一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法技术

一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D‑SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D‑SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D‑SiC(rGO)陶瓷。

A defect healing method of SiC polymer precursor ceramics

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法
本专利技术涉及陶瓷材料制备，尤其是涉及一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法。
技术介绍
碳化硅(siliconcarbide,SiC)材料具有高硬度、高强度、高热导率、高电子迁移率、耐腐蚀、耐磨损、耐高温、不易老化、化学稳定性和机械稳定性强等一系列突出优点，其高温力学性能也是已知陶瓷材料中最佳的，能够在高温、高功率、高频率等苛刻条件下正常工作。目前，碳化硅陶瓷已被广泛应用于工业生产中，在核电、化工、机械、电子、冶金、国防、航空航天等高尖端领域均具有极为广泛的应用前景。先驱体转化法是一种通过聚合物先驱体高温裂解制备陶瓷的生产工艺，它无需添加烧结助剂，可以灵活控制陶瓷的化学结构、原子排列、相组成等微观结构，制得的陶瓷产品机械性能优异、热稳定性良好、化学性质稳定，烧结温度明显低于传统烧结方式，特别是在制备碳化硅等高性能非氧化物陶瓷领域具有传统陶瓷工艺无可比拟的优势，具有极大的发展前景，受到学术界和工业界等多方的广泛关注。虽然先驱体转化法的优势十分显著，但是先驱体在裂解过程中有气体产生，在陶瓷样品中残留本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，其特征在于包括以下步骤：/n1)将聚碳硅烷粉末、乙烯基三乙氧基硅烷与适量卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，并将氧化石墨烯粉末分散于纯净水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，对混合液水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，获得先驱体PVG粉末，模压成型后获得SiC(rGO)素坯，将SiC(rGO)素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷；/n2)将步骤1)中所得3D-SiC(rGO)陶瓷浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将聚碳硅烷粉末、乙烯基三乙氧基硅烷与适量卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，并将氧化石墨烯粉末分散于纯净水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，对混合液水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，获得先驱体PVG粉末，模压成型后获得SiC(rGO)素坯，将SiC(rGO)素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷；
2)将步骤1)中所得3D-SiC(rGO)陶瓷浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷；
3)将步骤2)所得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D-SiC(rGO)陶瓷。


2.如权利要求1所述一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，其特征在于在步骤1)中，所述聚碳硅烷粉末、乙烯基三乙氧基硅烷、卡斯特催化剂、二甲苯的配比为(1～8)︰(1～4)︰1︰(60～100)，其中，聚碳硅烷粉末以质量计算，乙烯基三乙氧基硅烷、卡斯特催化剂、二甲苯以体积计算。


3.如权利要求1所述一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，其特征在于在步骤1)中，所述氧化石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚荣迁，郑艺浓，黄雯燕，林舒宇，韩宇宸，庄堃，李凌杰，朱烨琦，郭鹏焕，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35