发光二极管驱动电路制造技术

技术编号:23460235 阅读:42 留言:0更新日期:2020-03-03 06:11
一种发光二极管驱动电路,用以点亮第一发光二极管单元,包括数据闩锁电路、电流源以及脉冲宽度调制电路。数据闩锁电路包括多个闩锁单元。数据闩锁电路根据第一闩锁信号闩锁数据信号而产生第一控制信号。电流源产生固定电流。脉冲宽度调制电路根据第一控制信号以及致能信号,周期性地将电流源流经第一发光二极管单元。

LED driver circuit

【技术实现步骤摘要】
发光二极管驱动电路
本申请是有关于一种集成电路用以驱动发光二极管单元,特别是有关于一种利用脉冲宽度调制(pulse-widthmodulation,PWM)调光的集成电路。
技术介绍
具有mini-LED、micro-LED以及有机发光二极管(OLED)的有源矩阵发光二极管的显示器/背光,在每个像素中皆具备了电留驱动器来控制发光二极管单元的亮度。为了控制流经发光二极管单元的电流而调整亮度,电流驱动器与发光二极管单元串接于两个电压源之间。然而,发光二极管单元操作于低电流时并不稳定,加上发光二极管单元的色度是与电流有关,因而提出利用固定的最佳发光二极管电流的脉冲宽度调制,用以取代电流控制的方式,来解决上述的问题。另一方面,为了某些技术好处,例如薄膜晶体管的稳定度、低温制程(弹性基板的有机材料可能会被温度破坏)、成本等等,仅可使用P型晶体管或N型晶体管,而不适合使用非互补式金属氧化物晶体管。因此,需要仅用P型晶体管或仅用N型晶体管实现的发光二极管驱动电路。
技术实现思路
本申请提出一种发光二极管驱动电路,用以点亮一第一发光二极管单元,包括一数据闩锁电路、一电流源以及一脉冲宽度调制电路。上述数据闩锁电路根据一第一闩锁信号闩锁一数据信号而产生一第一控制信号。上述电流源产生一固定电流。上述脉冲宽度调制电路,包括多个传输晶体管、一上拉晶体管以及一调光晶体管。上述传输晶体管的每一者根据一致能信号的对应的比特,通过上述第一控制信号的对应的比特而产生一脉冲宽度调制信号。当所有上述传输晶体管皆不导通时,将上述脉冲宽度调制信号上拉至一供应电压。上述调光晶体管根据上述脉冲宽度调制信号,将上述电流源耦接至上述第一发光二极管单元,使得上述固定电流流经上述第一发光二极管单元。上述传输晶体管、上述上拉晶体管以及上述调光晶体管仅由P型晶体管或N型晶体管所实现。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明,其中:图1是显示根据本申请的一实施例所述的发光二极管驱动电路的方块图;图2是显示根据本申请的一实施例所述的发光二极管驱动电路的方块图;图3是显示根据本申请的一实施例所述的发光二极管驱动电路的方块图;图4是显示根据本申请的一实施例所述的图2的脉冲宽度调制电路230的方块图;图5是显示根据本申请的一实施例所述的闩锁电路的方块图;图6是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图7是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图8是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图9是显示根据本申请的另一实施例所述的发光二极管驱动阵列的方块图;图10是显示根据本申请的另一实施例所述的发光二极管驱动阵列的方块图;图11是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图12是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图13是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图14是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图15是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图16是显示根据本申请的另一实施例所述的图3的脉冲宽度调制电路的方块图;图17是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图18是显示根据本申请的另一实施例所述的发光二极管驱动阵列的方块图;图19是显示根据本申请的另一实施例所述的发光二极管驱动阵列的方块图;图20是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图21是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图22是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;图23是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图;以及图24是显示根据本申请的另一实施例所述的闩锁电路的方块图。图中元件标号说明:100、200、300发光二极管驱动电路110、210、310数据闩锁电路120、220、320电流源130、230、330、400、60、70、912、1012、1600、1912脉冲宽度调制电路410、61、71、1610第一传输晶体管420、62、72、1620第二传输晶体管430、63、73、1630第三传输晶体管440、64、74、1640第四传输晶体管450、65上拉晶体管460、66、76、1660调光晶体管75、1650下拉晶体管500、600、700、800、911、1011、1100、1200、1300、1400、1500、1800、1911、2000、2100、2200、2300、2400闩锁单元900、1000、1900发光二极管驱动阵列910、1010、1910第一发光二极管驱动电路920、1020、1920第二发光二极管驱动电路BIT_1第一比特BIT_2第二比特BIT_3第三比特BIT_4第四比特C1第一电容C2第二电容CBIT控制比特CBST自举电容DB数据比特DP正数据DN负数据EN致能信号EN_1第一致能信号EN_2第二致能信号EN_3第三致能信号EN_4第四致能信号IC固定电流SC控制信号SD数据信号SL闩锁信号SL1第一闩锁信号SL2第二闩锁信号SPWM脉冲宽度调制信号M1第一晶体管M2第二晶体管M3第三晶体管M4第四晶体管M5第五晶体管M6第六晶体管M7第七晶体管MBST自举晶体管MR1第一设置晶体管MR2第二设置晶体管MR3第三设置晶体管N1第一节点N2第二节点PU上拉晶体管VDD供应电压XLED发光二极管单元XLED1第一发光二极管单元XLED2第二发光二极管单元具体实施方式以下说明为本申请的实施例。其目的是要举例说明本申请一般性的原则,不应视为本申请的限制,本申请的范围当以权利要求所界定者为准。值得注意的是,以下所公开的内容可提供多个用以实践本申请的不同特点的实施例或范例。以下所述的特殊的元件范例与安排仅用以简单扼要地阐述本申请的精神,并非用以限定本申请的范围。此外,以下说明书可能在多个范例中重复使用相同的元件符号或文字。然而,重复使用的目的仅为了提供简化并清楚的说明,并非用以限定多个以下所讨论的实施例以及/或配置之间的关系。此外,以下说明闩锁述的一个特征连接至、耦接至以及/或形成于另一特征之上等的描述,实际可包含多个不同的实施例,包括这些特征直接接触,或者包含其它额外的特征形成于这些特征之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管驱动电路,用以点亮一第一发光二极管单元,包括:/n一数据闩锁电路,包括多个闩锁单元,所述数据闩锁电路根据一第一闩锁信号闩锁一数据信号而产生一第一控制信号;/n一电流源,产生一固定电流;以及/n一脉冲宽度调制电路,包括:/n多个传输晶体管,其中所述多个传输晶体管的每一者根据一致能信号的对应的比特,通过所述第一控制信号的对应的比特而产生一脉冲宽度调制信号;以及/n一调光晶体管,根据所述脉冲宽度调制信号,将所述电流源耦接至所述第一发光二极管单元,使得所述固定电流流经所述第一发光二极管单元;/n其中所述多个传输晶体管以及所述调光晶体管是由P型晶体管或N型晶体管所实现。/n

【技术特征摘要】
20180809 US 62/716,908;20190123 US 16/255,2081.一种发光二极管驱动电路,用以点亮一第一发光二极管单元,包括:
一数据闩锁电路,包括多个闩锁单元,所述数据闩锁电路根据一第一闩锁信号闩锁一数据信号而产生一第一控制信号;
一电流源,产生一固定电流;以及
一脉冲宽度调制电路,包括:
多个传输晶体管,其中所述多个传输晶体管的每一者根据一致能信号的对应的比特,通过所述第一控制信号的对应的比特而产生一脉冲宽度调制信号;以及
一调光晶体管,根据所述脉冲宽度调制信号,将所述电流源耦接至所述第一发光二极管单元,使得所述固定电流流经所述第一发光二极管单元;
其中所述多个传输晶体管以及所述调光晶体管是由P型晶体管或N型晶体管所实现。


2.如权利要求1所述的发光二极管驱动电路,其特征在于,所述脉冲宽度调制电路更包括:
一上拉晶体管,当所有所述多个传输晶体管皆不导通时,将所述脉冲宽度调制信号上拉至一供应电压。


3.如权利要求1所述的发光二极管驱动电路,其特征在于,所述多个闩锁单元的每一者包括:
一第一晶体管,根据所述第一闩锁信号的一第一闩锁比特,将负数据自所述数据信号的一第一数据比特提供至一第一节点;
一第一电容,耦接于所述第一节点以及一接地端之间,且储存所述负数据;以及
一第二晶体管,根据所述第一节点的所述负数据,将所述第一控制信号的一第一比特耦接至所述接地端。


4.如权利要求3所述的发光二极管驱动电路,其特征在于,所述多个闩锁单元的每一者更包括:
一自举晶体管,耦接于所述第一节点以及所述第二晶体管的栅极端之间,其中所述自举晶体管的栅极端是耦接至所述接地端;以及
一自举电容,耦接于所述第一控制信号的所述第一比特以及所述第二晶体管的栅极端之间。


5.如权利要求4所述的发光二极管驱动电路,其特征在于,所述多个闩锁单元的每一者更包括:
一第一设置晶体管,根据一第二闩锁信号,将一供应电压提供至所述第一节点;以及
一第三设置晶体管,根据所述第二闩锁信号,将所述供应电压提供至所述第一控制信号的所述第一比特。


6.如权利要求4所述的发光二极管驱动电路,其特征在于,所述多个闩锁单元的每一者更包括:
一第三晶体管,根据所述第一闩锁信号的所述第一闩锁比特,将正数据自所述数据信号的所述第一数据比特提供至一第二节点,其中所述正数据为所述负数据的反相;
一第二电容,耦接于所述第二节点以及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡邉英俊桥本和幸
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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