一种白光发光二极管外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种白光发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本实用新型专利技术外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本实用新型专利技术外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。

A white LED epitaxial structure

【技术实现步骤摘要】
一种白光发光二极管外延结构
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种白光发光二极管外延结构。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。目前，白色发光二极管主要采用蓝光LED芯片和黄色荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光，或用蓝光LED芯片配合红色和绿色荧光粉，由芯片发出的蓝光、荧光粉发出的红光和绿光三色混合获得白光。但荧光粉的使用在一定程度上延长了白光LED芯片的响应时间，对一些特殊的应用造成影响。另外，随着使用时间的推移，荧光粉容易出现稳定性问题导致白光LED发光颜色发生变化，致使荧光粉激发型白光LED芯片真正使用远远小于GaN机发光二极管的理论寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种白光发光二极管外延结构，外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。本技术还要解决的技术问题在于，白光发光二极管的响应时间快、使用寿命时间长。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种白光发光二极管外延结构，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。/n

【技术特征摘要】
1.一种白光发光二极管外延结构，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。


2.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述蓝光量子阱层和黄光量子阱层具有InGaN制成。


3.如权利要求2所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，蓝光量子阱层的厚度与黄光量子阱层的厚度比例为(1:5)～(5:1)。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：农明涛，庄家铭，贺卫群，祝邦瑞，郭嘉杰，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44