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本发明公开了一种AiP缝隙天线封装结构，包括：第一塑封层；第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一塑封层的上表面；天线缝隙，所述天线缝隙设置在所述第一金属层中；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第一塑封层的下表面，且所述第二金属层连接并接地...该专利属于上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。