述第一塑封层的上表面;
天线缝隙,所述天线缝隙设置在所述第一金属层中;
第二金属层,所述第二金属层设置在所述第一塑封层的下表面,且所述第二金属层连接并接地;
波导信号馈入口,所述波导信号馈入口设置在所述第二金属层上;
第二塑封层,所述第二塑封层设置在所述第二金属层的下方;
芯片,所述芯片被所述第二塑封层包覆,且芯片正面引脚从所述第二塑封层的底面漏出;
波导信号馈入结构,所述波导信号馈入结构贯穿所述第二塑封层,与所述波导信号馈入口相耦合;
重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述第二塑封层的下方,电连接至所述波导信号馈入结构和所述芯片的引脚;以及
外接焊球,所述外接焊球设置在所述第二重新布局布线层下方,且电连接至所述第二重新布局布线层。


2.如权利要求1所述的AiP缝隙天线封装结构,其特征在于,还包括设置在所述第一塑封层内部和或侧面的导电隔腔壁,所述导电隔腔壁使所述第一塑封层形成一个或多个隔腔。


3.如权利要求2所述的AiP缝隙天线封装结构,其特征在于,所述导电隔腔壁的材料为金属、导电银浆或导电胶。


4.如权利要求1或2所述的AiP缝隙天线封装结构,其特征在于,所述第一金属层、所述天线缝隙、所述第二金属层和所述导电隔腔壁...

【专利技术属性】
技术研发人员:李君陈峰陈颖曹立强
申请(专利权)人:上海先方半导体有限公司华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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