用于经由温度设置本地电源域超时的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于经由温度设置本地电源域超时的方法及装置。一种半导体装置可包含：本地电源域，其经配置以选择性地将电力提供到存储器装置的逻辑块或防止电力到所述存储器装置的逻辑块；及温度传感器，其定位在所述半导体装置上。所述半导体装置还可包含超时电路，其至少部分基于来自温度传感器的温度信息将所述本地电源域的断电延迟超时时间。

Method and device for setting local power domain timeout via temperature

【技术实现步骤摘要】
用于经由温度设置本地电源域超时的方法及装置
本文描述的实施例大体上涉及半导体装置领域。更具体来说，当前实施例包含用于至少部分基于温度设置本地电源域的断电延迟的一或多个系统、装置及方法。
技术介绍
本段落希望向读者介绍可与下文描述及/或主张的本专利技术的各个方面有关的所属领域的各个方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以有利于更好地理解本专利技术的各个方面。因此，应理解，应从这个背景下阅读这些陈述，且其不应被认为是对现有技术的承认。存储器装置及其它逻辑电路系统中的各种操作模式可实施逻辑电路，其包含多种类型的电路，例如布尔逻辑门，以取决于对应输入产生某些输出。在任何时间点，一些逻辑电路可处于使用中而其它逻辑电路不处于使用中。然而，当不处于使用中时，逻辑电路仍可消耗电力(例如，归因于泄漏电流)。本地电源域(LPD)可个别地将电力供应到一或多个逻辑电路，且因此，允许个别逻辑电路在不处于使用中时被断电。将电力切换到逻辑电路也可消耗电力，且LPD的快速循环可导致额外电力使用。因此，本文描述的实施例可涉及上文陈述的问题中的一或多者。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供一种存储器装置，其包括：本地电源域，其经配置以选择性地将电力提供到所述存储器装置的逻辑块或防止电力到所述存储器装置的逻辑块；温度传感器，其定位在所述存储器装置上；及超时电路，其至少部分基于来自所述温度传感器的温度信息将所述本地电源域的断电延迟超时时间。在另一方面中，本专利技术提供一种半导体装置，其包括：逻辑电路，其经配置以处理所述半导体装置中的信号；温度传感器，其经配置以感测对应于所述逻辑电路的温度；及超时电路，其经配置以至少部分基于所述温度控制到所述逻辑电路的电力供应。在又另一方面中，本专利技术提供一种方法，其包括：接收对应于半导体装置的逻辑块的温度信息；至少部分基于所述温度信息确定断电信号的超时延迟，其中所述断电信号经配置以关闭到所述逻辑块的电力；及响应于所述逻辑块未处于使用中的信号通知，将电力关闭所述逻辑块延迟所述超时延迟。附图说明图1是说明根据本专利技术的实施例的计算机系统的框图；图2是说明根据本专利技术的实施例的实例存储器装置的框图；图3是根据本专利技术的实施例的实例电力控制电路的示意图；图4是根据本专利技术的实施例的能量使用对超时时间的图形；图5是根据本专利技术的实施例的高温场景及低温场景的实例时序图的说明；图6是根据本专利技术的实施例的实例超时电路的示意图；图7是输出温度信息的实例逻辑的示意图；及图8是根据本专利技术的实施例的用于延迟逻辑块的断电的实例方法的流程图。具体实施方式下文将描述一或多个特定实施例。为了提供这些实施例的简洁描述，本专利技术中未描述实际实施方案的所有特征。应了解，在任何此实际实施方案的开发中，如在任何工程或设计项目中，必须做出众多特定于实施方案的决策以实现开发者的特定目标，例如符合系统相关及商业相关约束，其可因实施方案而异。此外，应了解，此开发努力可能是复杂且耗时的，但对于受益于本专利技术的所属领域的一般技术人员，这仍是设计及制造(fabrication/manufacture)的例行任务。为了帮助减少归因于泄漏电流的电力消耗，在一些实施例中，时钟启用信号(例如，CKE)或其它通知信号向本地电源域(LPD)提供可何时关闭到逻辑电路的电力及何时请求开启电力的通知。CKE信号可为或可不为周期性的，且因而，请求的电力可能不可通过LPD预测。因而，可能有利的是，延迟逻辑电路的断电以防止LPD的快速循环以降低整体电力消耗。理想延迟时间可对应于在逻辑电路未处于使用中时消耗的泄漏电流量及用于切换LPD的能量的量。此外，与在相对较冷温度下相比，在更高的温度下逻辑电路可具有更高泄漏电流。因此，断电延迟可为至少部分基于逻辑电路的温度，其可通过裸片上温度传感器(例如，定位在与逻辑电路相同的硅衬底、芯片及/或电路板上)测量。此外，在一些实施例中，超时电路的输出可直接控制到逻辑电路的电力而无需使用本地电源域。现参考图1，说明计算机系统10的简化框图，计算机系统10可包含用于将电力供应到逻辑电路的一或多个LPD。计算机系统10包含控制器11及半导体装置12。控制器11可包含处理电路，例如一或多个处理器13(例如，一或多个微处理器)，其可执行软件程序以经由一或多个双向通信总线14将各种信号提供到半导体装置12以有利于数据传输及接收。此外，处理器13可包含多个微处理器、一或多个“通用”微处理器、一或多个专用微处理器及/或一或多个专用集成电路(ASIC)或其某一组合。举例来说，处理器13可包含一或多个精简指令集(RISC)处理器。处理器13可耦合到一或多个存储器15，其可存储信息，例如控制逻辑及/或软件、查找表、配置数据等。在一些实施例中，处理器13及/或处理器15可在控制器11外部。存储器15可包含有形非暂时性机器可读媒体，例如易失性存储器(例如，随机存取存储器(RAM))及/或非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、硬盘驱动器或任何其它合适的光学、磁性或固态存储媒体或其组合)。存储器15可存储多种信息且可用于各种目的。举例来说，存储器15可存储供处理器13执行的机器可读及/或处理器可执行指令(例如，固件或软件)，例如用于将各种信号及命令提供到半导体装置12以有利于待由半导体装置12写入、读取、处理或中继的数据的传输及接收的指令。控制器11可通过一或多个命令及输入/输出(I/O)接口16与半导体装置12通信。一般来说，命令及输入/输出接口16提供外部装置(例如控制器11)对半导体装置12的各种组件的存取。时钟信号可在半导体装置12与外部装置(例如控制器11)之间传递以提供同步数据传送及在半导体装置12内的内部使用。举例来说，CKE信号17可提供何时启用及/或停用逻辑电路(例如逻辑块18)的指示。CKE信号17可(例如)从控制器11被传递到半导体装置12，或可由半导体装置12内的电路生成。在一个实施例中，CKE信号17可用于控制半导体装置12上的逻辑块18的LPD。另外，超时电路20可用于基于温度延迟将逻辑块18断电。一或多个温度传感器22可定位在裸片上或极接近于半导体装置12而定位，且可测量逻辑块18的直接温度、环境温度或半导体装置12的总体(例如，平均)温度。在一个实施例中，温度传感器22定位在半导体装置12上以便确定逻辑块18的温度。因而，半导体装置12的多个LPD可取决于定位在每一LPD的相应逻辑块18的温度传感器22各自具有超时电路20。另外或替代地，多个LPD可使用单个超时电路20，及/或多个超时电路20可共享共同温度传感器22。如应了解，控制器11及半导体装置12可经实施作为单独组件或经实施一起作为单个装置。此外，LPD、逻辑块18及超时电路20可经实施在任何合适的半导体装置12上。举例来说，图2是说明作为实例半导体装置12的存储器装置24的功能框图。在一些实施例中，存储器装置24可经安置在主机装置中(物理集成到主机装置中或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n本地电源域，其经配置以选择性地将电力提供到所述存储器装置的逻辑块或防止电力到所述存储器装置的逻辑块；/n温度传感器，其定位在所述存储器装置上；及/n超时电路，其经配置以至少部分基于来自所述温度传感器的温度信息将所述本地电源域的断电延迟超时时间。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 16/118,8371.一种存储器装置，其包括：
本地电源域，其经配置以选择性地将电力提供到所述存储器装置的逻辑块或防止电力到所述存储器装置的逻辑块；
温度传感器，其定位在所述存储器装置上；及
超时电路，其经配置以至少部分基于来自所述温度传感器的温度信息将所述本地电源域的断电延迟超时时间。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述超时电路经配置以响应于所述本地电源域的经允许电力关闭状态的信号通知延迟所述本地电源域的所述断电。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述信号通知包括CKE信号。


4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述经允许电力关闭状态指示暂时未使用所述逻辑块。


5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述超时电路经配置以至少部分基于所述逻辑块的泄漏电流、所述本地电源域的切换能量或其组合确定所述超时时间。


6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述超时时间包括一时间周期，其中所述时间周期内的所述泄漏电流的总量大致等于所述切换能量。


7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述超时电路经配置以在所述超时之后将断电信号发送到所述本地电源域。


8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述超时电路经配置以响应于所述超时时间的持续时间内的经允许电力关闭状态的第一信号通知将所述本地电源域维持在电力开启状态中。


9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述超时电路经配置以响应于在所述超时时间结束之前暂时发生的经允许电力开启状态的第二信号通知继续将所述本地电源域维持在所述电力开启状态中。


10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置可操作地耦合到控制器。


11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述温度传感器包括4位温度传感器。


12.一种半导体装置，其包括：
逻辑电路，其经配置以处理所述半导体装置中的信号；
温度传感器，其经...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·J·洛维特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US