一种紫外发光二极管外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种紫外发光二极管外延结构，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本实用新型专利技术通过在AlN层和N型AlGaN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。

A kind of epitaxial structure of UV LED

【技术实现步骤摘要】
一种紫外发光二极管外延结构
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种紫外发光二极管外延结构。
技术介绍
AlGaN半导体材料具有很宽的直接带隙，禁带宽度从3.4～6.2eV连续可调，使其光响应波段覆盖从近紫外(UVA)到深紫外(UVC)。相比于传统紫外光源，如汞灯和氙灯，紫外LED具有无汞污染、波长可控、体积小、耗电低、寿命长等优点，在高显色指数白光照明、防伪识别、紫外聚合物固化、杀菌消毒、医疗卫生、水与空气净化、高密度光学数据存贮等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。相较于成熟的GaN基蓝光外延结构，紫外发光二极管外延结构的发光效率普遍偏低，且发光效率随波长的减小急剧下降。如何制备结晶质量好、发光功率高的紫外发光二极管外延结构，是当前急需解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种紫外发光二极管外延结构，晶体质量好，发光效率高。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种紫外发光二极管外延结构，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层；/n所述有源层由若干个周期的量子阱结构组成，所述量子阱结构包括AlGaN阱层和AlGaN垒层；/n所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构组成，每个周期的AlN/AlGaN超晶格结构包括AlN层和第一AlGaN层。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层；
所述有源层由若干个周期的量子阱结构组成，所述量子阱结构包括AlGaN阱层和AlGaN垒层；
所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构组成，每个周期的AlN/AlGaN超晶格结构包括AlN层和第一AlGaN层。


2.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述过渡层的厚度为200～400nm。


3.如权利要求2所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，每个AlN/AlGaN超晶格结构的厚度为2～10nm。


4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：农明涛，庄家铭，贺卫群，郭嘉杰，仇美懿，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44