一种溢流槽制造技术

本实用新型专利技术提供一种溢流槽，所述溢流槽包括：溢流槽本体，所述溢流槽本体包括溢流槽底部和溢流槽侧壁，所述溢流槽底部通入液体，用于清洗晶圆；导流板，包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。本实用新型专利技术的溢流槽在保证清洗均匀性的前提下能降低晶圆取出时颗粒和污染物粘附到晶圆的表面。

A kind of overflow tank

【技术实现步骤摘要】
一种溢流槽
本技术属于半导体制造领域，特别是涉及一种溢流槽。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。在形成IC产品的过程中，晶圆需要经过湿法刻蚀、清洗等步骤，湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。在湿法刻蚀后需要对晶圆进行清洗来去除晶圆表面附着的化学物质，晶圆清洗时可以将晶圆放入溢流槽内清洗，但是，由于溢流槽的水流平缓，有很多颗粒和污染物滞留在液体表面，当晶圆取出时，这些颗粒和污染物往往会粘附到晶圆的表面。基于以上所述，本技术的目的是给出一种溢流槽，以解决现有技术的晶圆从溢流槽内取出时颗粒和污染物粘附到晶圆表面的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种溢流槽，用于解决现有技术中晶圆从溢流槽内取出时颗粒和污染物粘附到晶圆表面的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种溢流槽，包括：溢流槽本体，所述溢流槽本体包括溢流槽底部和溢流槽侧壁，所述溢流槽底部通入液体，用于清洗晶圆；导流板，包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。可选地，所述晶圆竖直位于所述溢流槽本体内并与所述导流板平行。可选地，所述溢流槽底部的形状包括矩形。可选地，所述导流板与所述溢流槽本体一体成型。可选地，所述导流板的高度高于溢出液流的高度。可选地，所述导流板的宽度等于所述溢流槽侧壁的宽度。可选地，所述液体包括超纯水。可选地，所述溢流槽底部连续不断匀速通入所述液体。可选地，所述溢流槽底部连接有管道，所述管道连接有泵，以向所述溢流槽本体通入液体。可选地，所述溢流槽本体用于晶圆刻蚀后清洗掉晶圆表面的化学物质。如上所述，本技术提供一种溢流槽，本技术具有以下功效：本技术的溢流槽在保证清洗均匀性的前提下能降低晶圆取出时颗粒和污染物粘附到晶圆的表面。进一步的，所述溢流槽本体用于晶圆刻蚀后清洗掉晶圆表面的化学物质时，所述溢流槽底部连续不断匀速通入所述液体，保证清洗均匀性，使得化学物质均匀的离开晶圆表面，从而保证刻蚀的均匀性。导流板设置于所述溢流槽侧壁上，所述导流板包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板与所述第二导流板相对，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出，增加了液体溢出溢流槽时的流速，从而使得颗粒和污染物更快的离开液体表面，降低晶圆取出时颗粒和污染物粘附到晶圆的表面。所述晶圆竖直位于所述溢流槽本体内并与所述导流板平行，使得水流方向与晶圆表面平行，从而使颗粒和污染物的移动方向与晶圆表面平行，有效降低颗粒和污染物附着到晶圆表面，降低晶圆取出时颗粒和污染物粘附到晶圆的表面。附图说明图1显示为本技术的溢流槽所呈现的立体图。图2显示为本技术的溢流槽所呈现的主视图。图3显示为本技术的溢流槽所呈现的侧视图。图4显示为本技术的溢流槽所呈现的俯视图。元件标号说明101溢流槽本体102溢流槽底部103溢流槽侧壁104导流板105晶圆具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图图1～图4所示，本实施例还提供一种溢流槽，包括：溢流槽本体101、导流板104。所述溢流槽本体101包括溢流槽底部102和溢流槽侧壁103，所述溢流槽底部102通入液体，用于清洗晶圆105。作为示例，所述溢流槽底部102的形状包括矩形。所述溢流槽底部102连续不断匀速通入所述液体。所述溢流槽底部102连接有管道，所述管道连接有泵，以向所述溢流槽本体101通入液体。作为示例，所述液体包括超纯水。所述超纯水，又称UP水，电阻率达到18MΩ*cm(25℃)的水。常用于集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。作为示例，所述溢流槽本体101用于晶圆105刻蚀后清洗掉晶圆105表面的化学物质。所述晶圆105刻蚀采用湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。所述溢流槽本体101用于晶圆105刻蚀后清洗掉晶圆105表面的化学物质时，所述溢流槽底部102连续不断匀速通入所述液体，保证清洗均匀性，使得化学物质均匀的离开晶圆105表面，从而保证刻蚀的均匀性。作为示例，所述溢流槽本体101的材质包括聚丙烯。聚丙烯(Polypropylene，简称PP)是一种半结晶的热塑性塑料。具有较高的耐冲击性，机械性质强韧，抗多种有机溶剂和酸碱腐蚀。在工业界有广泛的应用，是平常常见的高分子材料之一。所述导流板104包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁103上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。作为示例，所述晶圆105竖直位于所述溢流槽本体101内并与所述导流板104平行。作为示例，所述导流板104与所述溢流槽本体101一体成型。所述导流板104的材质包括聚丙烯。作为示例，所述导流板104的高度高于溢出液流的高度。所述导流板104的宽度等于所述溢流槽侧壁103的宽度。导流板104设置于所述溢流槽侧壁103上，所述导流板104包括第一导流板104和第二导流板104，所述第一导流板104与所述第二导流板104相对，所述液体由所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溢流槽，其特征在于，包括：/n溢流槽本体，所述溢流槽本体包括溢流槽底部和溢流槽侧壁，所述溢流槽底部通入液体，用于清洗晶圆；/n导流板，包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。/n

【技术特征摘要】
1.一种溢流槽，其特征在于，包括：
溢流槽本体，所述溢流槽本体包括溢流槽底部和溢流槽侧壁，所述溢流槽底部通入液体，用于清洗晶圆；
导流板，包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。


2.根据权利要求1所述的溢流槽，其特征在于：所述晶圆竖直位于所述溢流槽本体内并与所述导流板平行。


3.根据权利要求1所述的溢流槽，其特征在于：所述溢流槽底部的形状包括矩形。


4.根据权利要求1所述的溢流槽，其特征在于：所述导流板与所述溢流槽本体一体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林凤雏，符德荣，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37