硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板技术

技术编号:23603779 阅读:38 留言:0更新日期:2020-03-28 05:07
本发明专利技术提供了一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板,所述硅基液晶器件包括:反射层,形成于一衬底上;增反射层,形成于所述反射层上;以及,像素电极,形成于所述增反射层上,所述像素电极和所述反射层电性连接,且所述像素电极的材质为透光材料。本发明专利技术的技术方案使得驱动电压保持不变或略有降低以及反射率得到提高,进而使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。

Silicon based liquid crystal device and its manufacturing method and silicon based liquid crystal display panel

【技术实现步骤摘要】
硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示领域,特别涉及一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板。
技术介绍
硅基液晶(LiquidCrystalonsilicon,LCOS)显示面板是一种反射式液晶微型面板,其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面,具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点,其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。硅基液晶显示面板通常包括硅基液晶器件和透明盖板,硅基液晶器件和透明盖板之间通过框胶粘合在一起,并将液晶材料封装在内。其中,硅基液晶器件的结构和性能对硅基液晶显示面板的性能具有很大的影响。常规的硅基液晶器件上的像素电极和反射层均由金属材质的像素电极充当,反射率较低,导致背光亮度较高,功耗加大。若在金属材质的像素电极的表面增镀增反膜,虽然会使得反射率提升,但是对比度会明显降低。因此,如何对现有的硅基液晶器件的结构进行改进,以提高反射率、降低功耗是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅基液晶器件及其制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:/n反射层,形成于一衬底上;/n增反射层,形成于所述反射层上;以及,/n像素电极,形成于所述增反射层上,所述像素电极和所述反射层电性连接,且所述像素电极的材质为透光材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:
反射层,形成于一衬底上;
增反射层,形成于所述反射层上;以及,
像素电极,形成于所述增反射层上,所述像素电极和所述反射层电性连接,且所述像素电极的材质为透光材料。


2.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层,以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。


3.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述反射层的材质为金属材料,所述金属材料包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种;所述增反射层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种,所述增反射层为单层膜结构或至少两层膜堆叠而成的复合结构;所述透光材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。


4.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,还包括:电介质层,形成于所述反射层和所述衬底之间。


5.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述硅基液晶器件包括至少两个像素电极,所述硅基液晶器件还包括:绝缘阻隔层、绝缘钝化层和配向层,其中,所述绝缘阻隔层填充在相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开,所述绝缘钝化层和配向层依次覆盖于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:程凌志柳冬冬
申请(专利权)人:豪威半导体上海有限责任公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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