一种MEMS环行器的封装方法技术

本发明专利技术提供了一种MEMS环行器的封装方法，属于环行器封装技术领域，包括以下步骤：在晶圆的正面制备金属电路层，在晶圆的背面制备金属焊接层，获得成一体结构的多个芯片单元；在晶圆的背面制备焊料层；在背面向上的晶圆上每个芯片单元对应的位置放置金属载体，并将金属载体和晶圆背面焊接为一体；在正面向上的晶圆上每个芯片单元对应的位置点胶，将永磁体贴装在胶层表面，并将贴装了永磁体的晶圆上的胶层进行固化；将焊接了金属载体和贴装了永磁体的晶圆进行切割，获得独立的MEMS环行器。本发明专利技术提供的一种MEMS环行器的封装方法获得的MEMS环行器精度高、体积小、一致性好，并能够适用于批量封装制造。

A packaging method of MEMS circulator

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS环行器的封装方法
本专利技术属于环行器封装
，更具体地说，是涉及一种MEMS环行器的封装方法。
技术介绍
随着现代电子技术的发展，通信收发系统趋向小型化，对射频前端的环行器产品提出了小型化的迫切需求。与传统的环行器产品相比，MEMS(微机电系统，Micro-Electro-MechanicalSystem)环行器借助其内部的磁性材料在外加微波场及直流稳恒磁场的共同作用下，实现电磁波在其内部按照某一环形方向传输、反向而隔离，具有体积小、精度高、功率高、可靠性好等优势，在5G通信等领域具有更好的应用前景。目前，MEMS环行器的封装以芯片级封装方式为主，通过光刻、显影、刻蚀、圆片键合等MEMS加工工艺(MicrofabricationProcess)，在硅晶圆上加工出MEMS环行器芯片结构，然后通过划片工艺将硅晶圆切割成独立的MEMS环行器，再通过焊料片在高温下的熔融共晶，将MEMS环行器背面与金属载体表面焊接为一体，最后在MEMS环行器的正面点胶并粘接永磁体，待胶水固化后得到MEMS环行器。在实现本专利技术过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS环行器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在晶圆的正面制备金属电路层，在所述晶圆的背面制备金属焊接层，获得成一体结构的多个芯片单元；/n在所述晶圆的背面制备焊料层；/n在背面向上的所述晶圆上每个所述芯片单元对应的位置放置金属载体，并将所述金属载体和所述晶圆背面焊接为一体；/n在正面向上的所述晶圆上每个所述芯片单元对应的位置点胶，将永磁体贴装在胶层表面，并将贴装了所述永磁体的所述晶圆上的胶层进行固化；/n将焊接了所述金属载体和贴装了所述永磁体的所述晶圆进行切割，获得独立的MEMS环行器。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS环行器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
在晶圆的正面制备金属电路层，在所述晶圆的背面制备金属焊接层，获得成一体结构的多个芯片单元；
在所述晶圆的背面制备焊料层；
在背面向上的所述晶圆上每个所述芯片单元对应的位置放置金属载体，并将所述金属载体和所述晶圆背面焊接为一体；
在正面向上的所述晶圆上每个所述芯片单元对应的位置点胶，将永磁体贴装在胶层表面，并将贴装了所述永磁体的所述晶圆上的胶层进行固化；
将焊接了所述金属载体和贴装了所述永磁体的所述晶圆进行切割，获得独立的MEMS环行器。


2.如权利要求1所述的一种MEMS环行器的封装方法，其特征在于，所述在背面向上的所述晶圆上每个所述芯片单元对应的位置放置金属载体之前，还包括：
沿着所述晶圆背面预先制作的第一划片标记，对所述晶圆的背面进行预切割；所述预切割的深度为50μm～100μm。


3.如权利要求2所述的一种MEMS环行器的封装方法，其特征在于，所述将焊接了所述金属载体和贴装了所述永磁体的所述晶圆进行切割包括：
沿着所述晶圆正面预先制作的第二划片标记，对所述晶圆正面进行再切割；其中，所述第二划片标记对应的所述再切割的位置和所述第一划片标记对应的所述预切割的位置一致。


4.如权利要求3所述的一种MEMS环行器的封装方法，其特征在于：所述再切割的深度为所述晶圆的厚度与所述预切割的深度的差值再加上预设修正值；
其中，所述预设修正值的范围为40μm～60μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟强，汪蔚，翟晓飞，周嘉，侯凯强，
申请(专利权)人：河北美泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13