添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm

Additives, additive dispersion, etching raw material unit, additive supply device, etching device and etching method

【技术实现步骤摘要】
添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法
本专利技术的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。
技术介绍
在半导体硅基板的制造工序和硅太阳能电池的制造工序中，为了去除附着于硅基板上的硅小块、硅基板的表面的平滑化，有时变得需要硅的湿式蚀刻。在该湿式蚀刻中，包含氢氟酸和硝酸的混酸作为蚀刻液被使用。另外，还已知通过在该混酸中添加亚硝酸根离子来使硅的蚀刻速度提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。蚀刻技术涉及蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。根据实施方式，提供一种添加剂。添加剂是用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。根据另一实施方式，提供一种添加剂分散液。添加剂分散液包含实施方式所涉及的添加剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种添加剂，其是用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂，所述添加剂包含表面的至少一部分被氧化、比表面积高于12.6cm

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-1730771.一种添加剂，其是用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂，所述添加剂包含表面的至少一部分被氧化、比表面积高于12.6cm2/g的固体状硅材料。


2.根据权利要求1所述的添加剂，其中，所述固体状硅材料的所述比表面积为80cm2/g以上且360cm2/g以下。


3.根据权利要求1或2所述的添加剂，其中，所述固体状硅材料为硅粒子。


4.根据权利要求3所述的添加剂，其中，所述硅粒子的平均粒径大于0μm且为100μm以下。


5.一种添加剂分散液，其包含权利要求1至4中任一项所述的添加剂、和使所述固体状硅材料分散的酸性水溶液。


6.根据权利要求5所述的添加剂分散液，其中，所述酸性水溶液包含选自由硝酸、硫酸及磷酸构成的组中的至少1种酸。


7.根据权利要求5或6所述的添加剂分散液，其中，所述固体状硅材料的含量为0.1质量％以上且50质量％以下。


8.一种蚀刻原料单元，其是用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的原料单元，所述蚀刻原料单元包含：
第1单元，其包含第1容器和容纳于所述第1容器内的权利要求1至4中任一项所述的添加剂；和
第2单元，其包含第2容器和容纳于所述第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上友佳子，平川雅章，植松育生，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP