【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造,尤其涉及一种晶圆侦测传感器的保护装置及化学机械研磨设备。
技术介绍
1、晶圆清洗过程中,会使用到大量的去离子水和化学品清洗晶圆。清洗模块的晶圆侦测传感器为挡光式传感器。去离子水和化学品可能会喷溅到传感器发射端和接收端,聚集成水珠附着在传感器上造成传感器误侦测报警。而且,清洗过程中的研磨液、颗粒会随着清洗液喷溅到传感器表面,长时间积累造成结晶,影响传感器侦测的准确性。
2、有鉴于此,有必要提出一种晶圆侦测传感器的保护装置及化学机械研磨设备以解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种晶圆侦测传感器的保护装置及化学机械研磨设备,用以改善现有的晶圆侦测传感器因水珠或者结晶而容易产生误报警的问题。
2、本技术提供了一种晶圆侦测传感器的保护装置,包括:第一清除组件和第二清除组件。所述第一清除组件安装于所述晶圆侦测传感器的发射器上,所述第一清除组件通过第一输气管与化学机械研磨设备的清洁气体供给系统连接,所述第一清除组件用于向所述发射器喷射清洁
...【技术保护点】
1.一种晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,包括:第一清除组件(300)和第二清除组件(400);
2.根据权利要求1所述的晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,所述第一清除组件(300)包括第一防护罩(310),所述第一防护罩(310)内部形成有第一气流通道(311),所述第一气流通道(311)与所述第一输气管(510)连接,所述第一气流通道(311)延伸至所述第一防护罩(310)底端并形成有第一开口(3111),所述发射器(100)位于所述第一气流通道(311)内,所述发射器(100)与所述第一气流通道(311)内壁间形成第一间距以流通清洁气体,所述
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,包括:第一清除组件(300)和第二清除组件(400);
2.根据权利要求1所述的晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,所述第一清除组件(300)包括第一防护罩(310),所述第一防护罩(310)内部形成有第一气流通道(311),所述第一气流通道(311)与所述第一输气管(510)连接,所述第一气流通道(311)延伸至所述第一防护罩(310)底端并形成有第一开口(3111),所述发射器(100)位于所述第一气流通道(311)内,所述发射器(100)与所述第一气流通道(311)内壁间形成第一间距以流通清洁气体,所述发射器(100)的发射端朝向所述第一开口(3111)设置;
3.根据权利要求2所述的晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,所述第一防护罩(310)的顶端设有第一安装孔(312),所述发射器(100)穿设安装于所述第一安装孔(312)内,所述第一气流通道(311)自所述第一开口(3111)处延伸至所述第一安装孔(312)底端,并与所述第一安装孔(312)连通;
4.根据权利要求3所述的晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,所述发射器(100)与所述第一防护罩(310)可拆卸地安装连接;
5.根据权利要求4所述的晶圆侦测传感器的保护装置,其特征在于,所述第一防护罩(310)的侧部对应所述第一安装孔(312)设有第一限位孔,所述第一限位孔内穿设且螺纹连接有第一限位件,所述第一限位件的端部紧抵于所述发射器(100)上;和/或,
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:芯恩青岛集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。