【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体集成电路制造，尤其涉及一种cmp机台的管路清洗装置。
技术介绍
1、半导体的化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)是半导体器件生产过程中一道不可缺少的工序。cmp工艺的基本原理是：将待抛光的晶片在一定的下压力及研磨液的存在下，相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除，并获得光洁表面。研磨液是由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液，极易沉结成大量的结晶，这些结晶会沉积在供应管路中，积累到一定数量会造成产品划伤影响良率，同时会造成过滤器堵塞，机台流量不稳定发生警报，为改善这一现象，现有技术中，抛光液供应系统会定期使用氢氧化钾(koh)溶液以及去离子水(diw)清洗管路和抛光液供应设备，进行改善。
2、如图1所示，目前操作人员需要提前准备好koh溶液，将koh溶液放置在原液机中，然后将原液机中的koh抽取至混液机中，抽取一定量后在混液机加入去离子水，进行混合搅拌后，使混合液在抛光液供应系统的管路中进行循环冲洗,冲...
【技术保护点】
1.一种CMP机台的管路清洗装置，用于清洗研磨液供应系统，其特征在于，包括：混液机和清洗桶，均用于容纳清洗液；
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗桶通过一阀门分配箱连接M个机台。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述至少一主支路和至少一辅支路上设有闭环流量控制器，用于控制管道流量。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述闭环流量控制器还包括流量侦测泄露传感器，用于监测阀门是否损坏。
5.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述辅支路的回流管道中设置有手动阀门。
<...【技术特征摘要】
1.一种cmp机台的管路清洗装置，用于清洗研磨液供应系统，其特征在于，包括：混液机和清洗桶，均用于容纳清洗液；
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗桶通过一阀门分配箱连接m个机台。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述至少一主支路和至少一辅支路上设有闭环流量控制器，用于控制管道流量。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述闭环流量控制器还包括流量侦测泄露传感器，用于监测阀门是否损坏。
5.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述辅支路的回流管道中设置有手动阀门。
...【专利技术属性】
技术研发人员：张达智，郑时裕，朱尔顺，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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