一种氮化硅陶瓷气孔保护罩制造技术

本实用新型专利技术公开一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，包括：保护罩本体、顶部气孔开闭组件以及侧壁气孔开闭组件，保护罩本体为氮化硅材质，圆形顶壁上设置有四个顶部气孔，环形侧壁上设置有数个侧壁气孔，顶部气孔开闭组件设置有顶部气孔橡胶塞，侧壁气孔开闭组件设置有侧壁气孔橡胶塞，在利用多晶硅生长炉生长多晶硅时，可以将本实用新型专利技术的氮化硅陶瓷气孔保护罩设置在气体物料出口孔上，防止由于硅体生长时异常碰撞跌落碎块堵住气体物料出口孔，氮化硅气孔保护罩能够防止氯硅烷气体及氯化氢气体腐蚀给多晶硅体生长带来污染，并且可以通过顶部气孔开闭组件以及侧壁气孔开闭组件对顶部气孔和侧壁气孔进行灵活的开启和关闭，以适应多样化的使用需求。

A kind of silicon nitride ceramic air hole protective cover

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅陶瓷气孔保护罩
本技术涉及晶体生长设备
，具体涉及一种氮化硅陶瓷气孔保护罩。
技术介绍
多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。多晶硅生长炉适用于进行多晶硅生长的容器，多晶硅生长炉上方通常设置有气体物料出口孔。在多晶硅生长过程中，经常会出现由于硅体生长时异常碰撞跌落，导致碎块堵住气体物料出口孔的情况发生。因此，有必要设计一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，以解决目前在多晶硅生长过程中，经常会出现由于硅体生长时异常碰撞跌落，导致碎块堵住气体物料出口孔的情况发生的问题。本技术提供一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，包括：保护罩本体、顶部气孔开闭组件以及侧壁气孔开闭组件；所述保护罩本体为氮化硅材质，所述保护罩本体呈圆柱状壳体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，其特征在于，包括：保护罩本体(1)、顶部气孔开闭组件(2)以及侧壁气孔开闭组件(3)；/n所述保护罩本体(1)为氮化硅材质，所述保护罩本体(1)呈圆柱状壳体，包括圆形顶壁(11)以及与所述圆形顶壁(11)连接的环形侧壁(12)，所述圆形顶壁(11)上设置有四个顶部气孔(111)，所述四个顶部气孔(111)围绕所述圆形顶壁(11)的中心轴线均匀分布，所述顶部气孔(111)贯穿所述圆形顶壁(11)的上下表面，所述环形侧壁(12)上设置有数个侧壁气孔(121)，所述侧壁气孔(121)呈条状，所述侧壁气孔(121)贯穿所述环形侧壁(12)的内外侧壁，所述数个侧壁气孔(12...

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，其特征在于，包括：保护罩本体(1)、顶部气孔开闭组件(2)以及侧壁气孔开闭组件(3)；
所述保护罩本体(1)为氮化硅材质，所述保护罩本体(1)呈圆柱状壳体，包括圆形顶壁(11)以及与所述圆形顶壁(11)连接的环形侧壁(12)，所述圆形顶壁(11)上设置有四个顶部气孔(111)，所述四个顶部气孔(111)围绕所述圆形顶壁(11)的中心轴线均匀分布，所述顶部气孔(111)贯穿所述圆形顶壁(11)的上下表面，所述环形侧壁(12)上设置有数个侧壁气孔(121)，所述侧壁气孔(121)呈条状，所述侧壁气孔(121)贯穿所述环形侧壁(12)的内外侧壁，所述数个侧壁气孔(121)以所述环形侧壁(12)的中心轴线为轴均匀分布于所述环形侧壁(12)上；
所述顶部气孔开闭组件(2)包括中心圆盘(21)、旋钮把手(22)、四个延展性连接臂(23)、顶部气孔橡胶塞(24)以及顶部气孔橡胶塞固定圈(25)，所述中心圆盘(21)的底部设置有转轴(26)，所述转轴(26)与所述圆形顶壁(11)的中心转动连接，所述旋钮把手(22)设置于所述中心圆盘(21)的顶部，所述四个延展性连接臂(23)分别连接于所述中心圆盘(21)的外周面四周，所述顶部气孔橡胶塞固定圈(25)连接于所述延展性连接臂(23)的端部，所述顶部气孔橡胶塞(24)设置于所述顶部气孔橡胶塞固定圈(25)的内部，所述顶部气孔橡胶塞(24)的位置和尺寸与所述顶部气孔(111)相适配；
所述侧壁气孔开闭组件(3)包括固定圈(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏小龙，宋晓文，
申请(专利权)人：埃克诺新材料大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21