一种日盲紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种日盲紫外探测器，包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列，以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极；所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。本发明专利技术还提供了一种日盲紫外探测器的制备方法，通过等离子体增强分子束外延法在衬底表面上沉积MgZnO薄膜，并采用聚苯乙烯微球刻印技术在MgZnO薄膜表面形成金属纳米阵列。本发明专利技术的日盲紫外探测器在紫外乃至深紫外波段对光的吸收强，在其他波段对光的吸收弱，能选择特定波长增强吸收，体现出良好的波长选择性，具有更高的光响应度、探测率以及灵敏度。

A solar blind UV detector and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种日盲紫外探测器及其制备方法
本专利技术涉及深紫外探测
，尤其涉及一种日盲紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
深紫外光一般指波长100nm到280nm之间的光波，其在杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。根据相关统计数据估计，全球深紫外光应用市场规模高达数十亿美元，目前这类光源主要以氙灯、汞灯等气体光源为主。紫外探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，利用光电效应把光学辐射转化成电学信号。紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中，日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外(波长小于290nm),而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低；光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。在传统能源越来越珍贵的今天，半导体发光体作为节能材料，其发光效率的提高具有越来越重要的意义。金属表面等离激元以其特殊的性质，成为提高半导体发光效率的有效手段。目前，人们已经实现了利用金属表面等离激元增强基、GaN基及ZnO基等材料的发光增强。金属表面等离激元的共振能量与金属种类、金属颗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列，以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极；所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列，以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极；所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。


2.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、石英衬底、氧化锌衬底或氧化镁衬底中的任意一种，所述衬底的厚度为400～450μm。


3.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述MgZnO薄膜的厚度为500～800nm。


4.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述金属纳米阵列的材质为Al、Ag、Au及其合金中的任意一种。


5.根据权利要求4所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述金属纳米阵列中所有金属纳米颗粒的粒径均为100nm，相邻两个金属纳米颗粒的间距为400～600nm。


6.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极为金属叉指电极，指间距≥1mm。


7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘可为，王丽嫣，陈星，申德振，张振中，李炳辉，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22